<span style='color:red'>罗姆</span>适配 800VDC 20～33kW 级电源单元的全套产品解决方案
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罗姆适配 800VDC 20～33kW 级电源单元的全套产品解决方案

　　承接前文，AI 服务器向 + 800V/±400VDC 高压直流架构升级，推动核心部件电源单元(PSU)向更高功率、更高效率、更高功率密度方向发展，对半导体器件的耐压、低损耗、小型化等特性提出严苛要求。罗姆针对 800VDC 20～33kW 级电源单元，打造了覆盖电源侧架与 IT 机架的全套产品解决方案，充分发挥 SiC/GaN/Si 各功率元器件的技术特点，精准匹配 AI 服务器高压架构的供电需求，以下为核心方案详情。　　适用800VDC 20～30kW级电源单元的解决方案简介　　*SIM：PLECS®，仅功率元器件，不含电抗器等外围元器件的损耗　　本方案针对 AI 服务器 800VDC 架构的理想功率转换拓扑设计，核心围绕高效率与高功率密度两大关键指标，为电源侧架、IT 机架不同功率转换环节定制化搭配拓扑结构与元器件，充分发挥 SiC/GaN/Si 的各自技术优势。　　高效率：各电源模块效率达 99% 以上 *(仅计算功率元器件损耗)*(行业标准值为系统效率 97% 以上)　　高功率密度：现行 PSU 标准为 100W/in³，而采用 GaN 产品的服务器机架电源可达到 246W/in³　　AI 服务器供电架构分为电源侧架(Power Source)与服务器机架(IT 机架)，机架母线为 800V DC，经电源侧架、IT 机架功率转换后，输出 50VDC 或 IBV 至计算单元托盘，具体解决方案如下表：　　注：SIM 基于 PLECS® 仿真，仅计算功率元器件损耗，不含电抗器等外围元器件的损耗　　电源侧架用的 PFC+DC/DC 模块　　SIM：PLECS®，仅功率元器件，不含电抗器等外围元器件的损耗　　通过业界超低 RonA、扩展栅极偏置电压，助力实现更高效率(功率损耗降低 30%)　　第 5 代 SiC 产品将高温条件下的 RonA(导通电阻)降低约 30%，支持 AI 服务器所要求的在高温环境及高负载工况下的低损耗运行　　负栅极电压偏置额定值(Vgsn)范围扩大，可支持推荐关断驱动电压 - 5V(Vgsn 直流额定值为 - 7V)的工作条件　　罗姆的 SiC 开发路线图中，功耗损耗比较(第 4 代 vs 第 5 代)显示，导通损耗与开关损耗(关断损耗)相加的总损耗相比第 4 代减少约 30%，效率 SIM * 最多降低 33%。　　仿真条件：Vin=800VDC、Vout=800VDC、Pout=33kW、Ta=100°C、Cr=220nF、Lr=7.3µH、Lm=73µH、Fsw=125kHz　　IT 机架用的 DC 模块　　SIM：PLECS®，仅功率元器件，不含电抗器等外围元器件的损耗　　隔离型三相 LLC 拓扑解决方案　　IT 机架电源用解决方案，确保 AI 处理器、通信、散热空间成为重要课题，需考虑到功率效率和功率密度进行电源系统设计　　将 800VDC 转换为 50V(IBV)的隔离型 DC-DC 转换器　　采用三相隔离型 LLC 拓扑　　一次侧：推荐使用第 4 代 SiC　　推荐产品 SCT4011KR/KRG/KQ　　最大额定电压 1200V，ID TBD，导通电阻 11mΩ　　封装：TO247-4L/TO247HC-4L/QDPAK　　背景：可实现高速开关(100kHz)的 SiC MOSFET，采用表贴型功率封装器件可实现小型化　　效率 SIM * 达 99% 以上 (～125kHz)　　二次侧：推荐使用以下 Si MOSFET　　推荐产品 RSS7 系列：RS7N200CH　　最大额定电压 80V，ID 295A，1.43mΩ，DFN5060-8S　　RSJ2 系列：RJ2N17BCH　　最大额定电压 80V，ID 450A，0.86mΩ，TOLL-pkg　　背景：推荐适用于 50V 输出电压的 80V LV Si MOSFET，采用表贴型功率封装器件可实现小型化　　提升功率效率需采用搭载 SiC 元器件的功率解决方案，利用高耐压和低导通电阻(Ron)优势，有效降低开关损耗。　　针对高功率密度的 GaN 解决方案　　搭载高功率密度 GaN 产品的级联隔离型 LLC　　功率密度：7.8W/cc (129W/in³)，LLC 开关频率 100kHz，尺寸：40mm×91mm×700mm　　通过将开关频率提升至 500kHz，实现变压器等外围元器件的小型化，通过级联结构分担一次侧和变压器的电流，可提高效率　　功率密度：15W/cc (246W/in³)，LLC 开关频率 500kHz，尺寸：40mm×55mm×605mm　　行业标准功率封装产品部署　　提供行业标准封装产品群，通过与英飞凌合作实现通用设计和稳定供应，并提升表面散热和模块性能。　　针对不同拓扑电路搭配对应封装模块：　　Vienna 双向开关电路：DOT-247 共源 2 in 1 × 3pcs　　PSU 隔离型三相 LLC 一次侧：DOT-247 半桥 2 in 1 × 3pcs　　HSDIP20 隔离 顶部散热 六合一模块　　PSU 隔离型三相 LLC 二次侧：DOT-247 半桥 2 in 1 × 6pcs　　罗姆功率封装产品阵容 * 摘录(开发中，其他封装请另行咨询)，含与英飞凌合作开发的封装及罗姆原创封装，SiC 产品专用模块封装为 DOT-247，封装类型分为插装型与表贴型，具体适配如下：　　同时罗姆拥有 SiC 产品用的顶部散热平台 TOLT、D-DPAK、Q-DPAK、Q-DPAK Dual、H-DPAK(H=2.3mm)。　　以上为罗姆针对 800VDC 20～33kW 级电源单元从拓扑设计、核心器件到封装部署的全套解决方案，解决了 AI 服务器高压架构下电源侧架与 IT 机架的功率转换、效率及密度难题。而完整的 AI 服务器供电系统，还需要热插拔控制器(HSC)保障设备插拔过程的安全稳定，后续将为大家详细介绍罗姆 AI 服务器热插拔控制器(HSC)用的全套产品解决方案。
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发布时间：2026-03-20 16:41 阅读量：242 继续阅读>>
AI 服务器扛不住了！电力瓶颈迫在眉睫，<span style='color:red'>罗姆</span>携 800VDC 方案破局
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AI 服务器扛不住了！电力瓶颈迫在眉睫，罗姆携 800VDC 方案破局

　　当下AI的应用越来越广，从日常的智能问答到大企业的数据分析、算力运算，背后都离不开AI服务器的支撑。但随着算力需求一路飙升，AI服务器也遇到了一个核心难题——耗电量太大，传统供电架构根本跟不上。　　在2025深圳媒体交流会上，全球知名半导体企业罗姆深度解读了AI服务器市场的最新变化，点出当前行业的电力痛点，还指明了+800V/±400VDC高压直流架构是解决这一问题的关键。今天我们就来聊聊，AI服务器的电力难题到底有多严重，行业又为何集体选择升级到800VDC架构。　　AI服务器功耗翻几倍，电力成了算力“拦路虎”　　别看AI用起来方便，背后的AI服务器可是十足的“电老虎”。和我们常见的通用服务器比起来，两者的耗电量完全不是一个量级。　　根据罗姆的实际调研数据，一台通用服务器的功耗大概在600W，而一台AI服务器的功耗直接冲到了3000W，是通用服务器的5倍还多。现在各大数据中心都在批量部署AI服务器，这些“电老虎”同时运行，让数据中心的电力消耗呈几何级增长，而耗电量激增带来的连锁影响，也开始全面显现：　　电力损耗增加：需要能够提供低电压、高输出功率的大电流。电缆内的电阻损耗导致能源浪费和发热量增加，这意味着大量电力在传输过程中被白白消耗，不仅不划算，还会进一步加剧发热问题;　　物理限制：一方面需要承载大电流的粗重铜质电缆，占用大量数据中心空间;另一方面电缆和电源插座、线缆的重量与体积大幅增加，让数据中心的空间、重量承压能力达到极限，传统架构实现100kW以上的高功率密度存在物理上的难题，电源插座、线缆等也必须彻底改进;　　散热设计压力：电力消耗和功率损耗会直接转化为热能，海量AI服务器运行产生的高热量，迫使数据中心必须构建高效的液体冷却系统，否则设备易因高温宕机，而液体冷却系统的部署和运维成本也随之攀升;　　可扩展性的极限：以往的架构要实现100kW以上的高功率密度存在物理上的难题，电源插座、线缆等也需要改进，无法适配未来AI服务器算力持续提升的需求，扩容难度和成本大幅增加;　　运营成本增加：数据中心运营成本中近六成是电费，耗电量增加和功率损耗导致的成本上升，直接让企业的长期运营压力翻倍，电力成本成为数据中心最主要的支出项之一。　　电力供应不仅关系着数据中心的运营成本，更直接影响AI算力的释放——如果供电跟不上，再强的算力也无从发挥。如何让电力更高效地支撑AI运算，成了整个行业都要解决的问题。　　GPU功耗一路猛涨，传统服务器机架摸到了“天花板”　　AI服务器的高功耗，核心原因在它的“心脏”——GPU(图形处理器)。作为AI运算的核心部件，GPU的功耗正以肉眼可见的速度飙升，直接让传统的服务器机架扛不住了。　　从英伟达的产品发展路线就能清晰看到这个趋势：GPU的热设计功率(简单说就是芯片的功耗上限)，从之前H100的700W，涨到B200的1200W、B300的1400W，未来还会突破3600W。而且为了跟上AI算力的需求，英伟达还把GPU的升级周期从两年缩短到了一年，算力提升的同时，功耗压力也跟着翻倍。　　功耗飙升带来的问题一连串：传统架构要给GPU供大电流，就得用粗重的铜电缆，不仅占空间、增加数据中心的重量，还让硬件成本大幅上升;电缆传输大电流时，会因为电阻产生损耗，既浪费电能，又会发热，让数据中心的散热难题雪上加霜。　　说到底，传统的低电压供电方式，已经跟不上GPU的功耗增长了，服务器机架的空间、电力承载能力都到了极限，供电架构升级已经迫在眉睫。　　行业达成共识!800VDC高压架构成最优解　　面对这个绕不开的电力难题，全球科技企业都在找解决办法，而+800V/±400VDC高压直流架构，成了大家公认的最优解。　　这个架构的推出，背后有两大重量级阵营推动：一边是微软、Meta、谷歌等企业联合发起的开放计算项目，提出了±400VDC的标准;另一边是英伟达主导的800VDC标准，两大阵营一起定下了下一代AI服务器的供电核心方向。　　为什么800VDC能解决传统架构的痛点?核心就是它有五大优势，从效率、成本、扩展性等方面全方位优化，精准破解了耗电量激增带来的各类问题：　　1.扩容更轻松，从100kW到1MW无缝衔接　　基于800VDC架构，数据中心不用大规模改造原有电力设施，就能实现从100kW到1MW以上的机架功率部署，完美突破传统架构的可扩展性极限，不管是现在的AI服务器，还是未来更高算力的设备，都能适配，实现无缝扩容。　　2.效率更高，端到端电力利用率提升5%　　和目前主流的54V供电系统比，800VDC架构的端到端效率能提升5%。别看只是5%的提升，在海量AI服务器长期运行的情况下，能大幅降低电缆电阻带来的电力损耗，减少发热量，同时省下大量电能，大幅降低数据中心的能耗成本。　　3.减少铜材使用，省钱又减损耗　　800VDC架构能显著降低数据中心骨干网的电流，对应的电缆就能更细，直接减少了铜材的使用量，降低硬件成本;同时电流变小，电缆的电阻损耗也会减少，从根源上缓解能源浪费和发热问题，不用再依赖超粗的铜质电缆，也解决了数据中心的空间与重量问题。　　4.更可靠，破解散热与维护的麻烦　　传统的服务器机架电源，为了防止停机，往往要多装备用模块，不仅占空间，还得频繁维护、更换故障模块;800VDC架构可以把功率转换模块移到机架外，从根本上解决机架内的散热难题，无需构建复杂的液体冷却系统，同时降低了运营成本中电费的占比，在成本和长期可靠性之间找到最优平衡。　　5.适配未来，能支撑超高功率机架　　800VDC架构从设计之初，就瞄准了未来1MW超高功率机架的需求，为后续AI算力的持续提升预留了充足的空间，不用因为算力升级再反复改造供电架构，也能轻松应对未来更高功率密度的部署需求。　　明日预告电源单位迎升级，半导体厂商迎来新挑战　　AI服务器向800VDC架构升级，直接带动了核心部件电源单元(PSU)的高电压化变革，这也给半导体制造商带来了新的市场需求和技术挑战。　　从目前的情况来看，主流的电源单元功率是5.5kW/个，一层机架能到33kW;升级后的产品已经涨到12kW/个，一层机架72kW;而随着800VDC架构落地，下一代电源单元会全面贴合新的行业规范，朝着更高功率、更高效率、更小体积的方向发展。　　这对半导体器件的要求也变得更高：需要能扛住800VDC高压、适配大电流，同时还要耗电少、开关速度快、体积小。简单说，AI服务器的供电升级，本质上是半导体技术的比拼，谁能做出适配800VDC架构的核心器件，谁就能抓住行业机遇。　　后文预告　　800VDC高压架构的升级浪潮已经来了，半导体厂商该如何接招?罗姆作为功率半导体领域的老牌企业，早已提前布局，不仅推出了适配800VDC20~33kW级电源单元的全套解决方案，还和头部电源厂商深度合作，甚至推出了专属的热插拔控制器产品。　　接下来，我们就来详细说说，罗姆到底拿出了哪些硬核技术，破解AI服务器的供电难题，成为行业升级的核心助力!
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发布时间：2026-03-20 16:39 阅读量：236 继续阅读>>
锚定全球赛道：<span style='color:red'>罗姆</span>的核心优势与中长期发展战略！
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锚定全球赛道：罗姆的核心优势与中长期发展战略！

　　作为一家创立于1958年的老牌半导体巨头，罗姆(ROHM)这几十年在行业里的存在感一直超强。不管是新能源汽车的“动力心脏”，还是AI服务器的算力底座，甚至是咱们日常用的消费电子，都能看到它的身影。　　在国内市场，AMEYA360作为核心电子元器件分销平台，早已将罗姆列为重点代理品牌，让国内广大客户能更便捷、高效地获取罗姆的优质产品与专业技术支持。那么在竞争白热化的半导体行业，罗姆究竟凭什么长期稳坐第一梯队?　　01 罗姆的核心优势　　先看罗姆的优势，其实可以分成 “前端服务能力” 和 “后端坚实后盾” 两部分，每一点都戳中了行业的核心需求。　　前端服务能力：　　以客户为导向的服务能力是其核心特色，既能深入挖掘客户需求、提供高价值定制化解决方案，也凭借快速响应速度适配市场变化;同时，尖端技术实力为其赋能，既拥有助力解决社会难题的开发能力，也通过持续创新积累了成熟的制造实力。　　后端坚实后盾：　　IDM垂直整合模式：从设计、晶圆制造到封装测试全链条自己掌控，不用看别人脸色。既能严格把控产品品质，保证供货稳定不缺货，又能快速推进技术创新，比如 SiC 器件从衬底优化到量产，全程自己把控效率拉满。　　整合技术实力：靠专业复合型人才团队，跨领域协同破解客户痛点。不是单纯卖元器件，而是给“一站式方案”，比如把功率器件和模拟IC结合，帮客户降低系统设计难度。　　功率电子+模拟技术壁垒：六十多年的技术积累，形成了独有的技术体系和知识库。在SiC、GaN这些宽禁带半导体领域，技术优势特别突出，这是别人短期内很难追上的。　　02 罗姆的发展战略　　基于深厚的核心优势，罗姆确立了“核心突破+多元拓展”的中长期发展战略，以功率电子与模拟技术为底层根基，锚定全球功率与模拟半导体领域的领先目标稳步推进。战略核心层面，罗姆将汽车领域视为核心增长引擎，重点布局xEV 用隔离型栅极驱动器、第5/6代SiC MOSFET及SiC功率模块等产品，精准契合新能源汽车电动化、智能化发展趋势，持续强化在车载半导体领域的市场竞争力。　　同时，罗姆同步强化工业设备、消费电子及服务器等业务板块，构建均衡发展的产品组合：在工业领域，聚焦FA/机器人用电机驱动器、激光二极管等产品，适配工业自动化与智能制造需求;在消费电子与服务器领域，推出适配高功率场景的Si/SiC MOSFET、家电用IPM等产品，覆盖高端算力与日常消费电子场景，有效分散单一市场波动风险。　　此外，罗姆将感测领域的光学元器件业务列为下一代核心业务支柱，重点发力LiDAR用激光二极管、半导体继电器用VCSEL等产品，深度挖掘自动驾驶、工业检测等新兴应用场景的增长潜力。在产品落地层面，罗姆采用“增长-发展-创新”的分层推进策略：增长层聚焦成熟高需求产品，快速兑现市场价值;发展层拓展潜力品类，培育中长期增长动能;创新层研发48V系统电源管理LSI、Solist-AI微控制器等前沿技术，以技术迭代驱动产业升级。依托与AMEYA360等核心分销平台的合作，罗姆的技术与产品得以高效触达中国市场，为本土电子产业的数字化、电动化转型提供核心支撑。　　03 总结　　能在半导体行业的激烈竞争中站稳脚跟，罗姆靠的正是前端服务与后端技术的双重硬实力，以及清晰的“核心突破 + 多元拓展”发展布局。从贴合客户需求的定制化服务，到IDM模式、核心技术构筑的深层壁垒，再到锚定汽车赛道、布局多板块、培育新支柱的精准战略，每一步都踩准了产业发展的节奏。　　而借助与AMEYA360的合作，罗姆也让优质的产品和技术更高效地触达国内市场，持续为本土电子产业的升级添力。相信凭借深厚的技术积淀与前瞻的布局，罗姆未来在全球功率与模拟半导体领域，还将持续释放更多价值。
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发布时间：2026-03-17 10:19 阅读量：259 继续阅读>>
<span style='color:red'>罗姆</span>半导体亮相AI PowerDC算力供电创新论坛 硬核电源方案赋能绿色AI服务器发展
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罗姆半导体亮相AI PowerDC算力供电创新论坛 硬核电源方案赋能绿色AI服务器发展

　　当前AI算力需求爆发式增长，数据中心供电向高效化、绿色化升级，800V高压直流架构渗透率提升，SST等核心技术加速迭代，行业面临技术革新与标准完善的双重需求。 基于此2026年4月25日“AI PowerDC 算力供电创新技术国际领军者论”将在深圳湾万丽酒店顺势召开，聚焦行业核心痛点，搭建技术交流与合作对接平台。　　全球知名半导体制造商罗姆半导体(ROHM)重磅亮相本次论坛，公司技术专家苏勇锦将于A会场11:20-11:50，发表题为《ROHM Power The Future of ECO AI Server》的主题演讲，深度解读AI服务器供电痛点，分享前沿电源技术解决方案，彰显罗姆在高端算力供电领域的核心技术实力。　　AI 硬件的急速成长，带来了数据中心对电力设施前所未有的负荷压力。Server Rack 单位消耗功率由数十~数百kW 向MW 级别的规模扩展，现有的48VDC 配电系统，以达到其物理性的、经济性的极限。为解决这一历史性的课题，包括HVDC电源架构等的技术变革正在发生。如何让AI服务器电源系统更节能，更高效，更智能，成为各大电源厂家和半导体厂家的目标和方向。罗姆半导体做为全球知名半导体制造商，充分利用常年以来积累的功率器件和模拟器件的技术经验，为AI服务器提供包括SiC，GaN，Si-MOS，DrMOS，模拟IC等电源解决方案，助力AI服务器向更加ECO的未来发展!　　4月25日AI算例论坛概要　　名称：AI PowerDC算力供电创新技术国际领军者论坛　　■主办：21世纪电源网　　■ 会场：深圳湾万丽酒店　　■ 时间：2026年4月25日　　■ 地址：广东省深圳市南山区粤海街道科技南路18号　　■交通：9号线高新南站A出口步行3分钟　　赞助企业
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发布时间：2026-03-12 17:50 阅读量：326 继续阅读>>
<span style='color:red'>罗姆</span>加强GaN功率器件供应能力
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罗姆加强GaN功率器件供应能力

　　~融合台积公司工艺技术，在集团内部建立一体化生产体系~　　中国上海，2026年3月2日——全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)今日宣布，决定将自身拥有的GaN功率器件开发和制造技术，与合作伙伴台积公司(TSMC)的工艺技术相融合，在集团内部建立一体化生产体系。通过获得台积公司的GaN技术授权，罗姆将进一步增强相应产品的供应能力，从而满足AI服务器和电动汽车等领域对GaN产品日益增长的需求。　　GaN功率器件具有优异的高电压和高频特性，有助于应用产品实现更高效率和更小体积，因此已被广泛应用于AC适配器等消费电子产品。此外，其在AI服务器的电源单元及电动汽车(EV)的车载充电器等高电压领域的应用也日益广泛，预计未来需求还将持续扩大。　　罗姆很早就开始着手开发GaN功率器件，并于2022年3月在罗姆滨松工厂建立了150V GaN的量产体系。在中等功率领域，罗姆在积极开展外部合作的同时不断完善供应体系。其中，台积公司是罗姆非常重要的 合作伙伴之一，自2023年起，罗姆就采用了台积公司的650V GaN工艺，双方还于2024年12月缔结了关于车载GaN的合作伙伴关系*1，并一直在不断深化合作关系。　　本次技术融合正是双方合作伙伴关系进一步深化的印证，在签订授权合同后，台积公司的工艺技术将转移给罗姆滨松工厂。罗姆计划在2027年内建立起相应的生产体系，以应对AI服务器等领域不断扩大的需求。　　随着技术转移的完成，双方关于车载GaN的合作伙伴关系将告一段落，但双方还将继续加强合作，共同致力于推动电源系统的效率提升和小型化。　　关于罗姆　　罗姆是成立于1958年的半导体电子元器件制造商。通过铺设到全球的开发与销售网络，为汽车和工业 设备市场以及消费电子、通信设备等众多市场提供高品质和高可靠性的IC、分立半导体和电子元器件产品。在罗姆自身擅长的功率电子领域和模拟领域，罗姆的优势是提供包括碳化硅功率元器件及充分地发挥其性能的驱动IC、以及晶体管、二极管、电阻器等外围元器件在内的系统整体的优化解决方案。进一步了解详情，欢迎访问罗姆官方网站：https://www.rohm.com.cn/　　关于EcoGaN™　　EcoGaN™是通过更大程度地发挥GaN的性能，助力应用产品进一步节能和小型化的罗姆GaN器件，该系列产品有助于应用产品进一步降低功耗、实现外围元器件的小型化、减少设计工时和元器件数量等。　　EcoGaN™系列于2023年被Delta Electronics, Inc.旗下品牌Innergie的45W交流适配器“C4 Duo”采用*2， 2024年又被Murata Power Solutions的AI服务器电源方案采用*3，正逐步应用于消费类产品及工业设备 领域。　　・EcoGaN™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。　　*1) 罗姆与台积公司在车载氮化镓功率器件领域建立战略合作伙伴关系　　*2) 罗姆的EcoGaN™被台达电子Innergie品牌的45W输出AC适配器“C4 Duo”采用　　*3) 罗姆的EcoGaN™被村田制作所Murata Power Solutions的AI服务器电源采用
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发布时间：2026-03-02 15:45 阅读量：350 继续阅读>>
<span style='color:red'>罗姆</span>漫画第三弹 | 突然现身！一濑学有对手了！？
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罗姆漫画第三弹 | 突然现身！一濑学有对手了！？

　　罗姆“R课堂”应各位工程师的要求，开启了全新漫画系列“Sugiken老师的电机驱动器课堂”!目的是让参与电机设备开发和设计的工程师，特别是面向三相无刷电机驱动电路亦或是初学者们告别从前枯燥无趣的文字，在轻松的漫画氛围中同样可以掌握电机驱动器知识。　　▶第一集我们跟着主人公一濑学，在Sugiken老师的课堂了解了电机驱动的相关内容，各位工程师可以点击下方前往查看详细内容~　　▶第二集Sugiken老师为大家介绍与电机相关的基础知识。　　第三集 突然现身!一濑学有对手了!?　　到上一篇为止，已经为大家介绍了电机的旋转原理和无刷电机的结构等内容。从本文开始，我将为大家介绍用来驱动无刷电机的电机驱动器的电路结构和工作。　　下面是本次讲解详细内容，请继续看下去吧!　　到上一篇为止，已经为大家介绍了电机的旋转原理和无刷电机的结构等内容。从本文开始，我将为大家介绍用来驱动无刷电机的电机驱动器的电路结构和工作。　　无刷电机驱动基础　　要想很好地驱动无刷电机，需要了解使电机绕组中流过电流的电路结构，并了解表示电流流动时间顺序的“时序图”中的波形含义，这些很重要。时序图是电机驱动器进行电机驱动控制时的重要规格图，可以从中了解转子位置与通电波形的关系，因此有必要充分理解。　　在这一集中，将为您介绍无刷电机驱动相关的三个基础知识：无刷电机驱动电路结构、无刷电机驱动电路的时序图和无刷电机驱动时序图的绘制方法。　　无刷电机驱动电路结构　　在前面介绍的“无刷电机的结构示例”中，我提到过无刷电机配有晶体管(电气开关)和用来控制开关工作的控制器。用来驱动无刷电机的电路，在实际应用中可能需要配备一些其他元器件来辅助电路工作。在这里，我将使用下图所示的常用电路结构来为大家介绍各个部件的作用及其工作。　　■ 控制IC(控制器)　　能够接收转子的位置信号并生成功率晶体管开关信号的电路。　　能够接收外部指令并对施加在绕组上的电压大小等进行控制。　　有些控制IC还具有电机转速控制等高级控制功能。　　■ 电平转换电路(栅极驱动器)　　将来自控制器的信号转换为使功率晶体管工作的信号(调整电压电平和极性)的电路。　　■ 功率晶体管(Power Tr)　　用来构建向电机绕组供电的电路。　　三相无刷电机中需要使用6个功率晶体管。连接电源正极的一侧称为高边　　(Hi侧/上侧/High Side)，连接电源负极(GND，接地)的一侧称为低边　　(Lo侧/下侧/Low Side)。例如这样的表述：“将三个高边晶体管全部关闭”。　　■ 位置检测器(霍尔器件)　　检测转子的位置。在这里我以霍尔器件为例进行介绍。除了霍尔器件外，还有编码器和旋转变压器等位置检测器。　　还有一种称为“无传感器驱动”的技术，这种技术不使用位置检测器，而是根据绕组的电压和电流大小等信息来推算转子位置。　　在实际的电机电路板上，会配有集成了控制IC和电平转换电路的IC、集多个功率晶体管于一身的一体化封装晶体管等产品。另外，霍尔器件会被配置在容易检测永磁体磁通量的位置。此外，还会配备各IC的外置部件所需的电阻和电容等元器件。但是，在电路简图中，可以简化为上图所示的“电路结构”(※在IC的规格书中给出的应用电路示例等电路图中，基本上会包含外围元器件)。　　在下一篇中，我将通过驱动电路输出的电信号和绕组作为电磁体而产生的磁场，为大家介绍无刷电机是如何旋转的。　　本文的关键要点　　・要驱动无刷电机，需要了解电机驱动器的电路结构和时序图。　　・时序图是电机驱动控制的重要规格图，需要扎实掌握。　　・无刷电机驱动电路主要由控制IC、电平转换电路(栅极驱动器)、功率晶体管和位置检测器组成。　　・除霍尔器件外，还有编码器和旋转变压器等位置检测器。　　・还有一种称为“无传感器驱动”的技术，这种技术不使用位置检测器，而是根据绕组的电压和电流等信息来推算位置。　　・在实际的电机电路板上，多会配有集成了控制IC和电平转换器的IC、集多个功率晶体管于一身的一体化封装晶体管等产品。　　无刷电机驱动电路的时序图　　要想很好地驱动无刷电机，了解时序图中的波形含义是非常重要的。时序图是电机驱动控制用的规格说明图。在本文中，我将为大家介绍时序图中的每个波形的含义。　　电机是随着施加于绕组的电压和所流过的电流的变化而旋转的。表示使电机旋转时的电信号变化的图称为“时序图”。在表示逻辑电路的工作等情况下也会用到“时序图”这个术语，在本文中是指电机驱动的时序图。　　时序图是以转子位置(电角度)为横轴来表示各电路的主要信号的。在时序图中，当信号为数字信息时，通常用Hi或Lo两个值来表示。在下面的时序图中，霍尔信号和UH等的实际电压值各不相同，这些不同本应该体现在波形的高度上，但由于希望表达出来的是Hi或Lo，因此很多情况下并没有在波形中体现出来。　　在这里，作为示例，给出了与前述有刷电机的工作几乎相同的无刷电机驱动电路的时序图。希望执行这样的工作时，最好将霍尔器件安装在下图所示位置。后面会讲到为什么这个位置更好，在这里只要知道最好安装在这里即可。接下来，我通过下图来进行具体介绍。　　无刷电机驱动电路的时序图(1)：绕组端子的电压　　首先，设上图中的转子位置在时序图的左端，角度为0度(参见图底部的刻度值)。当电机从此处向左(逆时针方向)旋转时，每个电路信号的变化如时序图所示。下面对信号的进行简要说明：　　■ 向控制IC输入：霍尔U、V、W　　霍尔器件根据对面的磁极来输出Hi/Lo信号。在IC中，可根据3枚霍尔器件的Hi/Lo逻辑将转子位置分为6处(参见时序图顶部的数字编号)。　　例：{U、V、W｝=分度1{Lo、Hi、Lo｝、分度2{Lo、Hi、Hi｝～分度6{Hi、Hi、Lo｝　　■从控制IC输出：UH～WL　　控制IC根据上述分度信息生成晶体管ON/OFF指令信号UH～WL。　　虽然图示中没有列出，但从UH～WL的信号会传递至电平转换部，由电平转换电路转换为晶体管可以接收(可以驱动晶体管)的信号　　■晶体管部分：U、V、W绕组电压　　功率晶体管以UH～WL信号为指令进行ON/OFF(指令为Hi时ON，指令为Lo时OFF)。此工作决定了绕组端子的电压。　　高边和低边晶体管均OFF时，绕组端子电压处于开路状态(这里本应看到的波形将在后面进行介绍)。　　前面提到的“动作几乎与有刷电机相同”是指该绕组电压的模式相同。　　无刷电机驱动电路的时序图(2)：电压模式产生的电磁场　　前面的图中显示了绕组端子的电压。接下来，我将使用下图来讲解通过施加这种绕组端子电压，在什么位置产生电磁体，以及转子是如何旋转的。　　第一张图是表示电流方向与N极/S极关系的示意图。要想很好地理解后续要介绍的时序图和1～6分度的转子位置解说，需要先了解第一张示意图中的关系。　　首先，在图中的分度1中，电源电压施加在U相绕组上，V相绕组接地(以下简称“GND”)。也就是可以理解为电流从U相流向V相。　　另外，如果U相绕组为N极，则V相绕组为S极(假设是这样绕制的)。当转子处于1分度的位置时，如果绕组的磁极如上所示，则转子将逆时针旋转。　　当转子转动，霍尔信号W的极性切换后，进入分度2。在这里，电流从U相流向W相，绕组的磁场如上图所示进行切换。此时转子也是逆时针旋转。　　转子通过反复“产生磁场”→“转子旋转”→“霍尔信号切换”→“产生下一模式的磁场”→“转子旋转”→“霍尔信号切换”而连续旋转。这是该时序图所显示的工作情况。　　对了，讲解内容读到这里，有些人可能会有疑惑：讲解的角度是否反了呢?的确，如果是讲解电路工作的话，按照上述思路是没问题的，但是从驱动电机的角度来看，应该是按照“希望在能让转子转动的位置产生磁场”→“以这种方式控制晶体管的ON/OFF” → “在必要的位置安装霍尔器件”的思路进行。在下一篇中，我将按照这个思路为大家介绍如何绘制时序图。　　本文的关键要点　　・时序图是电机驱动控制用的规格说明图，因此理解其中的波形含义是非常重要的。　　・本文通过时序图显示了用来使电机旋转的施加电压模式，以及由此产生的电磁场。　　无刷电机时序图的绘制方法　　在上一篇文章中，我从控制IC入手，从电路工作的角度为大家讲解了电机的工作机制。通过这些内容，我想大家应该已经了解了整个电路的运作情况。在本文中，我将更进一步，来讲解为什么信号会形成这样的时序。实际上，在电机驱动器的开发和设计过程中，要想绘制(可能用“创建”更贴切吧)出能够实现自己预期性能(比如使电机高效且安静地旋转)的时序图，从这个方向进行思考是非常重要的。　　首先应该掌握的是，相对于转子(永磁体)，应该在什么位置产生电磁体的磁场更好。例如，如果希望逆时针旋转，那么就需要在永磁体N极左侧的适当位置创建电磁体的S极。然而，仅仅如此并不能说是最优的，除此之外还要求电机能够以尽可能少的功率(电能)产生所需的转矩(机械能)。这会受电机要素特性(如增加磁体的磁力)的影响，也受永磁体与电磁体的相对位置(角度)的影响。因此，重要的是要确切地知道创建电磁体的位置，而不仅仅是知道配置在左侧。　　关于永磁体转子和电磁体定子产生的转矩，适用下图所示的理论。从下图可以看出，电机产生的转矩取决于磁体磁场与绕组(电磁体)磁场之间的相对角度θ，通过sinθ计算(假设绕组产生的磁场和永磁体产生的磁场的大小是恒定的)。　　理论上，在磁场的相对角度为90度时转矩最大。因此，相对于转子磁场方向，最好使绕组磁场的方向在该角度附近。　　基于该理论，我们根据可能的条件来思考，在实机应用中应该以怎样的时序来产生绕组磁场才算好。首先，我们在“电机的极数与槽数、机械角度与电角度”一文中，了解过可以利用3枚霍尔器件的极性信号，以60度间隔的电角度来区分转子位置。还有，通过施加在绕组端子上的电压组合，可以在6个方向上产生绕组磁场，这在“无刷电机驱动电路的时序图”的“无刷电机驱动电路的时序图(2)：电压模式产生的电磁场”中也提到过。由此可见，根据转子的6个位置(范围)，正好可以选择6个方向的绕组磁场。　　那么，在每个转子位置应产生多大相对角度的绕组磁场呢?如果要想获得较大的转矩，那么相对角度范围应在60～120度之间比较好。当转子旋转并超出该范围后，电机将会进入下一个绕组磁场模式(下图)。　　我们基于这个思路，从下往上看下面给出的时序图。换句话说，我们需要根据转子的位置和转动情况来确认各信号处于什么样的状态(必须处于哪种状态)。　　针对时序图最右侧灰色箭头所示的1～5，说明如下：　　首先，U、V、W绕组的磁极是由转子的位置来决定的。从图中可以看出，在这个转子位置上转矩最大，需要在该位置前后30度区间产生相同的磁场。　　接下来，确定产生该绕组磁场的电流方向。电流方向与施加在绕组上的电压方向一致。例如，如果电流从U相流向V相以使U为N极、V为S极的话，那么U相绕组端子电流为正，V相电流为负(GND)。　　要想这样向绕组施加电压，需要使U相的高边晶体管和V相的低边晶体管导通。因此，将UH和VL的信号置Hi。此时，其他信号为Lo。其他转子位置也是用同样的思路，来确定从UH到WL的信号逻辑。　　接下来，为了能够如图所示切换从UH到WL的6个信号，最好使原来的霍尔信号在图示位置进行切换。顺便提一下，这里每个信号的Hi/Lo的切换位置都很重要，并不是必须实现和上图完全一样的霍尔U、V、W波形(只要知道转子的6个位置位置，那么其他逻辑组合也可以)。　　为了在该转子位置切换霍尔信号，应在上图所示的位置安装霍尔器件。对于此处的安装位置而言，相对于绕组的角度是非常重要的。径向位置需要另行单独考虑。　　如上所述，无刷电机的时序图以及相应的霍尔器件安装位置就是这样决定的。这种工作模式与有刷电机一样的时序图，在无刷电机驱动控制中被称为“120度激励”。由于这种控制方式比较简单而得以广泛应用，不过目前已经针对无刷电机的驱动控制，设计出了其他多种激励模式。也可以说，这种方式与使用换向器的机械开关的结构不同，现在已经可以使用控制IC来调整激励模式了。其他的激励模式我会另行介绍。　　那么至此，已经分三篇讲解了无刷电机的驱动电路结构和时序图，不知您是否已经理解?从下一篇开始，我将围绕120度激励的电机驱动工作，稍微详细地讲解一下此前没有介绍过的电机实际特性。　　本文的关键要点　　在电机驱动器的开发和设计过程中，绘制出能够实现自己预期性能(比如使电机高效且安静地旋转)的时序图是非常重要的。　　要想使无刷电机按预期旋转，基于时序图确定位置检测器(这里为霍尔器件)的安装位置也是很重要的工作。
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发布时间：2026-03-02 15:28 阅读量：354 继续阅读>>
参会有礼 | <span style='color:red'>罗姆</span>车载应用产品解析
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参会有礼 | 罗姆车载应用产品解析

　　罗姆的产品体系丰富全面，涵盖小信号、低压及高压MOSFET等多种类型，能够精准匹配并满足不同市场的多样化需求，其应用场景广泛，涉及工控、光伏以及车载等关键领域。　　本次将重点为大家介绍罗姆专为汽车应用打造的低压MOSFET与高压IGBT产品。扫描海报二维码即可报名，参与还有机会赢取精美礼品!　　1、研讨会概要　　- MOSFET系列产品　　1. 封装技术发展及介绍　　2. 产品阵容及封装优势　　3. 全球化生产及产能布局　　- IGBT系列产品　　1. 产品发展路线图　　2. 产品阵容及封装优势　　2、研讨会主题　　车载应用端的低压MOSFET和高压IGBT　　3、研讨会时间　　2026年1月21日上午10点　　4、研讨会讲师倪敏(高级经理)　　2010年加入罗姆，现任罗姆半导体(上海)有限公司 中国技术中心高级经理。 统管中国华东区车载功率器件的技术支持团队。　　多年来负责中国区大客户的技术支持和应用解决方案提供，并在车载市场，有着丰富经验。特别对功率器件相关行业有深入了解和独特见解，曾多次在各种电子行业大型展会以及专业技术研讨会上发表技术报告。2021年6月Bodo's功率系统封面故事中发表《Hybrid IGBT在图腾柱PFC中的应用》。　　5、官方技术论坛　　不仅是Webinar相关内容，所有ROHM的产品和技术都可以在“ROHM官方技术论坛(ESH)”向ROHM的工程师直接提问。期待您的使用!　　相关产品页面　　· 安装可靠性高的10种型号、3种封装的车载Nch MOSFET：https://app.jingsocial.com/track/generalLink/linkcode/d55b1db91ee7385d739f4192ec1a0b1e/mid/858　　· 实现业界超低损耗和超高短路耐受能力的1200V IGBT：https://app.jingsocial.com/track/generalLink/linkcode/6aa5e3445235ef744f85ce2c43ff6290/mid/858　　· MOSFET产品列表：https://app.jingsocial.com/track/generalLink/linkcode/93367cfdb506c0187bbd05b16b1f2f69/mid/858　　· IGBT产品列表：　https://app.jingsocial.com/track/generalLink/linkcode/fb4747ae60a02064853d185b8304a15e/mid/858　　相关产品资料　　面向车载应用的产品目录:　　https://qiniu-static.geomatrixpr.com/rohmpointmall/public/static/uploads/log/20250317/3a8104a096ca6d2a3921557a3300518a.pdf　　晶体管的种类和特征:　　https://qiniu-static.geomatrixpr.com/rohmpointmall/public/static/uploads/log/20240710/153c68e9e5a02025c88252f3c3516b00.pdf　　罗姆功率半导体产品概要:　　https://qiniu-static.geomatrixpr.com/rohmpointmall/public/static/uploads/log/20250122/b6f2be0a6c2155a4e0d393fef33533cc.pdf　　好礼来袭　　互动礼　　观看研讨会并参与提问即有机会获取小米鼠标1个，共计15份。　　宣传礼　　转发研讨会文章/海报，同时将截图私信至罗姆微信公众号即有机会获取精美礼品1份。　　专业微信群　　标签打印机(30份)　　微信朋友圈　　车载手机支架(20份)　　邀约礼　　分享本次研讨会，邀请5位好友报名，并将好友报名手机号分享至罗姆公众号后台，即有机会获取30元京东卡1份，共计20份。　　注意事项　　1. 请注意，想获得以上好礼都需要报名研讨会并关注“罗姆半导体集团”微信公众号(微信号：rohmsemi)。　　2. 每位用户仅可领取一种奖品，报名信息须真实有效。　　3. 活动最终解释权归罗姆半导体集团所有。
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火热报名中！<span style='color:red'>罗姆</span>车载应用端的低压MOSFET和高压IGBT
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火热报名中！罗姆车载应用端的低压MOSFET和高压IGBT

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发布时间：2026-01-08 15:35 阅读量：558 继续阅读>>
<span style='color:red'>罗姆</span>2025重点产品特辑：技术驱动·赋能未来
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罗姆2025重点产品特辑：技术驱动·赋能未来

　　当2025年的进度条拉满，2026年的新篇已在指尖展开。过去一年，全球半导体产业在人工智能、智能汽车与高性能计算的多元需求驱动下，技术迭代持续提速。从AI算力的爆发到高端制造的精进，从材料革新到器件升级，每一次技术迭代都在重新定义产业边界。此刻，让我们聚焦核心亮点，共同盘点这一年的“芯”意之作。　　01 SiC领航，构筑高效能源基石　　在追求理想能效的过程中，碳化硅(SiC)产品及技术是罗姆的核心引擎。2025年，罗姆推出了系列重磅产品，为光伏、电动汽车、服务器电源等关键领域提供硬核支持。　　二合一SiC模块 DOT-247　　该模块适合光伏逆变器、UPS和半导体继电器等工业设备的应用场景。　　查看新闻　　高功率密度的新型SiC模块 HSDIP20　　适用于xEV(电动汽车)车载充电器的PFC和LLC转换器等应用。　　查看新闻　　TOLL封装的SiC MOSFET：SCT40xxDLL 系列　　该产品非常适用于功率密度日益提高的服务器电源、ESS(储能系统)以及要求扁平化设计的薄型电源等工业设备。　　查看新闻　　02 MOSFET迭代，驱动汽车与AI服务器发展　　MOSFET是电力转换的基石。罗姆的MOSFET产品线实现了车载高可靠与AI服务器高效能的双轨并进，以精准的技术迭代，推动两大前沿产业的蓬勃发展。　　车载40V/60V MOSFET高可靠性小型新封装产品　　新封装产品与车载低耐压MOSFET中常见的TO-252(6.6mm×10.0mm)等封装产品相比，体积可以更小，通过采用鸥翼型引脚，提高了其在电路板上安装时的可靠性。另外，通过采用铜夹片键合技术，还能支持大电流。　　查看新闻　　适用于AI服务器的宽SOA范围5×6mm小尺寸MOSFET　　适用于采用48V电源AI服务器的热插拔电路，以及需要电池保护的工业设备电源等应用。　　查看新闻　　适用于AI服务器48V电源热插拔电路的100V功率MOSFET　　具有业界超宽SOA范围的MOSFET，并且实现了更低导通电阻，从而大幅降低了通电时的功率损耗和发热量。　　查看新闻　　更多MOSFET系列产品，点击查看　　实现业界超低导通电阻的小型MOSFET　　适用于AI服务器等高性能服务器电源的MOSFET　　03 多元布局　　赋能更广阔的应用版图　　除上述产品外，罗姆在汽车电子、工业控制及消费电子等广泛领域同样提供多款关键元器件与解决方案，以完整的产品生态支持系统创新。　　- 高精度检测与保护：金属烧结分流电阻器、高精度电流检测放大器、保护用肖特基势垒二极管，为系统提供可靠的电流感知与电路保护。　　- 智能控制与驱动：适用于Zone-ECU的高性能智能高边开关、通用电机驱动IC、三相无刷电机驱动器IC，实现更智能、更高效的功率控制与运动控制。　　- 环境感知与信号处理：搭载VCSEL的高速接近传感器、超小尺寸CMOS运算放大器、近红外LED及小型热敏打印头，实现环境感知、信号调理到信息输出的全功能覆盖。　　未来，罗姆将持续聚焦前沿技术突破，携手生态伙伴，共同推动半导体产业迈向更高能效、更广场景的下一阶段。让我们在新的一年里，继续以“芯”之力，共赴新程。
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发布时间：2026-01-08 14:50 阅读量：544 继续阅读>>
<span style='color:red'>罗姆</span>研讨会速递！车载应用产品介绍
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罗姆研讨会速递！车载应用产品介绍

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