受“封国”影响,半导体大厂英飞凌交期至少延伸到7月?!

发布时间:2021-06-16 00:00
作者:
来源:ESM
阅读量:1795


由于疫情防控升级,马来西亚政府在6月11日宣布再次延长全国封锁时间,即从6月14日延长到6月28日。换言之,整个6月马来西亚几乎陷入停顿。马来西亚是全球半导体封测重镇,同时聚集了许多被动元器件厂商,“封国”举措或将一再拉长全球芯片和被动器件的货期,进一步加剧半导体供需的紧张氛围。

为了缓解客户对货期的焦虑,在马来西亚拥有晶圆厂和封测厂的全球功率器件龙头英飞凌,疑似在6月15日发布了一份名为《业务连续性客户通知》函。

受“封国”影响,半导体大厂英飞凌交期至少延伸到7月?!

据读者提供的通知函截图看到,英飞凌首先强调道,除了马六甲州,目前英飞凌所有的生产基地都在全面运行,遵守各国家和地区的安全和健康法规,以帮助遏制冠状病毒的传播。其次,英飞凌针对处于疫情较为严重的东南亚地区的工厂防疫情况作了详细的报告。

(1)在马来西亚,英飞凌位于马六甲州(组装和测试基地)和居林州(晶圆和测试基地)的两座工厂被授予重要工业地位,因此通常被允许运营。

当然,为了配合当地卫生部门的防疫工作,马六甲州的工厂在6月2日短暂关闭。截至到6月8日,英飞凌已经获得了进入并操作8个生产区块的许可。尽管如此,在接下来的几天工厂员工要做全员核酸检测以及部分隔离,同时也要对所有生产区域进行消毒,这些防疫举措都将导致现场人员非常有限、生产不能恢复如前,预计所造成的生产损失累计为2-3周(即交期至少延伸到7月份)。

在居林州的工厂,一些雇员受到感染,许多人被隔离,导致能力下降。英飞凌正在尽一切努力尽可能减少由此造成的产量延误。如有需要,英飞凌将筛选一个BCCN,以便能够立即使用第二来源生产伙伴。

(2)在菲律宾,目前不同的地区处于不同程度的社区隔离。英飞凌称暂时没有看到这些隔离措施对其卡威特的组装和测试工厂造成任何影响。

(3)在台湾地区,供应商也受到当地COVID-19限制的影响,正在减少产量。但对于英飞凌产能影响几何,目前正在评估。

最后英飞凌强调,目前他们正在不断评估其全球材料供应情况,并且密切关注全球运输限制,尽可能确保货期的稳定。同时也欢迎业者针对进一步的问题与其取得联系,英飞凌的重点是保持业务的连续性。

无独有偶,缺货和涨价可以说是一对“孪生兄弟”。近日在市场渠道有传出,英飞凌正在酝酿新一轮产品涨价,MOSFET的涨幅将有12%,预计本月中旬执行。

这一传闻的依据有:一,已有多家功率半导体厂商在近期发布了涨价通知。包括:ST宣布全系列产品将于6月1日开始涨价;安森美也宣布部分产品价格上调,生效日期定于今年7月10日;安世半导体宣布于6月7日提高公司产品价格。二,目前市场对二三极管、晶体管、低中高压MOSFET、IGBT等功率半导体产品的需求依然很旺盛,部分进口产品的交期长达52周,国产产品的交期长达三个月。加之受马来西亚“封国”影响,货期还有可能更拉长,所以涨价也符合市场预期。

但对于这一涨价传闻,截至发稿英飞凌没有正面回应。同时AMEYA360也未能找到相应的涨价通知函。

因此初步断定,这一传闻应该是个别业者的推测,具体情况应等待英飞凌官方消息。

注:图文源自网络,如有侵权请联系删除!

(备注:文章来源于网络,信息仅供参考,不代表本网站观点,如有侵权请联系删除!)

在线留言询价

相关阅读
英飞凌:光伏混合逆变器用Easy模块
英飞凌600 V CoolMOS™ 8 新一代硅基MOSFET技术助力电力电子行业变革
  在日新月异的电力电子行业,对更高效、更强大、更紧凑元器件的需求持续存在。对于新一代硅基MOSFET,英飞凌进行了巨大的研发投入,以重新定义系统集成标准,使其在广泛的电力电子应用中能够实现更高功率密度和效率。  在英飞凌,CoolMOS™ 8的推出意味着这些投入已经取得了成效。它是一项先进的MOSFET技术,集成快速体二极管,能够让设计人员和工程师前所未有地获益。该技术是对英飞凌现有宽禁带半导体技术的有力补充,将对数据中心、可再生能源和消费电子等行业产生深远影响。  在了解关键特性和益处之前,我们先来看看CoolMOS™ 8的起源。CoolMOS™ 8是英飞凌新一代硅基MOSFET技术,旨在取代现有的高/低功率开关电源(SMPS)的CoolMOS™ 7产品系列。它是CoolGaN™和CoolSiC™宽禁带半导体技术的有力补充。该产品组合将使设计人员能够满足不同类型的电力电子应用需求。CoolMOS™ 8主要面向消费和工业终端市场;这意味着,该系列并未包含适用于汽车应用的器件。汽车应用的设计人员可以继续使用现有的车规级CoolMOS™ 7器件。  CoolMOS™ 8的创新之处在于,该系列所有器件中都集成了快速体二极管,使得设计人员能将该系列产品用于目标应用中的所有主要拓扑。600 V CoolMOS™ 8产品系列具有完善的产品组合,英飞凌最先将供应直插封装、表面贴装和顶部冷却(TSC)器件。CoolMOS™ 8 MOSFET还比同类竞品具有更高的电流处理能力,且拥有最小的导通电阻(RDS(on))与面积乘积。  但这对设计人员和工程师意味着什么呢?CoolMOS™ 8在最终面向消费和工业市场推出后,将大大简化英飞凌客户的产品选型;因为相比已有的CoolMOS™ 7产品系列,它的产品数量减少了50%以上。在CoolMOS™ 7产品系列下,拥有快速体二极管的器件通过在产品名称中包含“FD”来进行区分。CoolMOS™ 8系列下的所有产品都拥有快速体二极管(无论导通电阻(RDS(on))值为何),这意味着它无需再遵循之前的命名规则。  当前供应的600 V CoolMOS™ 8产品组合(2024年)  CoolMOS™ 8 的关键特性  上面我们回顾了一些产品开发背景和原理,现在我们来看看CoolMOS™ 8的一些关键特性。这包括用于谐振拓扑的最佳快速体二极管性能,先进芯片焊接技术,以及创新的顶部冷却(TSC)封装技术。  相比CoolMOS™ 7系列同类器件,CoolMOS™ 8技术的关断损耗(Eoss)降低10%,输出电容(Coss)降低50%。CoolMOS™ 8器件相比CoolMOS™ 7还将热阻降低至少14%,大大改进了热性能。能够实现这一改进,是因为使用了英飞凌专有的互连技术(.XT),该技术提高了将硅芯片连接至引线框架时的热导率。这些性能优势使得CoolMOS™ 8比CoolMOS™ 7 具有更高效率。  (3.3 kW)LLC级与(2.5 kW)PFC级之间的相对效率比较  CoolMOS™ 8 MOSFET采用的创新ThinTOLL 8 × 8封装,相比ThinPAK 8 × 8封装具有更优的性能,有助于保持引脚兼容性。ThinTOLL 8 × 8封装占板面积小,有助于实现高功率密度;且充分利用了英飞凌先进的互连技术,提高了热性能。ThinTOLL封装尽管尺寸小巧,但在电路板温度循环试验中的故障率与采用TOLL封装的器件非常接近,且二者具有几乎相同的性能因数。  新ThinTOLL 8 × 8封装与ThinPAK 8 × 8封装的尺寸比较  封装的升级不仅有助于实现大批量组装和改进电路板设计,还通过帮助实现高引脚数器件的全自动处理,使得在成本高昂的组装工厂进行光学焊接检测更容易。凭借在最近七年里累计交付的超过67亿颗器件中,仅有过5次现场故障,CoolMOS™ 8无疑巩固了英飞凌在可靠性方面的卓越声誉。  对系统集成的益处  CoolMOS™ 8对系统集成的益处,可通过英飞凌利用该系列器件进行的参考设计来证明。例如,一台3.3 kW高频率和超紧凑整流器可达到97.5%的效率,以及95 W/in3的功率密度,尺寸为1U时也是如此。能达到如此高的工作效率和功率密度,是因为在设计中联合使用了CoolMOS™ 8、CoolSiC™及CoolGaN™ 技术;它采用了创新的集成式平面磁性结构,并对图腾柱功率因数校正(PFC)级和半桥GaN LLC DC/DC功率变换级进行完全数字化控制。  单独提供的2.7 kW配套评估板展示了利用无桥图腾柱PFC和LLC DC/DC功率变换级构建的高效率(>96%)电源装置(PSU)。这一高功率密度的设计联合使用了650 V CoolSiC™和600 V CoolMOS™ 8开关技术。该PSU可利用XMC1404控制器(控制PFC级)和XMC4200控制器(控制LLC级)进行数字化控制,使得可以控制和调整PFC开关频率,以进一步减小电感器尺寸,和/或降低功耗。试验表明,该PSU在高负载条件下的效率提高了0.1%,使其相比利用CoolMOS™ 7 MOSFET构建的类似设计,拥有更低功耗和更好的散热性能。  当前供应的评估板(2.7-kW PSU和3.3-kW HD/HF SMPS)  主要应用  CoolMOS™ 8器件是工业和消费市场中不同SMPS应用的理想选择。但它们仍然尤其适用于数据中心和可再生能源等重要终端市场。在数据中心应用领域,CoolMOS™ 8通过实现利用硅器件可能达到的、尽可能最高的系统级功率密度,来帮助设计人员达成能源效率和总拥有成本目标。在可再生能源应用领域,采用顶部冷却(TSC)封装的CoolMOS™ 8器件,可帮助减小系统尺寸和降低解决方案成本。  面向目标应用的DDPAK和QDPAK封装产品  由于600 V CoolMOS™ 8还拥有极低的导通电阻(RDS(on))值(7 mΩ),因此在日益壮大的固态继电器应用(S4)市场,它适合作为替代CoolSiC™ 的、更具性价比的技术。相比机械继电器,固态继电器拥有更快开关速度,不产生触点拱起或弹跳,因而能够延长系统寿命。它们还具有良好的抗冲击、抗振动能力,以及低噪声。  另外,通过将CoolMOS™ 8与CoolSiC™ 器件结合使用,设计人员还可优化系统级性价比。对于2型壁挂式充电盒、轻型电动交通工具、无线充电器、电动叉车、电动自行车和专业工具充电,CoolMOS™ 8还可帮助实现更具成本竞争力的设计。在更宽泛的消费类应用领域,CoolMOS™ 8可让终端产品更容易满足静电放电要求,并助力实现更灵活的系统设计。与此同时,顶部冷却(TSC)封装还有助于进一步降低组装成本,并提高功率密度。  与先进MOSFET设计有关的  下一步计划  我们不久就会推出用于驱动CoolMOS™ 8 MOSFET的新一代栅极驱动器,使其能够在开关应用中实现最优的RDS(on)性能。这些EiceDRIVER™栅极驱动器将具有单极驱动能力,以及封装共模瞬变抗扰度(@600 V),能够帮助简化系统认证与合规。由于厚度减小,CoolMOS™ 8器件非常适合使用QDPAK TSC封装,甚至可被置于散热片的下面。英飞凌还计划在未来几年内推出采用多种不同封装的CoolMOS™ 8 MOSFET。  600 V CoolMOS™ 8新一代硅基MOSFET技术的推出,推动电力电子领域取得了一次重大进展。集成快速体二极管、先进芯片焊接技术以及创新封装技术等重要配置,凸显出英飞凌致力于提供先进解决方案以满足设计人员和工程师的更高需求的坚定决心。通过极低的现场故障率可以证明,这项技术还具有良好的热性能及可靠性。  随着CoolMOS™ 8器件逐渐出现在不同的SMPS应用中,尤其是数据中心和可再生能源等应用领域,它们将帮助实现更节能、更紧凑和更具性价比的设计。未来,通过充分发挥CoolMOS™ 8 MOSFET与即将推出的新一代栅极驱动器之间的协同作用,英飞凌将采取一体化方法来推进MOSFET的设计和应用。这一旅程将帮助巩固英飞凌的半导体技术领先地位,并为未来的发展奠定坚实基础。
2024-08-08 09:16 阅读量:453
英飞凌推出可直接驱动的单端反激式辅助电源用 1700V CoolSiC™ MOSFET
2024-08-07 11:07 阅读量:485
英飞凌:650V高速半桥栅极驱动器2ED2388S06F
  • 一周热料
  • 紧缺物料秒杀
型号 品牌 询价
RB751G-40T2R ROHM Semiconductor
TL431ACLPR Texas Instruments
BD71847AMWV-E2 ROHM Semiconductor
CDZVT2R20B ROHM Semiconductor
MC33074DR2G onsemi
型号 品牌 抢购
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 Infineon Technologies
BP3621 ROHM Semiconductor
TPS63050YFFR Texas Instruments
ESR03EZPJ151 ROHM Semiconductor
BU33JA2MNVX-CTL ROHM Semiconductor
STM32F429IGT6 STMicroelectronics
热门标签
ROHM
Aavid
Averlogic
开发板
SUSUMU
NXP
PCB
传感器
半导体
相关百科
关于我们
AMEYA360微信服务号 AMEYA360微信服务号
AMEYA360商城(www.ameya360.com)上线于2011年,现 有超过3500家优质供应商,收录600万种产品型号数据,100 多万种元器件库存可供选购,产品覆盖MCU+存储器+电源芯 片+IGBT+MOS管+运放+射频蓝牙+传感器+电阻电容电感+ 连接器等多个领域,平台主营业务涵盖电子元器件现货销售、 BOM配单及提供产品配套资料等,为广大客户提供一站式购 销服务。