永铭电容器为<span style='color:red'>英飞凌</span>CoolMOS™ 8赋能：提升服务器性能的强劲后盾
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永铭电容器为英飞凌CoolMOS™ 8赋能：提升服务器性能的强劲后盾

　　01、英飞凌推出CoolMOS™ 8硅基MOSFET　　随着电力电子技术的进步，高效能和高功率密度解决方案的需求不断增加。英飞凌新推出的CoolMOS™ 8相较CoolMOS™ 7，显著提升了功率密度和效率，关断损耗降低10%、输出电容减少50%、热阻降低14%，在数据中心和可再生能源等领域表现出色。　　02、永铭电容器在服务器中的应用　　在数据中心中，电源效率和散热性能是提升系统整体性能的关键因素。使用英飞凌CoolMOS™ 8所设计的2.7kW PSU评估板专为数据中心服务器打造，凭借卓越的低功耗和出色的散热表现，为数据中心提供了高效的电源解决方案。　　为实现最佳的电源管理效果，电容器性能同样重要。永铭电容器在服务器电源应用中可提供以下支持：　　输入端(AC部分)解决方案：永铭液态牛角铝电解电容器CW3 450V 1200μF产品拥有大容量储能的同时还具备小尺寸的卓越优势，能够完美嵌入数据中心服务器电源方案中。　　输出端解决方案：永铭导电聚合物固态铝电解电容器NPL 16V 390μF产品，其低ESR和高频性能，能够快速响应电流变化，降低噪声并提升服务器效率。　　03、结语　　永铭电容助力英飞凌CoolMOS™ 8功率器件，显著提升服务器运行效率和速度。上海永铭电子不仅提供高品质的电容产品，还为客户提供全面的电容技术支持，以上产品已实现批量生产，确保快速供货能力。
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发布时间：2024-09-03 09:51 阅读量：469 继续阅读>>
<span style='color:red'>英飞凌</span>：光伏混合逆变器用Easy模块
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英飞凌：光伏混合逆变器用Easy模块

　　新品：光伏混合逆变器用Easy模块　　采用CoolSiC™ MOSFET和高性能AlN DCB的Easy模块，用于功率高达12千瓦的光伏混合逆变器。　　相关产品：　　· FS3L40R07W2H5F_B70　　EasyPACK™ 2B 650V、40A三电平NPC1全桥IGBT模块，配有CoolSiC™肖特基二极管650V、TRENCHSTOP™ 5 H5 IGBT、PressFIT压接技术和AIN DCB。　　第5代CoolSiC™肖特基二极管　　耐压能力650V　　导热性更好的AlN DCB　　· FS33MR12W1M1H_B70　　EasyPACK™ 1B CoolSiC™ MOSFET SixPACK三相桥模块，1200V，33mΩ，带NTC、PressFIT压接技术和AIN DCB。　　第一代增强型CoolSiC™ MOSFET　　模块杂散电感极低　　导热性更好的AlN DCB　　应用价值：　　·实现更高频率　　·出色的模块效率　　·提高系统效率　　·实现系统成本优势　　·降低冷却要求　　·更长的使用寿命和/或更高的功率密度　　竞争优势：　　·光伏混合逆变器完整解决方案，最大功率可达12千瓦　　应用领域：　　·光伏逆变器储能逆变器
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发布时间：2024-08-08 10:23 阅读量：476 继续阅读>>
<span style='color:red'>英飞凌</span>600 V CoolMOS™ 8 新一代硅基MOSFET技术助力电力电子行业变革
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英飞凌600 V CoolMOS™ 8 新一代硅基MOSFET技术助力电力电子行业变革

　　在日新月异的电力电子行业，对更高效、更强大、更紧凑元器件的需求持续存在。对于新一代硅基MOSFET，英飞凌进行了巨大的研发投入，以重新定义系统集成标准，使其在广泛的电力电子应用中能够实现更高功率密度和效率。　　在英飞凌，CoolMOS™ 8的推出意味着这些投入已经取得了成效。它是一项先进的MOSFET技术，集成快速体二极管，能够让设计人员和工程师前所未有地获益。该技术是对英飞凌现有宽禁带半导体技术的有力补充，将对数据中心、可再生能源和消费电子等行业产生深远影响。　　在了解关键特性和益处之前，我们先来看看CoolMOS™ 8的起源。CoolMOS™ 8是英飞凌新一代硅基MOSFET技术，旨在取代现有的高/低功率开关电源(SMPS)的CoolMOS™ 7产品系列。它是CoolGaN™和CoolSiC™宽禁带半导体技术的有力补充。该产品组合将使设计人员能够满足不同类型的电力电子应用需求。CoolMOS™ 8主要面向消费和工业终端市场;这意味着，该系列并未包含适用于汽车应用的器件。汽车应用的设计人员可以继续使用现有的车规级CoolMOS™ 7器件。　　CoolMOS™ 8的创新之处在于，该系列所有器件中都集成了快速体二极管，使得设计人员能将该系列产品用于目标应用中的所有主要拓扑。600 V CoolMOS™ 8产品系列具有完善的产品组合，英飞凌最先将供应直插封装、表面贴装和顶部冷却(TSC)器件。CoolMOS™ 8 MOSFET还比同类竞品具有更高的电流处理能力，且拥有最小的导通电阻(RDS(on))与面积乘积。　　但这对设计人员和工程师意味着什么呢?CoolMOS™ 8在最终面向消费和工业市场推出后，将大大简化英飞凌客户的产品选型;因为相比已有的CoolMOS™ 7产品系列，它的产品数量减少了50%以上。在CoolMOS™ 7产品系列下，拥有快速体二极管的器件通过在产品名称中包含“FD”来进行区分。CoolMOS™ 8系列下的所有产品都拥有快速体二极管(无论导通电阻(RDS(on))值为何)，这意味着它无需再遵循之前的命名规则。　　当前供应的600 V CoolMOS™ 8产品组合(2024年)　　CoolMOS™ 8 的关键特性　　上面我们回顾了一些产品开发背景和原理，现在我们来看看CoolMOS™ 8的一些关键特性。这包括用于谐振拓扑的最佳快速体二极管性能，先进芯片焊接技术，以及创新的顶部冷却(TSC)封装技术。　　相比CoolMOS™ 7系列同类器件，CoolMOS™ 8技术的关断损耗(Eoss)降低10%，输出电容(Coss)降低50%。CoolMOS™ 8器件相比CoolMOS™ 7还将热阻降低至少14%，大大改进了热性能。能够实现这一改进，是因为使用了英飞凌专有的互连技术(.XT)，该技术提高了将硅芯片连接至引线框架时的热导率。这些性能优势使得CoolMOS™ 8比CoolMOS™ 7 具有更高效率。　　(3.3 kW)LLC级与(2.5 kW)PFC级之间的相对效率比较　　CoolMOS™ 8 MOSFET采用的创新ThinTOLL 8 × 8封装，相比ThinPAK 8 × 8封装具有更优的性能，有助于保持引脚兼容性。ThinTOLL 8 × 8封装占板面积小，有助于实现高功率密度;且充分利用了英飞凌先进的互连技术，提高了热性能。ThinTOLL封装尽管尺寸小巧，但在电路板温度循环试验中的故障率与采用TOLL封装的器件非常接近，且二者具有几乎相同的性能因数。　　新ThinTOLL 8 × 8封装与ThinPAK 8 × 8封装的尺寸比较　　封装的升级不仅有助于实现大批量组装和改进电路板设计，还通过帮助实现高引脚数器件的全自动处理，使得在成本高昂的组装工厂进行光学焊接检测更容易。凭借在最近七年里累计交付的超过67亿颗器件中，仅有过5次现场故障，CoolMOS™ 8无疑巩固了英飞凌在可靠性方面的卓越声誉。　　对系统集成的益处　　CoolMOS™ 8对系统集成的益处，可通过英飞凌利用该系列器件进行的参考设计来证明。例如，一台3.3 kW高频率和超紧凑整流器可达到97.5%的效率，以及95 W/in3的功率密度，尺寸为1U时也是如此。能达到如此高的工作效率和功率密度，是因为在设计中联合使用了CoolMOS™ 8、CoolSiC™及CoolGaN™ 技术;它采用了创新的集成式平面磁性结构，并对图腾柱功率因数校正(PFC)级和半桥GaN LLC DC/DC功率变换级进行完全数字化控制。　　单独提供的2.7 kW配套评估板展示了利用无桥图腾柱PFC和LLC DC/DC功率变换级构建的高效率(>96%)电源装置(PSU)。这一高功率密度的设计联合使用了650 V CoolSiC™和600 V CoolMOS™ 8开关技术。该PSU可利用XMC1404控制器(控制PFC级)和XMC4200控制器(控制LLC级)进行数字化控制，使得可以控制和调整PFC开关频率，以进一步减小电感器尺寸，和/或降低功耗。试验表明，该PSU在高负载条件下的效率提高了0.1%，使其相比利用CoolMOS™ 7 MOSFET构建的类似设计，拥有更低功耗和更好的散热性能。　　当前供应的评估板(2.7-kW PSU和3.3-kW HD/HF SMPS)　　主要应用　　CoolMOS™ 8器件是工业和消费市场中不同SMPS应用的理想选择。但它们仍然尤其适用于数据中心和可再生能源等重要终端市场。在数据中心应用领域，CoolMOS™ 8通过实现利用硅器件可能达到的、尽可能最高的系统级功率密度，来帮助设计人员达成能源效率和总拥有成本目标。在可再生能源应用领域，采用顶部冷却(TSC)封装的CoolMOS™ 8器件，可帮助减小系统尺寸和降低解决方案成本。　　面向目标应用的DDPAK和QDPAK封装产品　　由于600 V CoolMOS™ 8还拥有极低的导通电阻(RDS(on))值(7 mΩ)，因此在日益壮大的固态继电器应用(S4)市场，它适合作为替代CoolSiC™ 的、更具性价比的技术。相比机械继电器，固态继电器拥有更快开关速度，不产生触点拱起或弹跳，因而能够延长系统寿命。它们还具有良好的抗冲击、抗振动能力，以及低噪声。　　另外，通过将CoolMOS™ 8与CoolSiC™ 器件结合使用，设计人员还可优化系统级性价比。对于2型壁挂式充电盒、轻型电动交通工具、无线充电器、电动叉车、电动自行车和专业工具充电，CoolMOS™ 8还可帮助实现更具成本竞争力的设计。在更宽泛的消费类应用领域，CoolMOS™ 8可让终端产品更容易满足静电放电要求，并助力实现更灵活的系统设计。与此同时，顶部冷却(TSC)封装还有助于进一步降低组装成本，并提高功率密度。　　与先进MOSFET设计有关的　　下一步计划　　我们不久就会推出用于驱动CoolMOS™ 8 MOSFET的新一代栅极驱动器，使其能够在开关应用中实现最优的RDS(on)性能。这些EiceDRIVER™栅极驱动器将具有单极驱动能力，以及封装共模瞬变抗扰度(@600 V)，能够帮助简化系统认证与合规。由于厚度减小，CoolMOS™ 8器件非常适合使用QDPAK TSC封装，甚至可被置于散热片的下面。英飞凌还计划在未来几年内推出采用多种不同封装的CoolMOS™ 8 MOSFET。　　600 V CoolMOS™ 8新一代硅基MOSFET技术的推出，推动电力电子领域取得了一次重大进展。集成快速体二极管、先进芯片焊接技术以及创新封装技术等重要配置，凸显出英飞凌致力于提供先进解决方案以满足设计人员和工程师的更高需求的坚定决心。通过极低的现场故障率可以证明，这项技术还具有良好的热性能及可靠性。　　随着CoolMOS™ 8器件逐渐出现在不同的SMPS应用中，尤其是数据中心和可再生能源等应用领域，它们将帮助实现更节能、更紧凑和更具性价比的设计。未来，通过充分发挥CoolMOS™ 8 MOSFET与即将推出的新一代栅极驱动器之间的协同作用，英飞凌将采取一体化方法来推进MOSFET的设计和应用。这一旅程将帮助巩固英飞凌的半导体技术领先地位，并为未来的发展奠定坚实基础。
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发布时间：2024-08-08 09:16 阅读量：452 继续阅读>>
<span style='color:red'>英飞凌</span>推出可直接驱动的单端反激式辅助电源用 1700V CoolSiC™ MOSFET
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英飞凌推出可直接驱动的单端反激式辅助电源用 1700V CoolSiC™ MOSFET

　　新品可直接驱动的单端反激式辅助电源用　　1700V CoolSiC™ MOSFET　　CoolSiC™ MOSFET 1700V G1 450mΩ、650mΩ和1000mΩ，采用TO247-3-HCC封装，适用于单端反激式辅助电源，主要应用如太阳能逆变器、电动汽车充电器、UPS和通用电机驱动器。主要特点包括：可由反激式控制器直接驱动，无需栅极驱动器IC、高耐压且损耗小、.XT互连技术可实现出色的散热性能，大爬电距离和电气间隙封装可提高可靠性。　　产品型号：　　 ·IMWH170R1K0M1　　 ·IMWH170R650M1　　 ·IMWH170R450M1　　产品特点：　　·针对反激式拓扑结构进行了优化　　·开关损耗极低　　·12V/0V驱动电压　　·与反激式控制器兼容　　·栅极阈值电压，VGS(th)=4.5V　　·.XT互联技术　　应用价值：　　·为辅助电源开发的产品　　·效率高　　·更好的热性能和耐热性　　·TO247封装，便于绝缘设计　　·无需栅极驱动器　　·更高的功率密度　　竞争优势：　　·与D2PAK-7L相比，TO247-3-HCC封装更具优势：　　·更低的热阻确保了更大的输出功率　　·TO247封装实现轻松绝缘设计　　·大爬电距离适应环境污染　　应用领域：　　·组串逆变器　　·电动汽车充电　　·通用电机驱动　　·工业电机驱动和控制
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发布时间：2024-08-07 11:07 阅读量：483 继续阅读>>
<span style='color:red'>英飞凌</span>：650V高速半桥栅极驱动器2ED2388S06F
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英飞凌：650V高速半桥栅极驱动器2ED2388S06F

　　新品：650V高速半桥栅极驱动器 2ED2388S06F　　650V高速半桥栅极驱动器，具有典型的0.29A源电流和0.7A灌电流，采用DSO-8封装，用于驱动功率MOSFET和IGBT。　　产品型号：2ED2388S06F　　产品特点：　　·工作电压(相对于VS)高达+650V　　·负VS瞬态抗扰度为100V　　·集成超快、低电阻自举二极管　　·90ns传播延迟　　·最大电源电压为25V　　应用价值：　　·集成自举二极管--节省空间，降低BOM成本，更小的PCB，更简单的设计，更低的成本　　·电平转移损耗降低50%　　·出色的坚固性和抗噪性，可抵御VS引脚上的瞬态负电压　　应用领域：　　·物联网互联智能照明　　·家用电器　　·LED照明系统设计　　·电机控制和驱动器　　·智能建筑
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发布时间：2024-08-07 10:41 阅读量：462 继续阅读>>
<span style='color:red'>英飞凌</span>推出TOLT和Thin-TOLL封装的新型工业CoolSiC™ MOSFET 650 V G2，提高系统功率密度
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英飞凌推出TOLT和Thin-TOLL封装的新型工业CoolSiC™ MOSFET 650 V G2，提高系统功率密度

　　在技术进步和低碳化日益受到重视的推动下，电子行业正在向结构更紧凑、功能更强大的系统转变。英飞凌科技股份公司推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封装正在积极支持并加速这一趋势。这些产品能够更大程度地利用PCB主板和子卡，同时兼顾系统的散热要求和空间限制。目前，英飞凌正在通过采用 Thin-TOLL 8x8 和 TOLT 封装的两个全新产品系列，扩展其 CoolSiC™ MOSFET分立式半导体器件 650 V产品组合。这两个产品系列基于CoolSiC™ 第2代(G2)技术，在性能、可靠性和易用性方面均有显著提升，专门用于中高档开关模式电源(SMPS)，如AI服务器、可再生能源、电动汽车充电器、大型家用电器等。　　该系列的Thin-TOLL封装外形尺寸为 8x8 mm，具有市场上同类产品中领先的板上热循环(TCoB)能力。TOLT 封装是一种顶部散热(TSC)封装，其外形尺寸与 TOLL相似。这两种封装都能为开发者带来诸多优势。例如，在AI和服务器电源装置(PSU)中采用这两种封装，可以减少子卡的厚度和长度并允许使用扁平散热器。微型逆变器、5G PSU、电视 PSU 和 SMPS通常采用对流冷却，Thin-TOLL 8x8封装用于这些应用时，可以更大程度地减少主板上电源装置所占的PCB面积。与此同时，TOLT还能控制设备的结温。此外，TOLT 器件还与英飞凌采用Q-DPAK封装的 CoolSiC™ 750 V这一顶部散热CoolSiC™ 工业产品组合形成了互补。当器件所需的电源不需要Q-DPAK封装时，开发者可使用TOLT器件减少SiC MOSFET占用的 PCB 面积。
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发布时间：2024-06-17 15:36 阅读量：519 继续阅读>>
<span style='color:red'>英飞凌</span>推出PSoCTM 4高压精密模拟(HVPA)-144K微控制器
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英飞凌推出PSoCTM 4高压精密模拟(HVPA)-144K微控制器

　　英飞凌科技股份公司推出 PSoCTM 4高压精密模拟(HVPA)-144K微控制器，通过将高精度模拟和高压子系统集成到单芯片上，满足汽车电池管理行业的需求。它提供了一个完全集成的嵌入式系统，用于监控和管理汽车12 V铅酸电池，这对汽车电气系统的12 V供电非常重要。PSoC™ 4 HVPA-144K微控制器符合ISO26262标准，能够为现代汽车带来紧凑且安全的智能电池感应与电池管理功能。　　PSoC™ 4 HVPA-144K　　PSoCTM 4 HVPA-144K 的双高分辨率模数转换器(Σ-Δ型模数转换器)连同四个数字滤波通道一起通过测量电压、电流、温度等关键参数，实现对电池充电状态(SoC)和健康状态(SoH)的精确测量，测量精度高达±0.1%。该半导体器件拥有两个带有自动增益控制的可编程增益放大器(PGA)，无需软件干预即可实现模拟前端的完全自主控制。与传统的霍尔传感器相比，采用分流式电流传感器的电池精度更高。　　集成式12 V LDO(耐压42 V)无需外部电源，可直接通过12 V铅酸电池为设备供电。集成式收发器可与LIN总线直接通信。该产品符合ISO26262 ASIL-C 功能安全要求。　　PSoCTM 4 HVPA-144K所基于的Arm® Cortex®-M0+ MCU工作频率高达48 MHz，具有最高128 KB的代码闪存、8 KB的数据闪存和8 KB的SRAM，且全部带有ECC。PSoCTM HVPA-144K还包含多种数字外设，如四个定时器/计数器/PWM和一个可配置为I2C/SPI/UART的串行通信块。　　PSoCTM 4 HVPA-144K由汽车级软件提供支持。英飞凌的汽车外设驱动程序库(AutoPDL)和安全库(SafeTlib)按照标准汽车软件开发流程开发，均符合A-SPICE标准、MISRA 2012 AMD1和CERT C标准，以及ISO26262标准。　　随着 PSoCTM 4 HVPA-144K 的推出，英飞凌为扩展其 PSoCTM微控制器产品组合，以便将电动汽车的锂离子电池管理系统纳入其中奠定了基础。该产品组合不久后将加入多款用于监控和管理高压(400 V及以上)与低压(12 V/48 V)电池的产品，从而进一步推动未来电动汽车的应用。
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发布时间：2024-06-13 10:52 阅读量：510 继续阅读>>
<span style='color:red'>英飞凌</span>推出全新 NFC I2C 桥接标签
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英飞凌推出全新 NFC I2C 桥接标签

　　物联网设备的数量正在迅速增加并应用到各行各业之中。随着智能设备数量上涨，用户对设备配置和配对等操作所应具有的简易性之要求也一并提高。为此，英飞凌科技股份公司推出了OPTIGA™ Authenticate NBT产品。　　这是一款高性能的NFC I2C桥接标签产品，适用于对物联网设备进行单点验证和安全配置等功能的实现。这款产品是市面上唯一一款使用非对称加密进行签名及验签操作、并获得NFC Forum Type 4类认证的标签产品。OPTIGA™ Authenticate NBT通过使用NFC(近场通信)技术，为物联网设备与支持非接触式读卡功能的智能设备(如智能手机)间的相互通信提供便利，实现该场景下，对大数据量的无缝且高速数据传输需求的方案的落地。　　OPTIGA™ Authenticate NBT可用于多种应用场景，如：对无显示屏电子设备进行安全配置、对共享车辆进行激活、对智能设备(如智能灯泡)进行安装前的无源调试、为便携式医疗设备(如健康监护仪)进行自动的体征数据记录等。　　OPTIGA™ Authenticate NBTUSON-8-6　　OPTIGA™ Authenticate NBT采用英飞凌的Integrity Guard 32安全架构，硬件及算法库均通过CC EAL6+认证，具有出色的安全性。该标签产品支持对称和非对称加密验证，以及直通和异步数据传输模式。　　基于 TEGRION™硬件，OPTIGA™ Authenticate NBT支持非接场景下848 Kbit/s的传输速率，其I2C接口则可以支持1 Mbits/s的传输速率，为需求高性能数据传输的应用提供重要的助力支持。这款NFC I2C桥接标签提供 8 KB 的大容量内存，可有效满足客户和特定应用的多配置信息的储存。另外，由于采用了片上高自有电容的设计，此产品可有效支持小天线设计的实现，为客户在物料上的降本增效及产品空间规划上要求提供助力。
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发布时间：2024-06-11 14:33 阅读量：491 继续阅读>>
<span style='color:red'>英飞凌</span>提升新一代AURIX™ 微控制器的安全性
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英飞凌提升新一代AURIX™ 微控制器的安全性

　　英飞凌携手ETAS利用ESCRYPT CycurHSM 提升新一代AURIX™ 微控制器的安全性　　随着汽车行业向软件定义汽车和新E/E架构过渡，市场对高性能硬件和强大网络安全解决方案的需求也逐渐增加。为满足这一需求，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司与汽车软件提供商ETAS合作，共同将ESCRYPT CycurHSM 3.x汽车安全软件堆栈集成到AURIX™ TC4X网络安全实时模块(CSRM)中，希望借助这套新一代解决方案包提升安全级别、性能和功能。　　Thomas Schneid　　英飞凌软件　　合作伙伴关系和生态系统管理高级总监　　英飞凌AURIX™ 产品的一大优势是能够深度集成合作伙伴的软件解决方案。因此，我们很开心能够进一步深化与ETAS的合作关系，共同推动软件定义汽车的发展。　　Rohan Pandit　　ETAS车载安全产品经理　　我们很高兴开启与英飞凌长期成功合作的新篇章。最新版本的ESCRYPT CycurHSM在与AURIX™ 微控制器系列集成后，将使软件定义汽车在具有强大安全性的同时，满足日益增长的性能需求。　　AURIX™ TC4x系列符合最新的ISO/SAE 21434网络安全标准，这一安全设计解决了性能瓶颈问题并支持后量子加密技术。该控制器系列包含一个带有专用内存的网络安全实时模块(CSRM)和一个网络安全卫星(CSS)。CSS提供的加密服务加速器可与ESCRYPT CycurHSM 3.x并行执行，大幅提高了吞吐量。　　另外，由于支持虚拟化，该系列可配置多个虚拟实例，因此能够并行运行多个应用。ESCRYPT CycurHSM 3.x利用这一功能为每个虚拟实例实现灵活的启动顺序和独立的动态更新。它可对访问控制进行细粒度配置，并为每个虚拟实例分配单独的ASIL级别，从而实现各种不同的安全应用。　　供货情况　　全新英飞凌TC4X系列的首款器件已采用ESCRYPT CycurHSM 3.x安全软件堆栈。凭借CSRM和CSS的硬件兼容性，ESCRYPT CycurHSM 3.x能够根据市场需求和设备供货情况顺利迁移到TC4X系列的其他衍生产品上。了解更多信息，点击此处。　　英飞凌推出新型MOTIX™ 电机栅极驱动器IC，轻松从12 V系统迁移至48 V系统，并充分满足功能安全要求　　全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司针对要求严苛的24/48 V市场推出适用于无刷直流电机的MOTIX™ TLE9140EQW栅级驱动器IC。TLE9140专为拥有更高电压要求(从24 V到最高72 V)的汽车电机控制应用定制，此类应用需要更高的系统可靠性和更快的开关行为。　　该IC很好地补充了英飞凌MOTIX™ MCU TLE987x和TLE989x 32位电机控制SoC解决方案，同时也适合作为48 V BLDC驱动器与市场上常见的MCU搭配使用。典型应用包括泵和风扇、挡风玻璃雨刷器、HVAC模块或电子压缩机等。另外，TLE9140还可用作三相电机栅极驱动器，应用于商用车、工程车、农用车以及电动自行车、电瓶车或电动摩托车等轻型电动车。　　Andreas Doll　　英飞凌科技高级副总裁兼智能电源产品线总经理　　通过英飞凌的新型电机栅极驱动器IC，客户能够轻松将其现有的12 V MOTIX™ TLE987x和TLE989x电机控制设计扩展到24 V或48 V系统。TLE9140EQW实现了软硬件设计的重复利用，帮助客户在转用24/48 V系统时缩短产品上市时间，降低开发成本。　　这款栅极驱动器IC的功能安全性达到ISO 26262 ASIL B标准，并采用小型TS-DSO-32封装。该IC拥有高达110 V的高压性能，高达20 kHz的 ~230 nC/MOSFET栅极驱动性能，以及SPI通信功能。它还具有VSM过压(OV)主动低侧(LS)续流功能以及各种重要的诊断和保护功能，例如超时监视器、漏极-源极监测、过压、欠压、交叉电流和过温保护以及断态诊断等。　　此外，TLE9140还加入了英飞凌的专利栅极整形功能。这一自适应MOSFET控制功能，可以补偿系统中MOSFET参数的波动。它能自动调节栅极电流，实现所需的开关行为。这使得系统能够凭借更慢的转换速率优化电磁辐射(EMI)，同时通过更短的死区时间和上升/下降时间降低功耗。　　为加快评估和设计过程，英飞凌的MOTIX™ 电机控制IC配备了多种软件和工具，比如对用户友好的TLE9140评估板可实现快速评估和原型设计。此外，英飞凌还为TLE9140提供一个配置向导和一个器件驱动程序，可通过SPI为外部桥接驱动程序生成控制帧提供简单的API。该配置向导和器件驱动程序均免费提供。
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发布时间：2024-05-16 13:06 阅读量：627 继续阅读>>
<span style='color:red'>英飞凌</span>推出新型MOTIX™电机栅极驱动器IC
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英飞凌推出新型MOTIX™电机栅极驱动器IC

　　全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司针对要求严苛的24/48 V市场推出适用于无刷直流电机的MOTIX™ TLE9140EQW栅级驱动器IC。TLE9140专为拥有更高电压要求(从24 V到最高72 V)的汽车电机控制应用定制，此类应用需要更高的系统可靠性和更快的开关行为。该IC很好地补充了英飞凌MOTIXTM MCU TLE987x和TLE989x 32位电机控制SoC解决方案，同时也适合作为48 V BLDC驱动器与市场上常见的MCU搭配使用。典型应用包括泵和风扇、挡风玻璃雨刷器、HVAC模块或电子压缩机等。另外，TLE9140还可用作三相电机栅极驱动器，应用于商用车、工程车、农用车以及电动自行车、电瓶车或电动摩托车等轻型电动车。　　英飞凌科技高级副总裁兼智能电源产品线总经理Andreas Doll表示：“通过英飞凌的新型电机栅极驱动器IC，客户能够轻松将其现有的12 V MOTIXTM TLE987x和TLE989x电机控制设计扩展到24 V或48 V系统。TLE9140EQW实现了软硬件设计的重复利用，帮助客户在转用24/48 V系统时缩短产品上市时间，降低开发成本。”　　这款栅极驱动器IC的功能安全性达到ISO 26262 ASIL B标准，并采用小型TS-DSO-32封装。该IC拥有高达110 V的高压性能，高达20 kHz的 ~230 nC/MOSFET栅极驱动性能，以及SPI通信功能。它还具有VSM过压(OV)主动低侧(LS)续流功能以及各种重要的诊断和保护功能，例如超时监视器、漏极-源极监测、过压、欠压、交叉电流和过温保护以及断态诊断等。　　此外，TLE9140还加入了英飞凌的专利栅极整形功能。这一自适应MOSFET控制功能，可以补偿系统中MOSFET参数的波动。它能自动调节栅极电流，实现所需的开关行为。这使得系统能够凭借更慢的转换速率优化电磁辐射(EMI)，同时通过更短的死区时间和上升/下降时间降低功耗。　　为加快评估和设计过程，英飞凌的MOTIXTM电机控制IC配备了多种软件和工具，比如对用户友好的TLE9140评估板可实现快速评估和原型设计。此外，英飞凌还为TLE9140提供一个配置向导和一个器件驱动程序，可通过SPI为外部桥接驱动程序生成控制帧提供简单的API。该配置向导和器件驱动程序均免费提供。
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发布时间：2024-05-13 14:15 阅读量：506 继续阅读>>

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