英飞凌的新一代EiceDRIVER™ 1ED21x7x 650V、+/-4A栅极驱动器IC与其他产品相比,提供了一种更稳健、更具性价比的解决方案。1ED21x7x是高电压、大电流和高速栅极驱动器,可用于Si/SiC功率MOSFET和IGBT开关,设计采用英飞凌的绝缘体上硅(SOI)技术。
1ED21x7x具有出色的坚固性和抗噪能力,能够在负瞬态电压高达-100V时保持工作逻辑稳定。可用于高压侧或低压侧功率管驱动。
1ED21x7x系列非常适合驱动多个开关并联应用,例如轻型电动汽车。基于1ED21x7x大电流栅极驱动器的设计,可在一个三相系统中节省多个NPN/PNP管和外部自举二极管。
在其他应用,如图腾柱PFC,电感器过流保护是个设计难点,1ED21x7x提供简单、易于设计的电感器过流保护。
产品型号:
■ 1ED2127S65F
■ 1ED21271S65F
■ 1ED2147S65F
■ 1ED21471S65F
产品特点
英飞凌SOI技术
最大耐压电压+650V
输出源/灌电流+4A/-4A
最大供电电压为25V
集成超快、低RDS(ON)自举二极管
负VS瞬态抗扰度为100V
过流和欠压检测
多功能RCIN/故障/启用(RFE),故障清除时间可编程
传播延迟小于100ns
DSO-8封装
符合标准RoHS
应用价值
无闩锁
负VS瞬态抗扰度为100V
高压尖峰抗扰度
强大的输出功率水平
功能集成在单一器件中
电压和电流监控
竞争优势
系统可靠性高
易于设计的产品
降低系统成本
系统故障保护
应用领域
叉车
LEV
电池分断器
高功率应用
电机驱动器
Online messageinquiry
model | brand | Quote |
---|---|---|
TL431ACLPR | Texas Instruments | |
MC33074DR2G | onsemi | |
CDZVT2R20B | ROHM Semiconductor | |
RB751G-40T2R | ROHM Semiconductor | |
BD71847AMWV-E2 | ROHM Semiconductor |
model | brand | To snap up |
---|---|---|
BP3621 | ROHM Semiconductor | |
BU33JA2MNVX-CTL | ROHM Semiconductor | |
STM32F429IGT6 | STMicroelectronics | |
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 | Infineon Technologies | |
ESR03EZPJ151 | ROHM Semiconductor | |
TPS63050YFFR | Texas Instruments |
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