4800MHz频率起跳 DDR5内存标准正式公布

发布时间：2020-07-17 00:00
作者：
来源：电子发烧友
阅读量：1594

JEDEC固态存储协会于今日正式发布了DDR5SDRAM标准（JESD79-5），为全球计算机拉开新时代序幕。

简言之，DDR5内存芯片Bank数量翻番到32，每Bank的自刷新速度翻番到16Gbps。VDD电压从DDR4的1.2V降至1.1V，也就是减少功耗。此外，芯级ECC、更好的设计伸缩性、更高的电压耐受度等都保证了性能、产能、工艺水准等。

按照JEDEC的说法，DDR5内存的引脚带宽（频率）是DDR4的两倍，首发将以4.8Gbps（4800MHz）起跳，比末代DDR4的标准频率3200MHz增加了50%之多，总传输带宽提升了38%，未来将最高摸到8400MHz左右。

基于新标准的硬件预计将于2021年推出，先从服务器层面开始采用，之后再逐步推广到消费者PC和其他设备。

更快：一个DIMM，两个通道

DDR5再次提高了内存带宽。每个人都希望获得更高的性能（尤其是在DIMM容量不断增长的情况下），这也是这次DDR5提升的重点。

对于DDR5来说，JEDEC希望比通常的DDR内存规范更积极地开始工作。通常情况下，新的标准是从上一个标准的起点开始的，例如DDR3到DDR4的过渡，DDR3正式停止在1.6Gbps，DDR4从那里开始。然而对于DDR5来说，JEDEC的目标要高得多，预计将以4.8Gbps的速度推出，比DDR4官方3.2Gbps最高速度快了50%左右。而在之后的几年里，当前版本的规范允许数据速率达到6.4Gbps，比DDR4的官方峰值快了一倍。

这些速度目标的基础是DIMM和内存总线的变化，以便在每个时钟周期内提供和传输更多数据。对于DRAM速度来说，最大的挑战来自于DRAM核心时钟速率缺乏进步。专用逻辑仍然在变快，内存总线仍然在变快，但支撑现代内存的基于电容和晶体管的DRAM时钟速度还不能超过几百兆赫。因此，为了从DRAMDie中获得更多的收益--维持内存本身越来越快的假象，并满足实际速度更快的内存总线--已经需要越来越多的并行性。而DDR5则再次提升了这一要求。

4800MHz频率起跳 DDR5内存标准正式公布

这里最大的变化是，与LPDDR4和GDDR6等其他标准情况类似，单个DIMM被分解为2个通道。DDR5将不是每个DIMM提供一个64位数据通道，而是每个DIMM提供两个独立的32位数据通道（如果考虑ECC因素，则为40位）。同时，每个通道的突发长度从8个字节(BL8)翻倍到16个字节(BL16)，这意味着每个通道每次操作将提供64个字节。那么，与DDR4DIMM相比，DDR5DIMM以两倍的额定内存速度（核心速度相同）运行，将在DDR4DIMM提供的操作时间内提供两个64字节的操作，使有效带宽增加一倍。

总的来说，64字节仍然是内存操作的神奇数字，因为这是一个标准缓存线的大小。如果在DDR4内存上采用更大的突发长度，则会导致128字节的操作，这对于单条高速缓存线来说太大，如果内存控制器不想要两条线的连续数据，充其量也会导致效率/利用率的损失。相比之下，由于DDR5的两个通道是独立的，一个内存控制器可以从不同的位置请求64个字节，这使得它更符合处理器的实际工作方式，并避免利用率的损失。

对标准PC台式机的净影响是，取代了DDR4系统模式，即2个DIMM填满2个通道进行2x64bit设置，而DDR5系统的功能将是4x32bit设置。

这种结构上的变化在其他地方有一些连锁效应，特别是要最大限度地提高这些小通道的使用率。DDR5引入了更细粒度的Bank存储体刷新功能，这将允许一些k存储体在其他使用时进行刷新。这就能更快地完成必要的刷新（电容补给）、控制延迟、并使未使用的存储库更快可用。存储体组的最大数量也从4个增加到8个，这将有助于减轻顺序内存访问的性能折扣。

（备注：文章来源于网络，信息仅供参考，不代表本网站观点，如有侵权请联系删除！）

上一篇：台积电：未计划9月14日之后给华为继续供货

下一篇：外交部：英国在华为问题上丧失独立和自主 应倾听国内理性声音

在线留言询价

相关阅读
内存的种类都有哪些?有什么区别
行业新闻

内存的种类都有哪些?有什么区别

　　在计算机领域中，内存是一种关键的硬件组件，用于存储数据和程序代码，以便 CPU 快速访问。不同类型的内存具有各自独特的特点和用途，本文将详细介绍几种常见的内存类型及它们之间的区别。常见的内存类型　　1. RAM　　RAM 是计算机中最常见的内存类型之一，用于临时存储正在运行的程序和数据。RAM 可以快速读写数据，但是当电源关闭时数据会被清空。RAM 主要分为以下两种类型：　　DRAM(Dynamic RAM)：DRAM 需要定期刷新以保持数据的有效性，是最常见的 RAM 类型之一。　　SRAM(Static RAM)：相比 DRAM，SRAM 不需要刷新，速度更快，但成本更高，通常用于高速缓存。　　2. ROM　　ROM 是另一种类型的内存，其中的数据通常由制造商预设并固化在芯片中，用户无法直接修改。ROM 中的数据在断电后仍然保持不变，因此常用于存储启动程序和固件。　　3. EEPROM　　EEPROM 具有可擦写功能，允许用户多次写入和擦除数据，通常用于存储设备配置信息和小程序。　　4. Flash Memory　　Flash 存储器类似于 EEPROM，但更快、更便宜，广泛用于移动设备、SSD 和 USB 驱动器等应用。　　5. Cache Memory　　高速缓存内存在 CPU 和主内存之间起到桥梁作用，加快数据访问速度。Cache 分为多级，包括 L1 Cache、L2 Cache 和 L3 Cache 等。　　2.内存种类之间的区别　　1. 存储速度　　不同类型的内存具有不同的存储速度。例如，Cache Memory 是最快的，而 ROM 在读取数据时速度较慢。　　2. 数据保持性　　RAM 是易失性内存，关机后数据丢失，而 ROM 和 Flash Memory 是非易失性内存，数据可以长时间保持。　　3. 擦写能力　　EEPROM 和 Flash Memory 具有擦写能力，用户可以多次修改其中的数据，而 RAM 和 Cache Memory 只能暂时存储数据。　　4. 用途　　不同类型的内存用途各异，例如 RAM 用于运行程序，Cache Memory 用于提高数据访问速度，ROM 用于存储程序固件等。　　内存是计算机系统中重要的组件，不同类型的内存各有优劣，适用于不同的场景和需求。了解各种内存类型的特点和区别，可以帮助人们选择适合其需求的存储解决方案，并更好地理解计算机系统的工作原理。
2024-09-14 09:25 阅读量：607
华为内存芯片订单出现高峰，三星Q3净利大涨58.1%
行业新闻

华为内存芯片订单出现高峰，三星Q3净利大涨58.1%

与非网 10 月 9 日讯，全球最大的内存芯片和个人电子产品制造商三星电子于周四发布了未经审计的初步业绩预报。据报告显示，其第三季度营业利润同比大增 58.1%至 12.3 万亿韩元(106 亿美元)，超过市场预期的 10.5 万亿韩元（约合 90.7 亿美元） 三星预计，第三季度的综合销售额约为 66 万亿韩元，较上年同期增长约 6.5%。尽管该公司没有提供每个业务部门的业绩明细，但一些分析师此前预测，第三季度业绩将受到 2020 年下半年智能手机销量上升和整体内存相关收益上升的推动。三星公布，在 4 月至 6 月的三个月里，营业利润增长了近 23%，达到 8.1 万亿韩元(约合 70 亿美元)。本月晚些时候，三星将公布第三季度业绩。 分析师认为，三星业绩提振是由于美国要在 9 月 15 日之后实施对华为的制裁，使华为增加了内存芯片的订单。野村高级分析师 CW Chung 在接受日经亚洲评论采访时表示，“我们认为，由于美国的制裁，华为的订单出现了高峰。华为的额外订单似乎比我们之前估计的要大。”  华为是内存业务的采购大户，每年都要花费约 10 万亿韩元（约合 81 亿美元）从包括三星电子、SK 海力士等在内的韩国供应商购买内存和闪存芯片。在 9 月 15 日美国禁令生效之前，华为已经储备了大约六个月的额外库存。」三星证券分析师 MS Hwang 在接受彭博社采访时表示。 在上个月美国制裁启动前，华为囤积了大量半导体产品，三星电子的内存业务也从中受益。HI Investment&Securities 分析师 Song Myung-sup 也表示：华为 8 月下旬的紧急订单推高了三星的 DRAM 和 NAND 芯片出货量，抵消了业务疲软的影响，并阻止了本季度半导体利润的下降。 除内存业务受益之外，三星电子的智能手机业务利润也有可能会大幅增加。 受上半年疫情抑制手机销售的影响，下半年智能手机销售将出现反弹。据市场研究机构 Counterpoint Research 的数据显示，第三季度三星智能手机出货量可能比第二季度增长 48%，从 5420 万部增至 8000 万部。 目前苹果公司的 5G iPhone 上市时间推迟到 10 月，而华为也被削弱，在第三季度里，三星的外部竞争压力相对较小。得益于大流行期间营销费用的减少，三星电子的整体盈利能力将显著提高。
2020-10-09 00:00 阅读量：1683
内存价格疯涨背后的阴谋阳谋，谁会成为最后赢家？
行业新闻

内存价格疯涨背后的阴谋阳谋，谁会成为最后赢家？

　　日韩突发贸易战，引得存储器价格狂涨，普通消费者叫苦不迭。这背后，究竟隐藏着怎样的阴谋阳谋?潮流向左，DIY 向右。在这个电子产品日新月异的时代，总有些极客玩家喜欢特立独行，自己摆弄些 DIY 产品。DIY 全称 Do it Yourself ，中文翻译过来即是“自己动手做”。一般而言，DIY 党乐于发挥自己的聪明才智，发动主观能动性改造、组装机械和电子产品。在 PC 市场上，DIY 一定程度上代表了攒机。　　所谓攒机，指的是组装电脑。之所以选择组装机，主要是因为组装机配置灵活、性价比高，能满足消费者的个性化需求，而价格却是同等配置品牌机的一半甚至更低。追求画面的就选好显卡，爱玩游戏就买强处理器，炫酷机箱、个性键盘随意挑选……攒机爱好者可以根据需求折腾出花样繁多的攒机配置。　　有人说，时下的组装电脑已成为无人问津的小众爱好。究其原因，电脑一体机、笔记本电脑渐趋流行，使用大体积、不便携的台式机的用户减少;其次，在电脑品牌化过程中，品牌机在功能和外观领域做优做强，相同配置下，品牌机与组装机的价差越来越小，与其费心费力攒机，还不如直接买一台品牌台式电脑。　　确实，随着品牌台式机日渐成熟，方便快捷的笔记本电脑和智能手机，足以满足大部分用户工作娱乐需求，攒机正成为少数 DIY 爱好者的个性选择。不过近些年来，内存价格始终萦绕在攒机党心中，成为 DIY 装机者的最大噩梦。　　内存涨跌“波浪线”　　众所周知，科技界有个著名的摩尔定律：当价格不变时，集成电路上可容纳的元器件的数目，约每隔 18-24 个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。换句话说，相同性能的数码硬件，每隔 18-24 个月就会便宜许多。然而，内存芯片类产品并非如此，受到市场影响，内存价格始终上下波动。　　内存的正式名字叫做“存储器”，是半导体行业三大支柱之一。一直以来，攒机界最关心的都是 CPU 与 GPU ，这些运行处理硬件决定了组装机性能的上限。而如何将这些性能完美的发挥出来，存储芯片提供的读取速度能力就将是重要影响因素之一。存储芯片整个市场中 DRAM 产品占比约 53%，NAND Flash 产品占比约 42% ，Nor Flash 占比仅有 3% 左右。　　纵观过去几年时间“存储器”市场的行情，你会发现“存储器”的涨跌规律像一条波浪线循环着：2012 年前后白菜价、2013 年大涨价、2014 年有所回落、2015 年接近低谷、2016 年中旬开始持续上扬、2017 年 、2018 年到达顶点、2019 年有所回落。到今年 4 月份，“存储器”的价格相比去年年末已经下跌 30% 以上了， DRAM 产品的价格甚至创下三年多以来的新低。　　导致年初内存跌价的原因有很多，内存产量增大、大数据中心需求降低都是原因之一。按照内存涨跌“波浪线”的规律，每当内存开始跌价，内存工厂总会有意外事件发生。2013 年，“海力士半导体”无锡工厂发生火灾，大火产生的浓烟数十公里外可见。因火灾导致DRAM价格走升、也就造就了 2013 年内存价格的大涨。　　2016 年，内存价格再次萎靡不振。三星、美光、SK 海力士、东芝等厂商同时开始技术升级，内存转向 20nm 以下制程、闪存也从 2D 闪存转向 3D 闪存，并不断提升堆栈层数。升级过程中，产能大幅下降，一定程度上催生了连续三年的内存大涨价。　　意外不断，噩梦再临　　今年上半年，内存价格大幅滑落。按以往惯例，内存厂家又开始秀操作。6 月 15 日，日本四日市工厂的意外停电，影响西部数据和东芝存储器公司 NAND 闪存制造厂的生产运营，预计此事件将导致 NAND 闪存晶圆供应量减少六百万 TB 。　　与此同时，三星也在酝酿减产。不过令所有人没想到的是，在三星正式减产之前，一件预料之外的事情发生了。7 月初，由于政治纠纷，日本政府开始管控向韩国出口 3 种生产半导体、智能手机与面板所需的关键材料。　　日本政府制裁对三星 NAND 闪存生产造生了巨大影响，目前已缩减 NAND Flash 投片，减产幅度逾二成。内存业者分析，三星占全球 NAND 市场 30% 份额，此次缩减逾二成产出，等于全球将减少 6% 到 8% 供应量，加上东芝 NAND 工厂上月受意外停电影响，产能影响 3% 供应量，合计本月起，全球 NAND 产出将减少近一成。于是，内存涨价便顺理成章。　　7 月初以来，DDR4 8GB、DDR4 4GB 以及 DDR3 4GB、DDR3 2GB 颗粒现货价格一直在涨。内存业者透露，此次日韩贸易战，将造成强大的 NAND 抢货潮，带动价格进一步反弹。若日韩贸易谈判再僵持，下个季度 DRAM 合约价也将止跌反弹，出现 NAND 与 DRAM 两大内存“双涨”效应。一时间， DIY 装机者的最大噩梦再度降临。　　谁将受益?　　存储器涨价，利益受损的肯定是包括 DIY 装机者在内的广大消费者。那么，谁又会成为最后的赢家呢?据证券时报报道，三星现已率先对工厂顾客涨价，涨价涉及的品类为 DDR3、EMMC 和 Nand Flash。特别是三星 8GB、16GB EMMC 最近价格涨幅较大，均在 10% 左右。短期来看，明明是日本制裁韩国，反倒让被制裁的三星成为了最大受益者。　　当然，三星的现状是暂时的。据悉，三星的原料备货仅够一两个月使用。三星电子副会长李在镕在日本启动对韩出口限制措施后，第一时间赴日寻求原料供应。据韩国报道：“李在镕这次访日并未解决任何关于材料供应的问题。三星电子的相关部门确实通过集思广益、到处打听，得到了一些供货，可以解决眼下之急，但目前还不足以完全安心”。　　目前，全球 75% 的 DRAM 产能和 45% 的 NAND 产能都来自于韩国公司三星和 SK 海力士。很多人认为，一旦韩系厂商内存供应出问题，那么大家的订单将会转向非韩系厂商，促成另外的厂商业绩大增，同时营收大涨。现在，除三星、SK 海力士外，最大的内存厂商就是美光了，一旦日韩贸易战拖延过久，美光势必会成为最大的受益者。　　无论是阴谋还是阳谋，存储器产品价格上涨的趋势已然形成。DIY 玩家心中就是再难受，也不得不接受。毕竟，内存产业还是卖家市场，市场上的风吹草动都能成为内存厂家涨价的理由，普通消费者完全没有话语权。
2019-07-30 00:00 阅读量：1615
DRAM内存、NAND闪存市场跌宕起伏，存储三巨头三星/SK海力士/美光收入将迎来暴跌？
行业新闻

DRAM内存、NAND闪存市场跌宕起伏，存储三巨头三星/SK海力士/美光收入将迎来暴跌？

这两年，DRAM内存、NAND闪存市场跌宕起伏，也带动内存条、固态硬盘持续动荡，而作为掌握核心芯片资源的三星电子、SK海力士、美光等巨头，自然是赚得盆满钵满，甚至不惜刻意压制产能来把控市场。但是时过境迁，整个市场风云突变，由于季节性因素、库存积压、价格走低等因素影响，三巨头的日子越来越不好过了。 根据DigiTimes的调研数据，2018年第四季度，三星电子、SK海力士、美光的内存、闪存总收入同比大跌了26％，环比也减少了18％，其中内存17％、闪存20％。 由于存储芯片价格跌势不断，下游渠道都担心库存难以消化，下单非常谨慎，无论智能手机还是服务器都是如此，预计三巨头的内存、闪存收入会在2019年第一季度同比锐减29％，环比也要再降26％。 目前，三星电子、SK海力士、美光依然占据着整个行业收入的70％，相比此前基本没有什么变化。 另外根据集邦咨询的统计数据，2018年第四季度全球DRAM行业总收入228.85亿美元，环比下跌18.3％，其中前三名三星电子、SK海力士、美光分别跌了25.7％、12.3％、9.2％，三者合计份额高达恐怖的96.0％。 之后的南亚、华邦也分别跌了30.8％、16.8％，只有排名第六的力晶涨了10.3％。  同期NAND行业总收入141.6亿美元，环比下跌16.8％，其中前四强三星电子、东芝、美光、西数分别跌了28.9％、14.7％、2.2％、14.2％，四家合计份额80.4％。 之后的SK海力士也跌了13.4％，只有第六名的Intel微增了2.4％。 
2019-02-27 00:00 阅读量：1663
热门分类
盒子，外壳，机架 电缆，电线 电路保护 连接器，互连器件 开发套件 机电产品 嵌入式解决方案 风扇，热管理 光电元件 其它 无源元件 电源 半导体 传感器，变送器 测试与测量
  • 一周热料
  • 紧缺物料秒杀
型号 品牌 询价
RB751G-40T2R ROHM Semiconductor
CDZVT2R20B ROHM Semiconductor
MC33074DR2G onsemi
BD71847AMWV-E2 ROHM Semiconductor
TL431ACLPR Texas Instruments
型号 品牌 抢购
STM32F429IGT6 STMicroelectronics
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 Infineon Technologies
ESR03EZPJ151 ROHM Semiconductor
BP3621 ROHM Semiconductor
TPS63050YFFR Texas Instruments
BU33JA2MNVX-CTL ROHM Semiconductor
热门标签
ROHM
Aavid
Averlogic
开发板
SUSUMU
NXP
PCB
传感器
半导体
原厂授权品牌
更多授权品牌>>
资讯排行榜
  • 周排行榜
  • 月排行榜

相关百科
关于我们
AMEYA360微信服务号 AMEYA360微信服务号
AMEYA360商城(www.ameya360.com)上线于2011年，现 有超过3500家优质供应商，收录600万种产品型号数据，100 多万种元器件库存可供选购，产品覆盖MCU+存储器+电源芯 片+IGBT+MOS管+运放+射频蓝牙+传感器+电阻电容电感+ 连接器等多个领域,平台主营业务涵盖电子元器件现货销售、 BOM配单及提供产品配套资料等，为广大客户提供一站式购 销服务。