4800MHz频率起跳 DDR5内存标准正式公布

发布时间：2020-07-17 00:00
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来源：电子发烧友
阅读量：1553

JEDEC固态存储协会于今日正式发布了DDR5SDRAM标准（JESD79-5），为全球计算机拉开新时代序幕。

简言之，DDR5内存芯片Bank数量翻番到32，每Bank的自刷新速度翻番到16Gbps。VDD电压从DDR4的1.2V降至1.1V，也就是减少功耗。此外，芯级ECC、更好的设计伸缩性、更高的电压耐受度等都保证了性能、产能、工艺水准等。

按照JEDEC的说法，DDR5内存的引脚带宽（频率）是DDR4的两倍，首发将以4.8Gbps（4800MHz）起跳，比末代DDR4的标准频率3200MHz增加了50%之多，总传输带宽提升了38%，未来将最高摸到8400MHz左右。

基于新标准的硬件预计将于2021年推出，先从服务器层面开始采用，之后再逐步推广到消费者PC和其他设备。

更快：一个DIMM，两个通道

DDR5再次提高了内存带宽。每个人都希望获得更高的性能（尤其是在DIMM容量不断增长的情况下），这也是这次DDR5提升的重点。

对于DDR5来说，JEDEC希望比通常的DDR内存规范更积极地开始工作。通常情况下，新的标准是从上一个标准的起点开始的，例如DDR3到DDR4的过渡，DDR3正式停止在1.6Gbps，DDR4从那里开始。然而对于DDR5来说，JEDEC的目标要高得多，预计将以4.8Gbps的速度推出，比DDR4官方3.2Gbps最高速度快了50%左右。而在之后的几年里，当前版本的规范允许数据速率达到6.4Gbps，比DDR4的官方峰值快了一倍。

这些速度目标的基础是DIMM和内存总线的变化，以便在每个时钟周期内提供和传输更多数据。对于DRAM速度来说，最大的挑战来自于DRAM核心时钟速率缺乏进步。专用逻辑仍然在变快，内存总线仍然在变快，但支撑现代内存的基于电容和晶体管的DRAM时钟速度还不能超过几百兆赫。因此，为了从DRAMDie中获得更多的收益--维持内存本身越来越快的假象，并满足实际速度更快的内存总线--已经需要越来越多的并行性。而DDR5则再次提升了这一要求。

4800MHz频率起跳 DDR5内存标准正式公布

这里最大的变化是，与LPDDR4和GDDR6等其他标准情况类似，单个DIMM被分解为2个通道。DDR5将不是每个DIMM提供一个64位数据通道，而是每个DIMM提供两个独立的32位数据通道（如果考虑ECC因素，则为40位）。同时，每个通道的突发长度从8个字节(BL8)翻倍到16个字节(BL16)，这意味着每个通道每次操作将提供64个字节。那么，与DDR4DIMM相比，DDR5DIMM以两倍的额定内存速度（核心速度相同）运行，将在DDR4DIMM提供的操作时间内提供两个64字节的操作，使有效带宽增加一倍。

总的来说，64字节仍然是内存操作的神奇数字，因为这是一个标准缓存线的大小。如果在DDR4内存上采用更大的突发长度，则会导致128字节的操作，这对于单条高速缓存线来说太大，如果内存控制器不想要两条线的连续数据，充其量也会导致效率/利用率的损失。相比之下，由于DDR5的两个通道是独立的，一个内存控制器可以从不同的位置请求64个字节，这使得它更符合处理器的实际工作方式，并避免利用率的损失。

对标准PC台式机的净影响是，取代了DDR4系统模式，即2个DIMM填满2个通道进行2x64bit设置，而DDR5系统的功能将是4x32bit设置。

这种结构上的变化在其他地方有一些连锁效应，特别是要最大限度地提高这些小通道的使用率。DDR5引入了更细粒度的Bank存储体刷新功能，这将允许一些k存储体在其他使用时进行刷新。这就能更快地完成必要的刷新（电容补给）、控制延迟、并使未使用的存储库更快可用。存储体组的最大数量也从4个增加到8个，这将有助于减轻顺序内存访问的性能折扣。

（备注：文章来源于网络，信息仅供参考，不代表本网站观点，如有侵权请联系删除！）

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这两年，DRAM内存、NAND闪存市场跌宕起伏，也带动内存条、固态硬盘持续动荡，而作为掌握核心芯片资源的三星电子、SK海力士、美光等巨头，自然是赚得盆满钵满，甚至不惜刻意压制产能来把控市场。但是时过境迁，整个市场风云突变，由于季节性因素、库存积压、价格走低等因素影响，三巨头的日子越来越不好过了。 根据DigiTimes的调研数据，2018年第四季度，三星电子、SK海力士、美光的内存、闪存总收入同比大跌了26％，环比也减少了18％，其中内存17％、闪存20％。 由于存储芯片价格跌势不断，下游渠道都担心库存难以消化，下单非常谨慎，无论智能手机还是服务器都是如此，预计三巨头的内存、闪存收入会在2019年第一季度同比锐减29％，环比也要再降26％。 目前，三星电子、SK海力士、美光依然占据着整个行业收入的70％，相比此前基本没有什么变化。 另外根据集邦咨询的统计数据，2018年第四季度全球DRAM行业总收入228.85亿美元，环比下跌18.3％，其中前三名三星电子、SK海力士、美光分别跌了25.7％、12.3％、9.2％，三者合计份额高达恐怖的96.0％。 之后的南亚、华邦也分别跌了30.8％、16.8％，只有排名第六的力晶涨了10.3％。  同期NAND行业总收入141.6亿美元，环比下跌16.8％，其中前四强三星电子、东芝、美光、西数分别跌了28.9％、14.7％、2.2％、14.2％，四家合计份额80.4％。 之后的SK海力士也跌了13.4％，只有第六名的Intel微增了2.4％。 
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