DRAM,NAND,NOR抢货,包产能,GD向中芯投片暴增4倍

发布时间:2017-08-23 00:00
作者:Ameya360
来源:网络整理
阅读量:1736

台湾供应链传来消息,DRAM、NAND Flash和NOR Flash三大内存一直缺货到明年,许多客户抢货,已包下南亚科、旺宏和华邦电全部产能。厂商指出,三大内存应用范围广,尤其NOR Flash几乎是各电子产品储存程序代码关键元件,虽然单价远比DRAM和NAND Flash低,但没它不行,未签订长约的客户,内存供货将短缺,冲击产品上市或出货时程。

日前,由于受智能手机AMOLED新增需求、触控IC及驱动IC整合单芯片带动的NOR-Flash需求,加上全球NOR-Flash每月投片约仅约8.8万片,高度定制化与产能不易扩张的影响下,根据全球市场研究调查机构TrendForce内存储存研究(DRAMeXchange)日前研究报告指出,NOR-Flash供不应求的格局持续,而且预估2017年第3季NOR-Flash价格将上涨两成。不过,之后这样的情况,在当前NOR-Flash的市场价格破坏者兆易创新(Gigadevice)加强投片的情况下,恐怕将会有所改变。

根据DRAMeXchange日前的研究指出,观察全球NOR-Flash供给状况,目前全球两大供货商赛普拉斯半导体(Cypress)和美光(Mircon),一方面在赛普拉斯确定逐步淡出NOR-Flash市场,赛普拉斯半导体转向为专注在车用和工规的市场。另外,美光也将专注在DRAM的生产之后,逐步推出NOR-Flash的市场经营,导致自2016年下半年以来,市场出现供不应求的现象。使得产品价格节节上扬,也进一步推升旺宏、华邦电以及兆易创新的市占率。

以目前营收为市占率计算基准来看,赛普拉斯市占率为25%,排名第一,旺宏市占率24%,排名居次,美光市占率18%,排名第三,之后才是华邦电与兆易创新。然而,在赛普拉斯与美光逐步退出NOR-Flash市场的情况下,其他3家厂商开始抢攻市场。

只是,一开始,在中国国家政府补贴经费给予武汉新芯提供产能的情况下,当时兆易创新的客户数不多,无法发挥产能上的优势。如今,在兆易创新有了客户,但是武汉新芯在有自己的营运考虑,也就是旗下12寸厂每月3万片的产能,三分之一用来进行逻辑IC代工,三分之二才进行NOR-Flash生产的情况下,武汉新芯既要服务兆易创新,又要服务其他厂商。这使得兆易创新的产能受到限缩,无法进一步补上市场的缺货缺口,使得日前NOR-Flash市场面临供不应求的情况。

不过,据了解,兆易创新当前的投片情况已经开始有所调整,也就是藉由在中芯与华力微上的增加投片,增加产能,来满足市场上的需求。消息人士指出,由于中芯目前的产能利用率较低,兆易创新自6月份开始就在中芯开始投片。而且数量从一开始的每月2000片,提升到当前8000片的数量,已经足成长了4倍数量,数量可观。此外,兆易创新跟华力微的合作方面,也已经正式开始投片。

而且,整体预估产能提升到5.5万片时,华邦电中科厂就全数满载。由于,华邦电强调,新增产能将全数生产NOR-Flash及部分NANDFlash的情况下,加上兆易创新的扩产,未来NOR-Flash的价格是不是还会持续有成长的趋势,恐怕会有很大的变量发生。

日前,力晶董事长黄崇仁宣布,因为看好NOR-Flash的市场发展,将重启NOR-Flash生产的计划。根据市场人士的指出,目前这方面似乎也已经有晶圆开始产出。不过,因为不同于过去力晶用于生产的90纳米工艺,当前要采用的为65纳米工艺。在工艺技术上有许多不同情况下,这批晶豪科投产的晶圆,相信只是一般的试产部分,距离真正量产的时间点恐还有一段时间。这部分对于未来市场的影响将会如何,还有待后续的观察。

此外,旺宏总经理卢志远卢志远预期,今年NOR-Flash市场将持续供不应求,由于价格持续上涨,目前采取配销模式,75纳米以上工艺产品约占第2季NOR产品线营收比重50%,强劲需求主要来自每个应用领域、及产品容量;旺宏今年第1季NOR-Flash全球市占率已达26%,居全球之冠,预估今年全年市占将挑战30%;另外,SLCNAND Flash今年也是供不应求,同样采取配销模式。因应客户端强劲需求,旺宏启动高端产能扩充计划,预计新产能每月将增加4800片,可望今年底产出,全数在12寸厂生产,低密度的产品则改由8寸厂生产。

集邦、IC Insight等研究机构最近纷纷出具报告,三大内存今年创下历年最缺且涨势最久纪录,同时缺货更是以前没有的情况。随苹果新手机即将上市,三大内存优先供货给苹果,非苹阵营也积极备货,厂商预期,三大内存下半年缺货比上半年更严重。

业界分析表示,DRAM、NAND/NOR Flash三大内存同缺,台湾厂商拥有产能的南亚科、华邦电和旺宏到年底的产能已全数被抢订一空,三家厂商正积极去瓶颈,提升产出,抢食缺货商机。

南亚科目前在林口有二座12寸厂,其中3A厂30纳米制程产品,有90%都是在美光科技技术基础上自行研发设计;全新的3An厂,今年导入20纳米制程后,5月取得客户验证,提前在今年第2季量产,目前良率相当好,预定今年底单月投片量达3万片。

华邦电目前月产能约4.3万至4.4万片,预料年底可增至4.8万片,希望明年中后再增加到5.2万至5.3万片,但估到5.5万片时,中科厂就全数满载。华邦电强调,新增产能将全数生产NOR Flash及部分NAND Flash,希望未来Flash产出量与DRAM相近。(来源:Technews、经济日报)

(备注:文章来源于网络,信息仅供参考,不代表本网站观点,如有侵权请联系删除!)

在线留言询价

相关阅读
均价微幅回升!一季度DRAM产值因疫情影响季减4.6%
根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)最新调查,第一季DRAM供应商库存去化得宜,季末的库存水位与年初相比已经显著下降,因此降价求售压力不再,整体DRAM(内存)均价相较前一季上涨约0-5%。然而,因应新冠肺炎疫情,各国祭出封城锁国政策,导致物流受阻,DRAM的位元出货也受到影响。所以虽然均价小幅上涨,但第一季DRAM整体产值季衰退4.6%,达148亿美元。集邦咨询指出,第一季受阻的出货将递延至第二季,因此在DRAM均价上涨幅度扩大且出货量同时提升的情况下,集邦咨询预测第二季DRAM整体产值将季增超过两成,原厂的营收与获利能力将持续成长。DRAM均价小涨带动原厂Q1获利能力厂商排名方面,三星以44.1%的市占排名第一;SK海力士位列第二,市占率为29.3%;美光则以20.8%的市场份额排名第三。由于产能规划大致相同,集邦预期第二季度市占不会有太大变化。此外,集邦分析了三大厂商的产能与技术能力。三星持续将部分产能 (Line13) 由 DRAM 转向影像感测器 (CMOS),不过平泽二厂预计下半年投入 DRAM 生产,弥补 Line13 投片下滑,同时提高 1Z 制程比重,考虑到疫情对于需求的冲击,三星会审慎规划产出,今年产能增加幅度不高。SK 海力士持续将 M10 厂 DRAM 投片转向影像感测器,增加 M14 产出,并将于下半年小幅提高无锡厂的产能,但全年产能增幅不高。美光的投片与产能与去年相较没有太大改变,今年度资本支出将着重1Z制程的量产与产出提升,目前正值OEM积极验证阶段,很快就能导入实际量产。三大原厂的获利受惠于第一季DRAM均价上扬而维持成长。三星去年第四季的营业利益率受惠于一次性认列而大增,垫高基期,所以虽然第一季营业利益率下滑至32%,但实质的获利能力仍持续提升。SK海力士第一季营业利益率为26%,与上季的19%相比明显改善。美光本次财报季区间的报价涨幅小于韩厂,加上当前因开发1Z制程导致成本增加,使得营业利益率小幅下滑,但预计下次财报区间(3月至5月)会有明显改善。整体而言,三大原厂先进制程的开发与导入虽有递延,但大致顺利,没有重大质量异常情况发生。今年整体DRAM产能没有明显成长,资本支出也持续下降,供给位元成长主要来自于1Y与1Z纳米等先进制程的转进,并非实质投片增加。中国台湾厂商1季度表现南亚科第一季出货量双位数成长,带动营收较前一季增加近10%,加上研发费用的控制,营业利益率由上一季的11%升至12.7%。展望第二季,在均价上扬的挹注下,获利能力将持续进步;至于华邦第一季量价大致持平,因此DRAM营收变化幅度不大,成长力道以NAND Flash(闪存)较为明显;而力晶科技第一季仍以影像传感器需求较为强劲,排挤DRAM产能,因此营收小幅下滑3%(营收计算主要为力晶本身生产之标准型DRAM产品,不包含DRAM代工业务)。
2020-05-14 00:00 阅读量:1694
现货价格上扬,或带动DRAM合约价提前止跌
根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)最新调查,DRAM现货价的翻扬,改变了市场氛围……在预期性心理因素下,有利于合约市场中买方的备货意愿提高,目前预估合约价可能提前至2020年第一季止跌。集邦咨询指出,之前1X纳米制程因为有退货状况,大量不良品以低价转销现货市场,导致现货价格走势格外疲弱。虽然退货状况仍在,但因为模组厂以及在渠道的经销商开始愿意增加库存准备,使得这些不良品数量有效的消耗,带动现货价格开始上调。从整体供需状况来看,在历经近五个季度的库存调整,2019年第四季DRAM市场仍处于微幅供过于求,即便明年第一季DRAM的拉货状况可能呈现淡季不淡,但供需态势最快仍要到明年年中才会正式反转。不过,根据历史经验,价格上涨一向快于供需反转,因此集邦咨询原先预估DRAM的平均销售单价将在明年第二季初止跌上涨。然而,受到目前现货报价大涨的激励,以及服务器内存1X纳米制程的生产状况普遍不顺畅,影响了整体供货量,因此集邦咨询对2020年价格预测进行修正,2020年第一季时,虽然标准型内存、利基型内存与行动式内存价格预估仍较前一季小幅下跌,但服务器内存有机会率先领涨,带动整体DRAM平均销售单价较前一季持平。服务器与图形处理内存价格领涨根据集邦咨询观察,目前主流服务器内存模组成交量已经明显大幅增加,均价欲跌不易,服务器业者在DRAM备货的态度转趋积极。展望2020年第一季,由于1X纳米产品供货不顺影响持续,加上短期需求面展望强劲,预估服务器内存单价将正式反弹,季增幅约5%。除了服务器内存以外,集邦咨询也同时调整图形处理内存的价格预测;图形处理内存尤其是GDDR5,因为主要GPU芯片供应商库存已经调整完毕,目前已恢复采购力道,加上最新一代的GDDR6需求也持续增加,在买方预期涨价心理影响下,整体价格也将于第一季小幅上调。
2019-12-18 00:00 阅读量:1677
韩企 DRAM 芯片库存减少,内存芯片有望转好?
2019-11-27 00:00 阅读量:1882
DRAM第一季度恐跌价20% 问题出在库存高
1月15日,DRAMeXchange最新报告指出,今(2019)年第一季度DRAM的合约价将由原先预估较前一季衰退15%,扩大到近20%,尤其以服务器存储器的下滑最为明显。去(2018)年12月正处于欧美的新年节假日时期,DRAM成交量低迷,因此不列入合约价计算,这意味着12月的DRAM合约价与11月大致持平,主流模组8GB均价仍在60美元,而4GB约在30美元水位,但两种模组的最低价分别已跌破60与30美元关卡。DRAMeXchange指出,今年第一季度合约价已于去年12月开始议定,考虑到库存过高、需求低于预期以及短中期经济展望不明朗等因素, 8GB的合约价已经降至55美元或更低水平,预计1月份合约价将较上一个月下跌至少10%,且2、3月价格持续下滑的可能性极高。整体来看,第一季度价格跌幅将由原先预估较前一季衰退15%,扩大到到近20%,其中,用于服务器的存储器价格下滑最明显。DRAM目前面临的最大问题不是供给端的增加,而是因为去年第四季度进入淡季所导致的库存攀高。在所有供应商中,美光为了去库存而降价的幅度最大,而韩厂由于降价幅度小,导致了出货量少,今年第一季度库存攀升问题越来越严重。因此,库存水位的不断上升成为了DRAM价格的最大阻力,预计从去年第四季度开始的DRAM跌价将会延续一年以上。DRAMeXchange指出,虽然DRAM从去年下半年便开始走低,但由于产业集中度高,低价竞争会损失巨大的营收,因此各大存储器厂商今年都开始减少资本支出,来维持DRAM价格的稳定和市场供需的平衡。另外,产业上游的原厂利润太高,导致了下游的存储器模组厂和客户的获利空间受到压缩。在2017年,由于模组厂手中持有低价库存,在DRAM价格短期飞涨的情况下大赚了一笔,但是随着价格不断走高,单位价差获利空间变小,模组厂只能从加工费用中获利。DRAM价格开始下跌后,下游模组厂的库存损失惨重,很多下游厂商在去年的获利想要于2017年仅剩一成水平,有的还遭遇了亏损。预计DRAM今年将会持续低迷,下游厂商亦将面临更大的考验。
2019-01-16 00:00 阅读量:1535
  • 一周热料
  • 紧缺物料秒杀
型号 品牌 询价
CDZVT2R20B ROHM Semiconductor
BD71847AMWV-E2 ROHM Semiconductor
TL431ACLPR Texas Instruments
MC33074DR2G onsemi
RB751G-40T2R ROHM Semiconductor
型号 品牌 抢购
BU33JA2MNVX-CTL ROHM Semiconductor
ESR03EZPJ151 ROHM Semiconductor
BP3621 ROHM Semiconductor
STM32F429IGT6 STMicroelectronics
TPS63050YFFR Texas Instruments
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 Infineon Technologies
热门标签
ROHM
Aavid
Averlogic
开发板
SUSUMU
NXP
PCB
传感器
半导体
相关百科
关于我们
AMEYA360微信服务号 AMEYA360微信服务号
AMEYA360商城(www.ameya360.com)上线于2011年,现 有超过3500家优质供应商,收录600万种产品型号数据,100 多万种元器件库存可供选购,产品覆盖MCU+存储器+电源芯 片+IGBT+MOS管+运放+射频蓝牙+传感器+电阻电容电感+ 连接器等多个领域,平台主营业务涵盖电子元器件现货销售、 BOM配单及提供产品配套资料等,为广大客户提供一站式购 销服务。