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三星电子开发出其首款基于第八代V-<span style='color:red'>NAND</span>的车载SSD

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三星电子开发出其首款基于第八代V-NAND的车载SSD

　　256GB AM9C1使用先进的V-NAND技术，　　5nm制程控制器，　　提供SLC模式选项，速度目前为三星最快　　更高的性能和可靠性，　　使此款SSD支持端侧AI功能，　　更适配下一代车载解决方案　　2024年9月24日，三星电子今日宣布成功开发其首款基于第八代V-NAND技术的PCIe 4.0车载SSD。三星新款AM9C1车载SSD凭借行业前沿的速度和更高的可靠性，成为适配车载应用端侧人工智能功能的解决方案。　　三星新款256GB AM9C1车载SSD相比前代产品AM991，能效提高约50%，顺序读写速度分别高达4,400MB/s和400MB/s。　　“三星电子副总裁兼存储器事业部　　汽车业务负责人Hyunduk Cho表示：　　我们正在与全球自动驾驶汽车厂商合作，为这些企业提供高性能、高容量的车载产品。三星将继续推动涵盖从自动驾驶到机器人技术的物理人工智能(Physic AI)¹ 存储器市场的发展。”　　AM9C1基于三星的5纳米(nm)控制器，提供单层单元(SLC)命名空间²功能，其优异的性能让访问数据密集型文件更为轻松。用户将初始的三层单元(TLC)状态切换至SLC模式，即可体验大幅提升的读写速度，其中读取速度高达4,700MB/s，写入速度高达1,400MB/s，同时还能享有SLC SSD可靠性增强所带来的优势。　　当前，三星的主要合作伙伴正在进行256GB版本AM9C1的样品测试，这款产品预计将于今年年底开始量产。为了满足对高容量车载SSD日益增长的需求，三星计划推出128GB到2TB等多种容量规格的AM9C1存储器产品阵容。其中最大的2TB SSD预计将在明年年初开始量产。　　三星的新款车载SSD通过了更为严苛的板级测试，能够满足汽车半导体质量标准AEC-Q100³的2级温度测试标准，在-40°C至105°C宽幅的温度范围内能保持稳定运行。　　为了进一步满足汽车行业在可靠性和稳定性方面的高标准，三星电子获得了基于ISO/SAE 21434标准的CSMS⁴(网络安全管理体系)认证。今年3月，三星的车载UFS 3.1产品通过了ASPICE⁵(汽车软件过程改进与能力评定)CL3认证。　　“三星电子存储器事业部　　执行副总裁Hwaseok Oh表示：　　ASPICE和ISO/SAE 21434认证是证明三星技术可靠性和稳定性的里程碑。三星将继续提升产品的稳定性和品质，为关键合作伙伴提供优秀解决方案。”

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发布时间：2024-09-24 10:07 阅读量：496 继续阅读>>

东芝<span style='color:red'>NAND</span>闪存工厂暂停生产将进行安全评估

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东芝NAND闪存工厂暂停生产将进行安全评估

　　日本的7.6级地震迫使石川县的芯片和电子公司暂时关门，由于现阶段半导体仍处下行周期，且时序已进入淡季，部分零组件仍有库存，加上多数工厂落在震度4至5级，均在工厂耐震设计范围内。　　东芝宣布，由于需要进行安全评估，公司位于石川县能美市的 NAND 闪存工厂将暂时停产。分析师预计，地震将对未来半导体供应和价格产生影响。　　东芝表示，它已确认在地震发生当天在石川县能美市工厂上班的所有员工都是安全的，但尚未联系上休假的员工。　　此外，Taiyo Yuden、Tower、Shin-Etsu、GlobalWafers 和 TPSCo 等企业也暂时停止了半导体产品的生产。鉴于地震造成的震动幅度大，专家建议对所有建筑物进行详细检查，排除潜在的安全隐患。　　东芝承诺将在周五日本时间下午 5 点发布更新，并表示将在“生产线状态评估完成后尽快”做出复工决定。　　此次地震主要影响的是日本西海岸相关城市，而日本半导体产业的主要聚焦地位于日本东海岸周边，以及九州地区，预计此次地震对于日本半导体产业影响相对较小。

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发布时间：2024-01-04 17:45 阅读量：1377 继续阅读>>

三星计划将<span style='color:red'>NAND</span>减产规模扩大40%~50%

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三星计划将NAND减产规模扩大40%~50%

　　经历漫长的下行周期之后，存储芯片市场价格止跌，部分型号存储芯片价格出现反弹。三星电子计划在今年第四季将NAND价格上调10~15%，预计明年上半年还会再成长10%至20%。这一举措预示着存储芯片市场的复苏，也反映出三星电子对市场需求的乐观预期。　　NAND价格实际已进入上升趋势，机构透露，10月份用于存储卡和USB设备的128GB NAND价格上涨1.59%，为2021年7月以来首次反弹。　　据悉，三星电子计划到明年上半年(1~6月)为止，将NAND生产量削减规模扩大40~50%，此举推高了价格。SK海力士在上个月举行的法说会上表示：「NAND的库存高于DRAM。我们将暂时保持保守的NAND生产方式。」　　自今年年初以来，三星一直奉行减产战略，此前曾报道，三星的晶圆产量大幅下降了 40%，最初的减产举措主要集中在 DRAM 领域，之后下半年三星开始着手大幅削减 NAND Flash 业务产量，眼下正试图推动 NAND 价格正常化。

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发布时间：2023-11-15 09:30 阅读量：1589 继续阅读>>

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消息称存储大厂三星目标年底NAND库存正常化

　　据韩媒援引业内人士消息称，三星已制定生产计划，目标年底NAND库存正常化，即6-8周水平。今年年初，三星NAND库存水位超过20周，最高一度飙升至28周，但最近已降至18周。据悉，三星下半年的晶圆投入量将较上半年减少10%，目前公司减产的主要目标是128层第6代V-NAND(V6)，该产品库存较多。　　库存天数是指从半导体成品生产完成到发货的时间段，用于衡量当前库存水平以及何时耗尽的指标。　　三星电子正计划积极减产以降低库存。据悉，三星下半年的晶圆投入量将较上半年减少10%，目前该公司减产的主要目标是128层第6代V-NAND(V6)，该产品库存较多。　　半导体的制造基于硅晶圆，因此减少晶圆投入量就会降低产量。相比于通过增加生产时间来延迟出货的“技术生产延迟”，减少晶圆投入直接导致半导体出货量和供应量的减少，因此被认为是一种快速平衡供需的手段。　　另据了解，NAND闪存晶圆厂利用率也有所下降。虽然尖端产品与通用产品存在差异，但利用率大幅下降，特别是中国西安工厂估计不足50%。　　三星电子相关人士表示，“我们正在根据客户需求灵活地进行存储半导体减产工作，目前无法确认减产的具体规模或开工率。”

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发布时间：2023-08-24 10:08 阅读量：2034 继续阅读>>

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Ameya360：三星、Micron争夺NAND霸主地位

　　据Ameya360电子元器件采购网报导：三星电子和Micron科技继续争夺NAND市场的霸主地位，两家公司最近都宣布了更高密度的3D NAND解决方案——尽管名称不同。　　三星选择专注于3D NAND位密度，推出其1太位(Tb)三级单元第八代垂直NAND(V-NAND)，该公司声称这是业界最高的位密度。与此同时，Micron选择在层数方面展示其最新的3D NAND，并于2022年年中宣布其232层3D NAND。　　三星第八代V-NAND　　三星闪存产品和技术执行副总裁SungHoiHur在接受EETimes采访时表示，该公司通过Cell-on-Peri(COP)结构实现了高位密度，该公司在其第七代V-与非门。　　对于COP结构，单元阵列区域位于外围设备上方。但即使采用COP结构，部分外围设备仍位于单元外部，Hur表示，这意味着必须减少单元阵列以及单元阵列下方和旁边的外围区域，以减小芯片尺寸。　　三星于2013年首次推出其垂直堆叠V-NAND闪存。“从那时起，我们一直在开发颠覆性技术以减小单元的面积和高度，并积累了大量三星专有技术，”Hur说。　　该专有技术包括三星的高纵横比接触蚀刻技术，该公司使用该技术来减小单元阵列的面积。Hur补充说，对于第八代V-NAND，三星成功地将上一代的所有三个部分的面积最小化，以实现更高的密度。　　三星旨在解决的一个具体挑战是避免电池单元之间的干扰，如果电池单元的模具因缩放而变得更薄，通常会在缩小时发生。“为了抵消这种干扰，我们首先确定了可能的性能权衡；然后我们着手解决根本问题，”Hur说。　　他还指出，三星解决方案的目的是开发一种优化的操作方案，以最大限度地减少写入过程中的干扰，将新材料应用于单元中的阻挡层，以防止电子因电压而从电荷陷阱层(CTL)弹回完善CTL的结构。　　Hur表示，达到这一里程碑意味着要克服各种障碍。从结构的角度来看，随着总堆叠高度的不断增加，模具可能更容易向一侧倾斜。“随着电池变得越来越小，我们必须应对电池电流的降低以及电池之间的干扰，”他说。三星正在努力通过利用其第七代V-NAND中使用的支撑结构和多孔技术来降低总堆叠高度，同时也在探索新的解决方案，包括使用新材料的创新单元结构。　　Micron的232层3D NAND　　近年来，Micron引领了3D NAND的发展步伐，凭借2020年11月推出的176层产品领先于其他专注于128层3D NAND的厂商。其CMOS阵列下(CUA)架构。除了更高的层数外，芯片尺寸也缩小了30%。　　2022年7月下旬，Micron宣布了其232层3D NAND，随后于2022年12月初推出了将与232层解决方案配套的最新客户端SSD。　　ObjectiveAnalysis首席分析师JimHandy表示，三星达到1Tb并没有什么“惊天动地”的。“更重要的是，他们已经达到了新的层数，而且他们的接口速度非常快。”　　这意味着应用程序将需要一半的NAND芯片来获得相同的带宽，他补充说。最终，三星和Micron都在缩小芯片尺寸，但都有自己的命名法——无论是COP还是CUA。

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发布时间：2023-01-12 11:29 阅读量：2420 继续阅读>>

兆易创新GD5F全系列SPI <span style='color:red'>NAND</span> Flash通过AEC-Q100车规级认证

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兆易创新GD5F全系列SPI NAND Flash通过AEC-Q100车规级认证

　　兆易创新GigaDevice宣布，旗下全国产化38nm SPI NAND Flash——GD5F全系列已通过AEC-Q100车规级认证。该系列包含GD5F1GQ5/GD5F2GQ5/GD5F4GQ6产品，覆盖1Gb~4Gb容量，从设计研发、生产制造到封装测试所有环节，均采用国内供应链，极大程度上填补了国产大容量车用存储器的空白，全面进入汽车应用领域，并且，兆易创新拥有强大的本地化支持和快速的客户响应能力，加速助力汽车应用的国产化。　　当前，汽车电气化、智能化处于快速发展的态势，激发了车厂对于大容量、高可靠性的存储解决方案的需求。作为在车载应用中存储代码、数据和网络协议的载体，汽车存储芯片正起到越来越关键的作用。兆易创新GD5F系列SPI NAND Flash提供了1Gb~4Gb的选择，在已有的GD25 SPI NOR Flash车载产品基础上进一步扩充容量，可为车载网关、DVR、智能驾舱、Tbox等应用提供大容量、高性价比的解决方案。　　随着车载电子复杂度和空间紧凑的需求增加，“少引脚、小封装”的芯片也逐渐受到车厂的青睐。兆易创新GD5F系列SPI NAND Flash芯片使用成熟的38nm制程工艺，采用WSON8 8mm x 6mm少引脚、小型化封装，在狭小空间内实现大容量的选择；其内置ECC纠错模块，在保留NAND成本优势的前提下，极大提高产品的可靠性；并且在-40℃~105℃的宽温度范围内，实现高达10万次的擦写性能。　　兆易创新汽车产品事业部执行总监何芳女士表示：“随着汽车行业智能化、网联化的演进，与SOTA（软件在线升级），MaaS（出行即服务）得以实现，市场对车载存储的程序和处理的数据量提出更多的新需求。兆易创新从2014年开始布局汽车行业，凭借着多年的经验与积累，旗下38nm GD5F SPI NAND Flash通过AEC-Q100车规级认证，并且实现全产业链的国产闭环。未来，我们将继续聚焦汽车行业需求，关注行业的增量市场，了解细分市场的客户需求，持续在产品的可靠性，优化及升级方面投入，为市场提供更好的产品与服务。”　　目前，兆易创新GD5F全系列SPI NAND Flash均已通过AEC-Q100车规级认证，并且在其久经验证的车规级GD25 SPI NOR Flash基础上，形成了有效的扩展。在Flash存储器领域，兆易创新已实现从SPI NOR Flash到SPI NAND Flash的车规级产品的全面布局，为车载应用的国产化提供丰富多样的选择，这也极大凸显了兆易创新在汽车领域持之以恒的投入和创新。

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发布时间：2022-09-15 14:27 阅读量：2614 继续阅读>>

<span style='color:red'>NAND</span> Flash 控制器将涨价

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NAND Flash 控制器将涨价

根据 TrendForce 集邦咨询旗下半导体研究处调查显示，受限于上游台积电（TSMC）与联电（UMC）等晶圆代工厂产能满载，及下游封测产能紧缺，包含 Phison 与 Silicon Motion 等多间 NAND Flash 控制器厂商无法因应客户的加单需求。这些控制器厂商除暂停对新订单的需求进行报价外，由于目前为 2021 年第一季价格议定的关键期间，届时控制器价格将面临调涨，预期涨幅在 15~20%不等。尽管当前整体 NAND Flash 市场仍处于供过于求的状态，但控制器产能不足使中低容量的供货紧缺。该元件价格调涨恐将导致固定成本上升，OEM 等采购端也会因此产生压力，可能导致模组厂部分需求较强的容量产品（如 chromebook 所需的 32/64GB）在 2021 年第一季有涨价可能。而在 SSD 产品方面，供给以三星（Samsung）等原厂为主，大多以 in-house 产品因应，与晶圆代工厂有较为长期的产能安排，当前并未传出涨价或缺货现象。注：图文源自网络，如有侵权请联系删除！

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发布时间：2020-12-28 00:00 阅读量：1874 继续阅读>>

海力士发布全球首款基于128层<span style='color:red'>NAND</span>闪存的消费级SSD

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海力士发布全球首款基于128层NAND闪存的消费级SSD

SK海力士发布了全球首款基于128层NAND闪存的消费级SSD——SK海力士Gold P31，提供500GB和1TB两种存储容量，产品已上架亚马逊。据介绍，Gold P31支持基于4D NAND闪存技术的PCIe NVMe接口，读取速度最高可达3500 MB/s，写入速度高达3200 MB/s，该款产品是为所有个人电脑用户设计的，特别关注游戏玩家、设计师和内容创造者。另外，Gold P31的可靠性已通过1000小时高温运行寿命试验（HTOL）进行测试和验证，平均无故障时间（MTBF）达到150万小时。该报道称，固态硬盘市场向PCIe NVMe接口的快速过渡，以及Gold P31的诞生，突显了SK 海力士在向全球PC OEM提供可靠的PCIe NVMe产品方面的领先地位。最新的固态硬盘是市场上速度最快、最具创新性的消费类固态硬盘之一，采用了SK 海力士的最新技术。作为内存芯片的领先制造商，SK 海力士设计、开发并提供自己的DRAM和NAND Flash设备以及内部SSD控制器。在退出Gold P31 PCIe SSD之前，SK 海力士推出了Gold S31 SATA消费级SSD，提供了业界一流的速度和可靠性。继去年Gold S31 SSD在美国成功上市后，该公司相信Gold P31将凭借业界领先的性能指标，在不断增长的PCIe市场上占据重要地位。根据SK 海力士对社会和环境价值的严格承诺，Gold P31采用森林管理委员会认证的纸张、可生物降解塑料袋和大豆墨水进行包装。不过这一次，Gold P31只提供了500GB、1TB两种容量版本，似乎很对不起这种高密度堆叠闪存，或许未来会有更大容量的版本。其他方面，M.2 2280标准形态，单面设计，无散热片，SK海力士自研主控，支持PCIe 3.0 x4，随机读写最高3.5GB/s、3.1GB/s，持续读写最高570K IOPS、600KIOPS。不过在TLC模式下，持续读取还是能跑到3.5GB/s，但是持续写入只能做到950MB/s、1700MB/s，随机读取降至500K IOPS，随机写入降至220K IOPS、370K IOPS。读取延迟980us，写入延迟45us，负载功耗6.3W，空闲功耗小于0.05W，平均故障间隔时间150万小时。写入寿命未公布。

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海力士

发布时间：2020-08-21 00:00 阅读量：1850 继续阅读>>

数据中心需求强劲，第一季<span style='color:red'>NAND</span>营收增长8.3%

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数据中心需求强劲，第一季NAND营收增长8.3%

延续去年第四季开始的数据中心强劲采购力道，第一季Enterprise SSD仍是供不应求...根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查，2020年第一季NAND Flash（闪存）位元出货量较前一季大致持平，加上平均销售单价上涨，带动整体产业营收季成长8.3%，达136亿美元。延续去年第四季开始的数据中心强劲采购力道，第一季Enterprise SSD仍是供不应求。此外，自年初起，各供应商当时的库存水位多已恢复至正常，也带动主要产品合约价呈现上涨。随后在农历春节期间爆发新冠肺炎疫情，根据集邦咨询当时的调查，服务器供应链的恢复状况优于笔记本电脑及智能手机，也因此对于数据中心需求影响有限。笔电及手机品牌厂生产排程及物料则受到零组件供应链及物流链断链影响，于三月后始陆续恢复生产。展望第二季，远程服务、串流等应用持续带动数据中心需求，而笔电亦因突增的远程办公、教学需求，使得企业采购及政府标案大幅增加。因此，第二季NAND Flash市场需求的重心仍在平板、笔电及Enterprise SSD，由于整体备货需求强劲，NAND Flash合约价也因市场持续缺货而维持上涨。集邦咨询预估，在价量齐涨的帮助之下，产业营收将继续成长。三星电子(Samsung)尽管疫情爆发初期，三星因ODM复工递延而影响到Client SSD出货，加上智能手机亦进入淡季，但在数据中心需求持续挹注下，三星位元出货仅较前季下跌约3%，平均销售单价则上涨约4%。第一季NAND Flash营收达到45.01亿美元，较前季持平。在制程方面，Samsung持续提升92层产品占比，并预计今年导入128层产品至各类应用，以维持成本竞争力，并回应市场对高容量产品的需求。SK海力士(SK Hynix)SK海力士的NAND Flash销售虽然一向以移动设备市场为重，然随着数据中心需求畅旺，第一季Enterprise SSD出货量翻倍，推升位元出货量季成长达12%。同时，藉由产品比重的改变，平均销售单价增加7%。第一季NAND Flash营收来到14.47亿美元，较上季大幅增加19.8%，数个季度以来的亏损情况有所改善。SK海力士今年规划将着重在制程的提升，除了继续提升96层产品的占比外，预计第二季将正式量产128层产品。铠侠(Kioxia)来自数据中心及笔电端SSD的强劲拉货力道，带动铠侠第一季位元出货成长约3%。平均销售单价也因市场供需在第一季仍显紧张，加上产品结构调整得宜而季增约6%。第一季营收较上季增长9.7%，来到25.67亿美元。铠侠今年的SSD出货比重预计将显著增长，除了服务器和笔电，今年底将上市的新一代游戏机转采SSD也将是主要动能。在制程规划上，今年预计主要以96层支应上述SSD需求。西数(Western Digital)受惠于数据中心强劲需求，西数第一季位元出货季增约7%；平均销售单价则因整体NAND Flash供不应求而上涨约5%。第一季NAND Flash营收达20.61亿美元，季增12.1%。在产品规划方面，针对今年需求最畅旺的Client及Enterprise SSD产品，西数的重心将放在提升96层产品的销售比重。美光(Micron)美光同样受惠于数据中心需求，整体SSD营收季增近20%，也因此减少对通路的Wafer销售比重，以改善获利能力。虽然位元出货量小幅衰退，但平均销售单价上涨约10%，第一季NAND Flash营收达15.14亿美元，季增6.47%。以产品组合来看，美光持续扩展SSD布局，自去年下半年起已积极与PC OEM进行导入Client SSD产品。除此之外，美光目标于下半年量产128层替代匣极(Replacement Gate)产品。英特尔(Intel)英特尔长期耕耘Enterprise SSD市场，近期数据中心强势需求使得订单应接不暇；加上销售产品结构调整，平均销售单价在第一季大涨20%。然而，在产能并未增加，且几无剩余库存支应客户加单的情况下，位元出货量仍较前一季减少近10%。第一季NAND Flash营收为13.38亿美元，季成长9.9%。就产品与层数规划来看，英特尔销售重点仍为Enterprise SSD，今年主要目标是协助客户转进96层，并预计年底前开始提供144层产品进行测试，预计2021年放量。另外，QLC产品出货占比在第一季已超过5%，今年将继续积极推广。

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发布时间：2020-06-03 00:00 阅读量：1391 继续阅读>>

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存储行业终于迎来曙光？明年的NAND Flash市场将一鸣惊人

　　NAND Flash 和 DRAM 市场在 2019 年可能不太景气，但是据相关调查机构研究发现，明年的 NAND flash 和 DRAM 将迎来强势增长。　　IC Insights 预测，2020 年 NAND flash 和 DRAM 将强势成长，销售增幅在 33 种主要 IC 产品中，将分居第一、第三名。　　IC Insights 表示，2020 年预测成长最快 IC 产品中，NAND flash 排第一、DRAM 排第三。今年这两项商品的市场崩盘，2019 年 NAND flash 销售重挫 27%、估计 2020 年将强弹 19%。 2019 年 DRAM 销售狂摔 37%，表现在所有 IC 产品中垫底，2020 年 DRAM 买气将提高 12%。　　图片来源：IC Insights　　明年高密度和高性能的 NAND flash 需求，会因固态运算提高。行动、数据中心、云端服务器的 5G 联网、人工智能、深度学习、虚拟现实的动能提高，车用和工业市场也持续畅旺，预料将带动 NAND flash 和 DRAM 大幅成长。　　新车的电子组件不断增加，估计将让「汽车 - 特定用途逻辑芯片」(Auto—Special-Purpose Logic)在新一年持续有稳健表现。实际上，汽车 - 特定用途逻辑芯片和嵌入式微处理器(Embedded MPUs)，过去三年来，都是 IC 产品中成长最快的前五强。　　近年来，汽车 IC 是好几项 IC 产品的成长推手，特别是汽车 - 特定用途逻辑芯片。能改善车辆表现、提升安全性、增添乘客便利性的电子系统，持续或强制加入新车种。自动驾驶功能进化和电动车普及，也让新车的平均半导体含量增加。　　而 NAND Flash 在今年第三季度已有回温的势头，根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查，2019 年第三季 NAND Flash 产业营收表现，受惠于年底销售旺季以及因应美中贸易冲突客户提前备货需求增加，激励整体位元出货量成长近 15%，另一方面在供应商库存水位改善下，抑制了以低价对 Wafer 市场倒货的力道，进而带动合约价跌幅收敛，第三季产业营收季成长为 10.2%，达到约 119 亿美元。　　DRAM 方面，根据集邦咨询内存储存研究(DRAMeXchange)调查显示，2019 年下半年 DRAM 需求端的库存已回到较健康的水位，加上部分业者为避免日后可能加征关税带来的负面冲击，在第三季提前备货，带动 DRAM 供货商第三季的销售位出货量(salesbit)大增，连带推升 DRAM 总产值季成长 4%，达 154.5 亿美元。

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发布时间：2019-12-05 00:00 阅读量：1776 继续阅读>>

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CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor
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BP3621	ROHM Semiconductor
TPS63050YFFR	Texas Instruments
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BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor
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