DRAM涨足七个季度,明年Q1涨5%～10％,Q2再涨5％

发布时间：2017-12-13 00:00
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日前据台湾媒体报道，DRAM严重供不应求，全球内存芯片龙头三星明年首季再涨价3%至5%之后，业界二哥南韩SK海力士下季也将涨价约5%，全球DRAM价格连续七季上扬，是历来涨势最久的一次，且据韩国业者向国内OEM大厂透露，这波涨势将持续至明年第二季度。

台湾DRAM相关厂商透露，三星、SK海力士陆续通知明年首季调涨DRAM售价，由于二大韩系厂全球DRAM份额总计近八成，在寡占优势下，下游厂商只能接受涨价。

另有国内OEM大厂高层主管表示，近期拜访韩系记忆体厂讨论明年采购量，业者明示明年第一季DRAM合约价格续涨5～10％后，第二季恐将续涨5％以上，希望OEM厂提早备货以免又面临缺货窘境。

第四季是传统DRAM市场旺季，在供不应求下，价格出现涨幅。其中标准型DRAM模组合约价较上季涨7％，4GB DDR4模组均价来到30.5美元创下新高。至于智能型手机搭载行动式DRAM容量大增，带动合约价较上季大涨10～20％，而缺货严重的服务器DRAM合约价格也较上季调涨6～10％。

每年第一季度本是DRAM的传统淡季，但由于苹果iPhone X零组件拉货动能延续到明年初，加上三星、华为、OPPO、vivo等手机厂商将在明年初的MWC大会上推出新款手机，导致行动式DRAM需求维持高档。因此，业界对明年第一季DRAM价格续涨已有共识，以目前各业者协商出来的合约价来看，平均较今年第四季再涨5～10％。

国内OEM大厂高层主管透露，近期拜会韩系记忆体厂，针对明年供货量、采购量、价格等均有深入协商。韩系业者已告知，由于明年DRAM不会有太多新增产能，第一季DRAM合约价调涨5～10％之后，第二季价格续涨机率很高，不排除再涨5％以上，希望OEM厂提早备货。

由于需求太强劲，此波DRAM价格从去年下半年以来每季都调涨，加计下季持续涨价，报价连续七季走扬，堪称DRAM史上时间最长的多头行情。

业界人士分析，造成此波DRAM供不应求，除了来自人工智能、车用、云端服务器、物联网、笔电和行动装置等需求齐发，需求瞬间大增，但主要芯片厂多集中发展3D储存型闪存（NAND Flash），压缩DRAM产能增幅，在“需求大增、供给增加有限”下，市场供需严重失衡。

三星与SK海力士在明年淡季持续调涨售价，反应无意打破目前DRAM供不应求、获利稳定的情况，也将藉由DRAM的获利，作为未来在3D储存型闪存（NAND Flash）发动价格战的主要凭借，并消除外市场买盘观察的预期心理。

（备注：文章来源于网络，信息仅供参考，不代表本网站观点，如有侵权请联系删除！）

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