美光与英特尔将于2019年分手:再见亦是朋友

Release time：2018-01-10
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英特尔和美光宣布双方未来将独立开发3D NAND技术。日前，Intel宣布和美光的闪存合作即将发生关键性变化，双方的合作会一直持续到2019年初，这个项目完成之后Intel和美光将会正式分道扬镳。

英特尔日前在官网宣布，与美光的闪存合作即将发生关键性变化，具体内容则是双方将会在2018年继续研究第三代3D NAND的研发与生产，并且将持续到2019年年初，在此之后双方将不再合作。

目前，英特尔和美光正在进行第二代64层3D闪存的增产工作，所以近期内不会出现太多的合作变动。

两家公司已经同意在这一技术节点之后，双方将独立开发3D NAND，以便更好地为各自的业务需求优化技术和产品。

Intel强调，这次“分手”是双方同意的，独立之后二者将能抽出更多精力优化自身产品并提供更好的服务给客户，分开之后不会对路线图和技术节点造成影响。

“英特尔和美光科技建立了成功的长期合作关系，令双方受益匪浅。现在，NAND开发合作关系已经发展到了适当阶段，是时候让两家公司致力于各自专注的市场。”英特尔非易失性存储解决方案部门高级副总裁兼总经理Rob Crooke说，“我们的3D NAND和Optane技术路线图为客户应对当下的众多计算和存储需求提供了强大的解决方案。”

“美光与英特尔的合作由来已久，我们期待在未来各自进行NAND开发的同时继续就其他项目与英特尔合作。”美光科技技术开发执行副总裁Scott DeBoer说，“我们3D NAND技术的开发路线图非常稳固，计划在我们业界领先的3D NAND技术基础上，将极具竞争力的产品推向市场。”

Intel和镁光的合作可以追溯到2005年。当时双方成立了合资企业IM Flash Technologies（IMFT），孕育的首批产品是72nm NAND。2012年，Intel把多数IMFT工厂的股份卖给了美光，只保留Lehi这一个据点。

此后，双方就开始各自兴建自己的生产线，开始生产一些自家品牌的存储产品。美光独自建立Fab工厂生产NAND Flash，并提供NAND Flash给英特尔，研发工作仍然是两家聚集在Lehi工厂共同进行。

另外，英特尔和美光两家公司将继续共同运营犹他州的Lehi工厂，该工厂主要是负责3D XPoint的研发与生产，所以即使双方停止了3D NAND的合作，也不会影响3D XPoint技术的发展和制造。

据AnandTech分析，Intel和美光的市场属性不同，Intel只愿意将美光提供的闪存给自己的SSD用，而美光则急于参与全球竞争，想把闪存卖给更多客户，尤其是手机厂商，这或许是“分手”的主要原因。

AnandTech猜测，也可能是NAND堆叠层数破百之后，需要调整String Stacking的堆叠方式，两家公司对此看法不同，因而分手。

另一个可能是，目前3D NAND的生产主流是电荷储存式（Charge trap），三星电子等都采用此一方式，英特尔／美光是唯一采用浮闸（floating gate）架构的业者。也许是两家公司中有一家想改采电荷储存式架构，但是此举等于坦承失败，代表从2D NAND转换成3D NAND后，续用浮闸是错误决定，因而闹翻。

对普通消费者来说，这次“分手”具有很多积极的意义。内存市场今后产品更拓宽，新的技术也应该会更快推出，多头竞争应使内存的价格更趋于合理。

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美光宣布：HBM4已批量出货！
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美光宣布：HBM4已批量出货！

　　2026年3月16日，美国存储芯片大美光科技正式宣布，其已于2026年第一季度开始批量出货HBM4 36GB 12H内存，该产品专为英伟达(NVIDIA)Vera Rubin平台设计。凭借HBM4，美光实现了超过11 Gb/s的引脚速度，带宽超过2.8 TB/s，相比其HBM3E，带宽提升了2.3倍，能效提升超过20%。　　为了进一步提升HBM的容量，美光展示了其先进的封装技术，可将16颗HBM芯片堆叠在一起，并已向客户交付了HBM4 48GB 16H的样品。与HBM4 36GB 12H产品相比，这一里程碑式的改进使每颗HBM芯片的容量提升了33% 。　　“下一代人工智能将由整个生态系统通过联合工程创新开发的紧密集成平台定义。我们与英伟达的紧密合作确保了计算和内存从一开始就能协同扩展，”美光科技执行副总裁兼首席商务官 Sumit Sadana 表示。“这一切的核心是美光的 HBM4，它是人工智能的引擎，可提供前所未有的带宽、容量和能效。随着 HBM4 36GB 12H 的推出，以及业界首款 SOCAMM2 和第六代 SSD 的量产，美光的内存和存储构成了释放下一代人工智能全部潜力的核心基础。”　　美光SOCAMM2 专为英伟达 Vera Rubin NVL72 系统和独立Vera CPU平台而设计，每个 CPU 可实现高达 2TB 的内存和 1.2 TB/s 的带宽。　　美光是首家量产 PCIe Gen6 数据中心级 SSD 的公司。美光 9650 针对能效和液冷环境进行了优化，采用英伟达BlueField-4 STX 参考架构，可为 AI 训练和推理工作负载提供高速、低延迟的数据访问，支持高达 28 GB/s 的顺序读取吞吐量和 550 万随机读取 IOPS。美光 7600 和 9550 SSD 为客户提供 PCIe Gen5 SSD，从而扩展了他们的架构设计选择。
2026-03-19 09:48 reading：227
美光与Cadence Design Systems合作，加速DLEP验证和合规进程
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美光与Cadence Design Systems合作，加速DLEP验证和合规进程

　　半导体生态系统是一个高度复杂、互相关联的框架，其中包括各种行业、技术和机构，旨在促进半导体器件的设计、制造、分销和应用。设计和知识产权 (IP) 提供商是该框架的组成部分，在经历了各种大幅演变之后，这些提供商已成为当代芯片开发中不可或缺的参与者。　　随着上世纪 80 年代电子设计自动化 (EDA) 工具的出现，以及上世纪 90 年代半导体 IP 产业的发展，片上系统 (SoC) 设计越来越依赖于可复用的 IP 模块。目前，在 SoC 所包含的器件中，超过 80% 为可复用 IP，典型的芯片会集成 200 多个 IP 模块。1　　在半导体市场引入新技术，是一个相当复杂的过程。其中生态系统伙伴(包括 IP 提供商和验证 IP (VIP) 软件供应商)对新技术的支持程度往往起着决定性作用——可能会阻碍新技术的普及，也可能加速商业上的成功。　　美光与 Cadence Design Systems 之间的战略合作，标志着内存技术进步旅程中的重大里程碑。此次合作的重点是将直接链路 ECC 协议 (DLEP) 功能嵌入 Cadence 最新的 LPDDR5/5X 内存控制器 IP、物理层 (PHY) IP 和验证 IP (VIP) 中，从而显著提高人工智能、汽车和数据中心应用中的系统性能。　　DLEP 在内存技术中的重要性　　DLEP 是一项重大创新，旨在解决传统内联纠错码 (ECC) 技术的固有局限性。对于现代车辆中的高性能 AI 应用和高可靠性高级驾驶辅助系统 (ADAS) 应用而言，该技术尤为重要。DLEP 的核心优势在于其能够回收较大比例的有效负载内存空间和带宽，否则这些空间和带宽将被分配给内联 ECC 使用。这种回收能力，是 DLEP 能够提高系统性能和资源效率的基础。美光与 Cadence 携手合作，充分实现了这些增强功能。　　DLEP 是一项重大创新，旨在解决传统内联 ECC 技术存在的局限性。DLEP 所实现的改进对于需要高可靠性和极高性能的应用至关重要，例如汽车行业中的 AI 加速器和 ADAS。使用标准 DRAM 与使用支持 DLEP 的 DRAM 进行 ECC 数据传输的对比　　DLEP 的主要优势之一是它能够回收相当大比例的有效负载内存空间、至少 6% 的额外可寻址内存空间和带宽，可将带宽增加 15% 至 25%。如果没有 DLEP，这些空间和带宽将被用于内联 ECC 纠错。这种回收能力可带来系统性能和效率的提高，从内存管理的角度来看，功耗(pJ/b，皮焦耳/位)可降低约 10%。2 美光与 Cadence 之间的合作确保了这些优势的充分发挥。　　从图中可以看出，与内联 ECC 相比，DLEP 的带宽要增加 15% 至 25%　　通过战略合作确保集成和验证　　美光的高级 DLEP 功能已无缝集成到 Cadence 的 LPDDR5/5X IP 组合和 VIP 工具套件中。这种集成旨在优化复杂 SoC 设计的验证过程，从而能够在各种应用中高效部署 DLEP 技术。VIP 解决方案对于验证新兴内存技术的运行和效率起到重要作用。美光与 Cadence 建立了稳固的合作关系，以确保 DLEP 的快速普及，从而为内存技术确立新的标准。　　Cadence 的 VIP 工具集提供了一些至关重要的优势，例如对复杂 SoC 架构进行彻底验证、提高验证准确性、加速产品上市、降低成本，以及协议合规性评估和自动测试生成等高级功能，所有这些优势都有助于可靠、高效地部署新的内存解决方案。Cadence 的 LPDDR5X VIP 内存模型3支持 DLEP 功能，允许开发人员在调试模式下访问用于存储 ECC 的额外内存单元，在读取/写入时即时回调覆盖存储位的值，以及在启用 DLEP 时检查被禁用的模式。　　这种集成方法有助于充分实现 DLEP 技术的优势，为下一代解决方案提供底层支持。　　DLEP 在 AI 和汽车应用中的优势　　将 DLEP 集成到内存架构中，可为 AI、汽车行业以及其他需要增强的可靠性、卓越性能、数据完整性和更高能效的行业带来巨大优势。所有这些优势相结合，可延长任务关键型系统的正常使用期限。此外，这些技术进步还有助于降低成本，增大 DLEP 技术所带来的价值。　　推动 DLEP 普及　　Cadence 与美光的合作正在推动 DLEP 技术普及，使系统设计人员能够实现更高的带宽、更好的内存利用率、更低的功耗，同时满足严格的功能安全要求。通过将 DLEP 集成到 Cadence 的 LPDDR5/5X 控制器、PHY IP 和 VIP 中，工程师可从经过硅验证的强大解决方案中受益——这些解决方案可简化验证过程，缩短产品上市时间。随着数据密集型工作负载和安全关键型工作负载不断增加，Cadence 和美光的合作为汽车、AI 等领域带来了高效可靠的高性能内存解决方案。　　1带有增强型 ECC 功能的 LPDDR5X 直面汽车行业挑战 | 美光科技。 典型内联系统 ECC 方案与 DLEP 进行对比测试的结果值　　2《知识产权的发展趋势》，全球半导体联盟知识产权利益小组　　3https://www.cadence.com/en_US/home/tools/system-design-and-verification/verification-ip/simulation-vip/memory-models/dram/lpddr5.html
2026-03-12 13:55 reading：275
美光推出全球首款高容量256GB LPDRAM SOCAMM2，为数据中心基础架构树立新标杆
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美光推出全球首款高容量256GB LPDRAM SOCAMM2，为数据中心基础架构树立新标杆

　　2026 年 3 月 5 日，爱达荷州博伊西市 —美光科技股份有限公司(纳斯达克股票代码：MU)近日宣布开始向客户送样业界容量领先的 LPDRAM 模块 256GB SOCAMM2，进一步巩固其在低功耗服务器内存领域的领导地位。依托业界首款单晶粒 32Gb LPDDR5X 设计，这一里程碑式成就为 AI 数据中心带来变革性突破，提供足以实现全新系统架构的低功耗内存容量。　　AI 训练、推理、代理式 AI 和通用计算的融合，正推动更严苛的内存需求，并重塑数据中心的系统架构。现代 AI 工作负载催生了大模型参数、扩展的上下文窗口及持久性键值(KV)缓存的需求，而核心计算则在数据强度、并发性和内存空间方面持续扩展。　　面对上述工作负载，内存容量、带宽效率、延迟和能效已成为系统层面的主要瓶颈，直接影响性能、可扩展性和总体拥有成本。LPDRAM 融合上述特性的独特优势，在功耗与散热限制日益严苛的数据中心环境中，成为 AI 及核心计算服务器的关键解决方案。美光正与 NVIDIA 携手合作，共同设计高性能内存解决方案，以满足先进 AI 基础架构的需求。　　美光高级副总裁暨云端存储事业部总经理 Raj Narasimhan 表示：“美光 256GB SOCAMM2 为 AI 及高性能计算(HPC)提供更具能效的 CPU 附加内存解决方案。此次产品发布充分展现出美光在技术与封装领域的突破，打造业界容量领先、低功耗、小尺寸的模块化内存解决方案。美光在数据中心低功耗内存解决方案领域持续保持领先地位，这一独特优势使我们率先推出单晶粒 32Gb LPDRAM，协助推动业界加速采用更节能、更高容量的系统架构。”　　专为容量、能效和工作负载性能优化而设计　　美光的 256GB SOCAMM2 为各种 AI 和通用计算工作负载提供更高的内存容量、更低的功耗，以及更快的性能。　　为 AI 服务器扩展内存容量：256GB SOCAMM2 容量较前代最高规格 192GB SOCAMM2 提升三分之一，可为每颗 8 通道 CPU 提供 2TB LPDRAM 容量，从而支持更大的上下文窗口及更复杂的推理工作负载。　　功耗更低、尺寸更小：与相同容量的 RDIMM 相比，SOCAMM2 的功耗仅为其三分之一，尺寸亦缩减至三分之一，有效提升机架密度并降低总体拥有成本。1　　提升推理与核心计算性能：在统一内存架构中，与现有解决方案相比，256GB SOCAMM2 用于 KV 缓存卸载时，可将长上下文、实时 LLM 推理的首个 token 生成时间加速 2.3 倍。2在独立 CPU 应用中，针对高性能计算工作负载，LPDRAM 的每瓦性能较主流内存模块提升超 3 倍。3　　易维护、可扩展的模块化设计：模块化 SOCAMM2 设计可提升设备可维护性、支持液冷服务器架构，并能随着 AI 与核心计算内存需求的持续增长，实现未来容量扩充。　　NVIDIA 数据中心 CPU 产品部门主管 Ian Finder 表示：“先进 AI 基础架构需要在各个层面进行极致优化，才能有效应对严苛的 AI 推理工作负载对性能与能效的需求。美光通过 256GB SOCAMM2，以低于传统服务器内存的功耗，实现超大内存容量与带宽的突破，为下一代 AI CPU 提供关键助力。”　　推动行业标准制定　　加速低功耗内存普及　　美光在 JEDEC SOCAMM2 规范制定过程中持续发挥领导作用，并维持与系统设计人员的深度技术合作，以推动下一代数据中心平台在能效与性能方面实现全行业性提升。　　美光现已面向客户送样 256GB SOCAMM2 产品，并提供业界最全面的数据中心 LPDRAM 产品组合，涵盖 8GB 至 64GB 组件及 48GB 至 256GB 的 SOCAMM2 模块。　　1三分之一的功耗依据单个 128GB、128 位总线宽度 SOCAMM2 模块与两个 64GB、64 位总线宽度 DDR5 RDIMM 的功耗瓦数对比计算。三分之一的尺寸依据 SOCAMM2 的面积( 14x90 mm)与标准服务器 RDIMM 的面积之比。　　2结果基于美光内部测试，使用 Llama3 70B 模型(FP16 量化)进行实时推理测试，测试配置为：上下文长度 500K，并发用户数 16。首 token 响应时延(TTFT)的预期提升，基于每 CPU 配置 2TB LPDRAM 时延 0.12 秒，对比每 CPU 配置 1.5TB LPDRAM 时延 0.28 秒测算。有关测试条件详情，请参阅本月稍早发布的白皮书：LPDDR at Scale: Enabling Efficient LLM Inference Through High-Capacity Memory。　　3美光内部测试使用相同容量的 LPDDR5X 和 DDR5 进行 Pot3D 太阳物理 HPC 代码性能测评。
2026-03-06 11:37 reading：332
美光最新突破!
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美光最新突破!

　　在退出消费级内存和固态硬盘(SSD)市场之后，美光把重点转向了企业级市场，尤其是在人工智能(AI)领域加大了投入。当地时间3月3日，美光宣布推出业界首款单条256GB SOCAMM2内存模组，已向客户启动出样及出货。该产品搭载全球首款单芯片32Gb LPDDR5X DRAM颗粒，实现存储技术新突破。　　SOCAMM2 是一种专为数据中心、高性能计算和人工智能设计的低功耗内存模块。它基于 LPDDR5/5X 的标准，结合了 CAMM 的模块化设计，未来还有望支持 LPDDR6。这个技术最大的优点就是省电、节省空间，而且维护起来也方便。它正好填补了 HBM(高带宽内存)和传统 DDR 之间的性能和成本空缺。相较前代最高容量192GB SOCAMM2，该产品容量提升约三分之一。在8通道单路服务器中，可支持2TB系统内存配置，适配12通道双路服务器时更可拓展至6TB系统容量，助力AI服务器轻松处理超长上下文窗口与复杂推理任务。美光还表示，在处理长文本的大型语言模型推理任务时，他们让第一个字生成的时间快了2.3倍。而在单独使用CPU的应用中，能效提升了最多3倍。　　目前美光正与英伟达紧密合作开发下一代内存解决方案，英伟达下一代AI超级计算平台Vera Rubin将成为首批采用该内存标准的产品之一。该内存模组计划在GTC 2026大会上正式展出。
2026-03-05 11:49 reading：330
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