长江存储NAND闪存芯片有望在光谷实现量产
4月11日，国家存储器基地项目芯片生产机台正式进场安装，这标志着国家存储器基地从厂房建设阶段进入量产准备阶段。长江日报记者了解到，设备搬入、调试将耗费3个月左右的时间，然后开始小规模试产，如顺利，今年四季度，中国首批拥有完全自主知识产权的32层三维NAND闪存芯片有望在光谷实现量产。
去年9月，国家存储器基地项目（一期）一号生产及动力厂房提前一个月实现封顶；如今，又提前20天实现了芯片生产机台搬入。紫光集团董事长兼长江存储董事长赵伟国介绍，生产机台搬入对生产环境的要求很高，必须放在无尘室中并且提供相应的保障支持。因此，机台搬入说明厂房内部的洁净室、电气设备等内部装修已经陆续完成，这比厂房封顶的技术含量更高，难度更大。
9个月建设工厂，7个月实现机台搬入，建设节点不断提前。国家存储器基地项目上，一度达到同时有6000人施工的规模，昼夜奋战。生产机台搬入是重要节点，据了解，当天搬入的设备只是第一台，随后要陆续从世界各地搬入各类高精密的芯片生产机台进行调试，数量达2000多台。设备调试完成后，才可以规模量化生产芯片。
按照计划，今年四季度，设备有望点亮投产。紫光集团全球执行副总裁、长江存储执行董事长高启全透露，今年将量产的产品，是去年成功研发的中国首颗32层三维NAND闪存芯片，就在4月9日，这颗耗资10亿美元、由1000人团队历时2年自主研发的芯片，获得中国电子信息博览会（CITE2018）金奖。这是我国在制造工艺上最接近国际高端水平的主流芯片，将有望使中国进入全球存储芯片第一梯队，有力提升“中国芯”在国际市场的地位。
“但这仅是刚刚开始。”高启全接受访问时措辞谨慎。他介绍，32层三维NAND闪存芯片量产后，不会上很高的产量，“更主要的是完成完全自主技术积累，若技术不够好，不会硬冲产量”。
目前，全球存储器芯片技术主要掌握在韩、日、美等国企业手中，属于相对垄断市场。去年6月，三星宣布64层NAND闪存开始大规模量产。这些技术和产品，将推动以TB为单位的固态盘以及128GB以上的手机闪存迅速普及。
有数据显示，2017年全球闪存芯片销量超过500亿美元，同比增加45%，预计2020年销量超过1000亿美元。中国市场进口超过半数，中国企业自主生产的存储芯片基本上是空白。随着需求量的激增，近3年来，全球存储芯片的价格不断上涨。
“板凳要坐十年冷。”赵伟国说，未来的道路还很艰难漫长，要坚定信心、保持定力，“我们希望5年站稳脚跟，别人没法把我们打出去，但真正的成功需要10年时间”。
高启全接受媒体采访时也有类似表述，“前五年追赶技术，后五年增加产量”。他说，目前长江存储完成了32层三维NAND闪存芯片的自主研发，也将投入量产，但产量和成本还不足以影响市场。“后发优势是不会走太多冤枉路，速度更快一点，但别人也在跑，追上去仍要花力气、花时间”，高启全说，64层闪存产品研发也在迅速进行，力争2019年底实现产能爬坡量产，这样，就能把与全球领先大厂的差距缩短在2年以内，“希望用5年左右接近世界先进水平”。
在线留言询价
- 一周热料
- 紧缺物料秒杀
| 型号 | 品牌 | 询价 |
|---|---|---|
| RB751G-40T2R | ROHM Semiconductor | |
| CDZVT2R20B | ROHM Semiconductor | |
| BD71847AMWV-E2 | ROHM Semiconductor | |
| MC33074DR2G | onsemi | |
| TL431ACLPR | Texas Instruments |
| 型号 | 品牌 | 抢购 |
|---|---|---|
| TPS63050YFFR | Texas Instruments | |
| BP3621 | ROHM Semiconductor | |
| BU33JA2MNVX-CTL | ROHM Semiconductor | |
| STM32F429IGT6 | STMicroelectronics | |
| IPZ40N04S5L4R8ATMA1 | Infineon Technologies | |
| ESR03EZPJ151 | ROHM Semiconductor |
AMEYA360公众号二维码
识别二维码，即可关注
