中芯国际将在2018年下半年量产28nm HKC+工艺,2019年上半年开始试产14nm FinFET工艺。
晶圆制造是目前芯片设计环节的中上游重要组成部分,国际上一直处在半垄断竞争态势中。台积电、三星、Intel等国际巨头的晶圆工艺使他们科技力量的重要源泉。日前,中芯国际传来了中国晶圆好消息。
中芯国际将在2018年下半年量产28nm HKC+工艺,2019年上半年开始试产14nm FinFET工艺,并借此进入AI芯片领域。
中芯国际目前的联席CEO梁孟松表示,28nm工艺在整个2018年将占据中芯国际出货量的5-10%,其中新的28nm HKC占比将基本接近28nm Poly-SiON。
2017年第四季度,中芯国际深圳200毫米晶圆厂的产能为442750块晶圆,2018年第一季度提升至447750块,平均产能利用率也提高到88.3%。
同时,来自电源管理IC的需求也越来越高,200毫米晶圆厂正全力生产,高压BCD工艺则转向其300毫米晶圆厂。
2017年,中芯国际收入31.01亿美元,同比增长6.4%,毛利率23.9%,同比下降5.3个百分点,净利润10.81亿美元,同比增长10.6%。
其中,28nm工艺贡献的收入增长4.4倍创造新高,总体占比为8.0%,
中芯国际联席CEO赵海军透露,2018年第一季度中芯国际收入8.31亿美元,毛利率26.5%,研发投入1.23亿美元,预计第二季度收入环比增长7-9%,毛利率23-25%。
中芯国际40%的收入都来自中国内地,梁孟松此前曾任职台积电,被称为能为中芯国际带来巨大进步的推动者。
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