美光(Micron)及英特尔(Intel)昨(18)日共同宣布在3D NAND存储器合作开发计划的最新进展,双方已同意第二代3D XPoint技术开发的共同合作,预计将于2019上半年完成,之后更先进的技术开发将由两家公司各自进行,以发展出最佳的技术,以因应自家产品和业务的需求。也就是说,双方在NAND Flash市场长达14年的合作,将在明年下半年拆伙。
美光及英特尔在2006年合资成立IMFT公司,共同投入NAND Flash技术研发及量产,2015年共同完成3D XPoint技术研发,并开始量产3D NAND。虽然双方决定在完成第二代3D XPoint技术研发后,将在2019年下半年拆伙,不过两家公司仍将在犹他州李海(Lehi)的合资厂IMFT持续量产基于3D XPoint技术的存储器。
美光及英特尔共同开发的3D XPoint技术,将非挥发性存储器的速度提升到NAND Flash的1,000倍,由英特尔及美光共同发明独特的复合材料与十字交叉架构,让新存储器技术的密度比传统存储器高10倍。
美光在2016年发布采用3D XPoint的QuantX产品,但并未真正上市,英特尔则推出搭载3D XPoint的Optane固态硬盘,并已开始上市销售,对美光来说,其实仍仰赖英特尔采购其过剩的3D XPoint产能。
美光执行长Sanjay Mehrotra近期法人说明会中提及,美光对英特尔3D XPoint销售迟滞,导致美光必须摊销过剩产能,获利因此受到影响。美光还表示未来可能不再对英特尔销售3D XPoint,当时市场已认为美光及英特尔的NAND Flash合作业务将拆伙,而美光及英特尔昨日宣布明年下半年将各自研发适合各自业务的3D XPoint,也证实了双方未来在NAND Flash市场将是「兄弟登山、各自努力」。
美光技术开发执行副总裁Scott DeBoer表示,美光在存储器发展上拥有40年的研发创新专业地位,将继续推动发展下一代3D XPoint技术,此一技术将有助于美光的客户享有独特的存储器和储存性能优势。透过独立开发3D XPoint技术,美光得以为自家的产品规画蓝图。
英特尔非挥发性存储器解决方案事业群资深副总裁暨总经理Rob Crooke表示,英特尔已推出广泛的Optane产品组合,并且与全球最先进运算平台的直接连结,在IT和消费应用方面已有突破性的成果。英特尔将延续此一发展动能,结合高密度3D NAND技术,扩大在Optane的领先地位,为现今运算和储存需求提供最佳解决方案。
在线留言询价
型号 | 品牌 | 询价 |
---|---|---|
CDZVT2R20B | ROHM Semiconductor | |
MC33074DR2G | onsemi | |
BD71847AMWV-E2 | ROHM Semiconductor | |
RB751G-40T2R | ROHM Semiconductor | |
TL431ACLPR | Texas Instruments |
型号 | 品牌 | 抢购 |
---|---|---|
BP3621 | ROHM Semiconductor | |
ESR03EZPJ151 | ROHM Semiconductor | |
BU33JA2MNVX-CTL | ROHM Semiconductor | |
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 | Infineon Technologies | |
STM32F429IGT6 | STMicroelectronics | |
TPS63050YFFR | Texas Instruments |
AMEYA360公众号二维码
识别二维码,即可关注