业界人士表示,DRAM价格截至目前为止已连涨九季,是历来产业最长的多头,但三星、SK海力士及美光等三大指标厂动态成为接下来市况走势关键。
近期已有市调机构示警,DRAM价格出现松动迹象,主要就是这些指标厂新产能陆续开出,进而终止多头走势。
据了解,三星原本规划在旗下LINE 16厂二楼进行扩产,建置一条月产6.5万片新产线,并于上半年完成第一阶段每月增产3.5万片,原订本季再增加另外的3万片,但此计划已决定延至今年12月再视情况启动。
三星未透露延后此次扩产时间的原因。业界分析,三星的财报当中,记忆体已是集团获利最大来源,占集团总获利比重高达78%,其中超过七成来自DRAM,在DRAM供需结构中,原本的供给缺口在各家去瓶颈填补下,逐渐缩小,导致近期市况开始松动。
三星目前月产能逾40万片,每月增产3万片DRAM,等于让全球DRAM产能增3%, 据悉,三星考量若此时再开出每月3万片产能,将改变原本DRAM市场供不应求局面,恐进一步变成供给过剩,挑动市场敏感神经,导致DRAM价格转跌。
三星延后DRAM增产计划,也有法人圈认为进入1x/1y奈米微缩程后,技术难度提高,在良率未明显改善下,干脆延后。
DRAM制程由20纳米往1x/1y纳米微缩,不仅新产能的设备投资金额创下新高,但晶圆良率提升脚步缓慢,导致单位成本降幅明显低于预期。外资分析师指出,在晶圆良率同样在85%的假设下,三星1y纳米8Gb DDR4单位成本仅比上一代1x纳米减少约11%,也就是说,将1y纳米DDR4良率低于80%,代表单位成本降幅将低于6%,若晶圆良率低于75%,1y纳米与1x纳米的DDR4成本几乎相同,代表制程微缩失去意义。
不过从多方角度分析,三星不愿破坏好不容易建立的DRAM获利模式,进而冲击集团整体获利,应该是最大关键。
DRAM价格已近高点 Q4恐松动
根据TrendForce内存储存研究(DRAMeXchange)最新调查,正值八月中旬,厂商陆续开始议定第四季价格,原先业界普遍预期价格仍将持平开出,但由于供给持续增加,需求则不见明显回温,因此第四季整体DRAM价格走弱的机会逐渐升高。
DRAMeXchange指出,以第三季的价格来看,产品属性类似的PC DRAM与服务器内存季涨幅均仅1-2%;移动型内存与利基型内存价格持平;而绘图用内存已经开始跌价。由现货市场来观察,价格从今年年初开始一路下滑,在六月底正式低于合约价,已经预告DRAM整体价格即将走弱的可能性。
展望2019年,在各厂商持续转进1X/1Y工艺,以及SK海力士无锡新厂可望开始投片的影响下,供给位成长将大于需求,预估整体DRAM价格将持续下滑,年衰退幅度约在15-25%。
PC DRAM与服务器内存报价持平或小幅下修
PC DRAM虽然占总产出的比重低于15%,但由于该产品对供需变化高度敏感,因此扮演所有产品别价格走势的先行指针。虽然第四季各PC OEM厂处于旺季需求,但由于各家库存水位与年初相比持续增加,加上业界对2019年价格走弱似乎已有共识,因此并不急于在此时回补库存。DRAMeXchange认为,第四季PC DRAM价格在最乐观的情况下仅可能持平开出,但也可能开始小幅下滑。
至于服务器内存,现阶段由于原厂持续提高服务器产品比重,服务器内存供给达标率在第三季显著提升,有助于改善供需失衡的状况。然而,第四季实际供需状况仍视中国与北美地区数据中心的需求而定,预期报价将有较高机会持平开出,但也不排除下修的可能。
移动型内存吃紧状况改善,价格持平或反转走跌
展望第四季智能手机市场需求表现,受惠iPhone新机以及Android阵营旗舰新机的需求带动,预估整季生产数量将较第三季成长5-10%,进而推升对移动型内存需求。供给方面,三星平泽新厂第四季的产能将小幅增加,SK海力士、美光等则受惠于新工艺转进以及良率提升等挹注,移动型内存市场的供货满足率(Order fulfillment rates)将获得改善,整体供需状况将优于上半年。DRAMeXchange预估,第四季移动型内存合约价格将有机会呈现持平或出现反转,以分离式来说,价格将落在持平到下跌2%的区间;eMCP则因NAND Flash的持续降价,价格将较第三季调降2-5%。
利基型内存方面,下半年虽是消费性电子产品传统旺季,但目前终端的拉货需求并未出现明显抬升。以利基型内存消耗量第二大的机顶盒(Set-top box)来看,上半年需求并不强烈,造成库存水位偏高,连带影响下半年的拉货力道,预估全年销量将小幅下滑。整体而言,在第三季利基型内存合约价格仅持平开出,但现货价已开始下跌的情况下,第四季合约价格反转向下的机会已升高,其中DDR4因与同容量DDR3产品有超过20%的价差,跌幅恐更大。
在线留言询价
型号 | 品牌 | 询价 |
---|---|---|
TL431ACLPR | Texas Instruments | |
RB751G-40T2R | ROHM Semiconductor | |
CDZVT2R20B | ROHM Semiconductor | |
BD71847AMWV-E2 | ROHM Semiconductor | |
MC33074DR2G | onsemi |
型号 | 品牌 | 抢购 |
---|---|---|
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 | Infineon Technologies | |
BP3621 | ROHM Semiconductor | |
BU33JA2MNVX-CTL | ROHM Semiconductor | |
TPS63050YFFR | Texas Instruments | |
ESR03EZPJ151 | ROHM Semiconductor | |
STM32F429IGT6 | STMicroelectronics |
AMEYA360公众号二维码
识别二维码,即可关注