内存价格结束“超级上涨周期” 海力士三星按下预警键

发布时间：2018-10-29 00:00
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来源：第一财经日报
阅读量：1730

上涨了两年多的内存市场近期开始出现波动。

近日，韩国存储器大厂SK海力士表示，为了应对2019年包括NAND Flash快闪存储器及DRAM的价格的下跌，公司决定不但将自2018年底前开始减少投资规模，还将监控并调整2019年的产能。同时，另一家内存市场巨型玩家三星也表示，将放缓存储器半导体业务的扩张步伐。据了解，三星2018年下半原计划对DRAM及NAND Flash进行新投资，但现在或将延至2019年，取而代之的是对现有产线进行补强投资。

内存价格结束“超级上涨周期” 海力士三星按下预警键

目前三星、SK海力士、美光在DRAM产业的市占率达到90%以上，而中国更是全球最主要的存储芯片消费国，过去受存储芯片涨价因素，2017年，中国进口存储芯片889.21亿美元，同比2016年的637.14亿美元增长39.56%。

集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)研究副总经理郭祚荣对第一财经记者表示，内存价格下滑的主要原因在于客户的库存变高以及市场逐步走入淡季，而导致客户需求变低的原因在于终端需求不佳。

“整体第四季度价格已经下跌，预计明年整年下跌的趋势可能性高，上半年跌幅将较为剧烈。”郭祚荣对记者说。

根据集邦咨询半导体研究中心的最新调查显示，虽然下半年是产业旺季，但市场持续供过于求，DRAM第三季合约价格季涨幅缩小到仅有1%到2%，第四季可能反转下跌5%，也不排除跌幅持续扩大的可能性，终结价格连续九个季度上涨的超级周期(super cycle)。而NAND Flash均价在第三季下跌约10%之后，第四季因受中美贸易摩擦波及，预估跌幅将大于第三季，扩大至约10~15%，渠道市场主流3D TLC颗粒合约价跌幅甚至将超过15%。

对于中国市场的影响，郭祚荣认为，中国存储行业玩家明年才刚进入量产，投片无大幅增加下，价格下跌衝击不大。他对记者表示，厂商应该先视求品质上的稳定为首要任务。

这两年，随着智能手机等终端设备的崛起，中国市场对于全球DRAM和NAND的消化量已经高达20%与25%，为存储器最大需求国。

据记者了解，存储在手机中的成本已经达到25%-35%，同时，由于存储芯片涨价过快，已引发了包括手机、固态硬盘、内存条等产品的陆续涨价。其中，疯狂的内存条则是一年内涨幅300%。

而随之而来的内存价格飙涨也让不少投机者赚到了不少钱，炒内存条被称为“比炒房还要赚钱的生意”。”

从2016年第二季度开始，DRAM（主要包括PC内存、移动式内存、服务器内存）价格一路飙升，每个季度都在刷新销售额纪录。在2017年底、2018年5月，中国反垄断机构就以持续涨价问题分别约谈三星、美光。

根据美光、三星、海力士财报统计，2017年，三家公司的半导体业务在中国营收分别为103.88亿美元、253.86亿美元、89.08亿美元，总计446.8亿美元，同比2016财年的321亿美元增长39.16%。

虽然对未来的芯片价格表现出了担忧，但SK海力士在7月至9月的营业利润同比依然增长73％至6.5万亿韩元（57亿美元）。根据信息巨头Refinitiv的数据，Sk第三季度的实际收益超出19位分析师的平均预测——6.3万亿韩元。与去年同期相比，SK海力士销售额增长41％，创下11.4万亿韩元的历史新高。

国内目前三大内存基地长江存储，合肥长鑫，福建晋华等由于技术原因，还未对三星造成威胁。但近日，传闻台积电也将进入内存领域，台积电表示，不排除收购内存芯片企业，这意味着台积电将有可能直接在DRAM领域中与三星正面较量。

有分析指出，虽然三星和海力士等有意控制上游出货节奏，但随着中国厂商的逐步量产以及台积电的规划都有可能对接下来的存储市场格局带来变数。

（备注：文章来源于网络，信息仅供参考，不代表本网站观点，如有侵权请联系删除！）

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