据中国台湾地区工研院产科国际所预估,未来5G高频通讯芯片封装可望朝向AiP技术和扇出型封装技术发展。法人预期台积电、日月光和力成等可望切入相关封装领域。
展望未来5G时代无线通讯规格,工研院产业科技国际策略发展所产业分析师杨启鑫表示,可能分为频率低于1GHz、主要应用在物联网领域的5G IoT;以及4G演变而来的Sub-6GHz频段,还有5G高频毫米波频段。
观察5G芯片封装技术,杨启鑫预期,5G IoT和5G Sub-6GHz的封装方式,大致会维持3G和4G时代结构模组,也就是分为天线、射频前端、收发器和数据机等四个主要的系统级封装(SiP)和模组。
至于更高频段的5G毫米波,需要将天线、射频前端和收发器整合成单一系统级封装。
在天线部分,杨启鑫指出,因为频段越高频、天线越小,预期5G时代天线将以AiP(Antenna in Package)技术与其他零件共同整合到单一封装内。
除了用载板进行多芯片系统级封装外,杨启鑫表示,扇出型封装(Fan-out)因可整合多芯片、且效能比以载板基础的系统级封装要佳,备受市场期待。
从厂商来看,法人预估台积电和中国大陆江苏长电科技积极布局,此外日月光和力成也深耕面板级扇出型封装,未来有机会导入5G射频前端芯片整合封装。
在线留言询价
型号 | 品牌 | 询价 |
---|---|---|
CDZVT2R20B | ROHM Semiconductor | |
TL431ACLPR | Texas Instruments | |
MC33074DR2G | onsemi | |
RB751G-40T2R | ROHM Semiconductor | |
BD71847AMWV-E2 | ROHM Semiconductor |
型号 | 品牌 | 抢购 |
---|---|---|
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 | Infineon Technologies | |
TPS63050YFFR | Texas Instruments | |
BP3621 | ROHM Semiconductor | |
ESR03EZPJ151 | ROHM Semiconductor | |
STM32F429IGT6 | STMicroelectronics | |
BU33JA2MNVX-CTL | ROHM Semiconductor |
AMEYA360公众号二维码
识别二维码,即可关注