存储芯片一跌再跌，三星/美光/SK海力士等只能走上削减产能之路？

发布时间：2019-03-25 00:00
作者：互联网
来源：互联网
阅读量：1625

　　在经历了2017年的价格猛涨之后，2018年上半年DRAM以及NAND FLASH价格仍维持在一定高位，但是进入四季度，全球DRAM及NAND FLASH市场价格出现大幅下跌。

存储芯片一跌再跌，三星/美光/SK海力士等只能走上削减产能之路？

　　根据DigiTimes的调研数据显示，2018年第四季度，三星电子、SK海力士、美光的内存、闪存总收入同比大跌了26％，环比也减少了18％，其中DRAM下滑了17％、NAND FLASH下滑了20％。

　　另外，集邦咨询旗下的半导体研究中心（DRAMeXchange）的统计数据也显示，2018年第四季度全球DRAM行业总收入228．85亿美元，环比下跌18．3％，其中前三名三星电子、SK海力士、美光分别跌了25．7％、12．3％、9．2％，三者合计份额高达恐怖的96．0％。之后的南亚、华邦也分别跌了30．8％、16．8％，只有排名第六的力晶涨了10．3％。

　　同期NAND FLASH行业总收入141．6亿美元，环比下跌16．8％，其中前四强三星电子、东芝、美光、西数分别跌了28．9％、14．7％、2．2％、14．2％，四家合计份额80．4％。

　　进入2019年，DRAM价格下滑趋势进一步加剧。DRAMeXchange预计2019年一季度DRAM合约价格跌幅预计从之前预测的25％扩大到30％，这将是自2011年以来DRAM芯片价格单季度最大跌幅。

　　随后，美光公布的2019会计年度第2季（截至2月28日）财报也证显示，美光当季营收降至58．35亿美元，与去年同期相比少了2成，也较上一季下滑了26．3％，这也是两年多来首度衰退。同事，美光还预测2019财年第三季度，收入将连续下降约17％至46．5亿美元，毛利率将从上一季度的50％下滑至37－40％。而造成美光营收及毛利大幅下滑的主要原因则是DRAM／NAND FLASH价格的持续下滑。

　　而为了避免的DRAM／NAND FLASH价格的持续下滑，对应营收及毛利带来的不利冲击，美光计划通过削减产能来进行调控！

　　近日美光宣布计划将其DRAM和NAND FLASH产品的产量削减5％，并将资本支出将调降5亿美元，用以抵消内存价格下跌带来的影响。

　　而除了美光之外，三星、海力士等公司此前宣布计划削减2019年的资本支出以减少NAND Flash、DRAM 的产能，三星还计划增加其晶圆代工在市场上的份额以弥补储存芯片降价导致的损失。


（备注：文章来源于网络，信息仅供参考，不代表本网站观点，如有侵权请联系删除！）

上一篇：苹果发布会发布了什么？

下一篇：1739台积电新建一座8英寸厂，专门为苹果Apple car提供芯片？

在线留言询价

相关阅读
三星电子开发出其首款基于第八代V-NAND的车载SSD
行业新闻

三星电子开发出其首款基于第八代V-NAND的车载SSD

　　256GB AM9C1使用先进的V-NAND技术，　　5nm制程控制器，　　提供SLC模式选项，速度目前为三星最快　　更高的性能和可靠性，　　使此款SSD支持端侧AI功能，　　更适配下一代车载解决方案　　2024年9月24日，三星电子今日宣布成功开发其首款基于第八代V-NAND技术的PCIe 4.0车载SSD。三星新款AM9C1车载SSD凭借行业前沿的速度和更高的可靠性，成为适配车载应用端侧人工智能功能的解决方案。　　三星新款256GB AM9C1车载SSD相比前代产品AM991，能效提高约50%，顺序读写速度分别高达4,400MB/s和400MB/s。　　“三星电子副总裁兼存储器事业部　　汽车业务负责人Hyunduk Cho表示：　　我们正在与全球自动驾驶汽车厂商合作，为这些企业提供高性能、高容量的车载产品。三星将继续推动涵盖从自动驾驶到机器人技术的物理人工智能(Physic AI)¹ 存储器市场的发展。”　　AM9C1基于三星的5纳米(nm)控制器，提供单层单元(SLC)命名空间²功能，其优异的性能让访问数据密集型文件更为轻松。用户将初始的三层单元(TLC)状态切换至SLC模式，即可体验大幅提升的读写速度，其中读取速度高达4,700MB/s，写入速度高达1,400MB/s，同时还能享有SLC SSD可靠性增强所带来的优势。　　当前，三星的主要合作伙伴正在进行256GB版本AM9C1的样品测试，这款产品预计将于今年年底开始量产。为了满足对高容量车载SSD日益增长的需求，三星计划推出128GB到2TB等多种容量规格的AM9C1存储器产品阵容。其中最大的2TB SSD预计将在明年年初开始量产。　　三星的新款车载SSD通过了更为严苛的板级测试，能够满足汽车半导体质量标准AEC-Q100³的2级温度测试标准，在-40°C至105°C宽幅的温度范围内能保持稳定运行。　　为了进一步满足汽车行业在可靠性和稳定性方面的高标准，三星电子获得了基于ISO/SAE 21434标准的CSMS⁴(网络安全管理体系)认证。今年3月，三星的车载UFS 3.1产品通过了ASPICE⁵(汽车软件过程改进与能力评定)CL3认证。　　“三星电子存储器事业部　　执行副总裁Hwaseok Oh表示：　　ASPICE和ISO/SAE 21434认证是证明三星技术可靠性和稳定性的里程碑。三星将继续提升产品的稳定性和品质，为关键合作伙伴提供优秀解决方案。”
2024-09-24 10:07 阅读量：531
三星宣布携手高通，助力高级车载信息娱乐与高级驾驶员辅助系统
行业新闻

三星宣布携手高通，助力高级车载信息娱乐与高级驾驶员辅助系统

　　三星LPDDR4X车载内存通过高通汽车模组验证　　强大的车载存储解决方案产品阵容　　将确保供应链长久、稳定、可靠。　　2024年8月27日，三星电子今日宣布，其用于高级车载信息娱乐(IVI)和高级驾驶辅助系统(ADAS)的LPDDR4X车载内存，已通过高通最新的骁龙® 数字底盘™平台验证。这不仅证明了三星LPDDR4X车载存储器的卓越性能，也体现了三星在汽车应用领域的深厚技术实力和长期支持客户的坚实承诺。　　▲三星和高通携手共同助力高级车载信息娱乐(IVI)　　和高级驾驶员辅助系统(ADAS)　　“三星电子副总裁兼存储器事业部　　汽车业务负责人Hyunduk Cho表示：　　三星丰富的DRAM和NAND车规产品组合，且均通过了AEC-Q100¹ 验证。因此，三星是高通技术公司携手共进、为客户打造长期解决方案的理想伙伴，三星凭借在存储器解决方案领域的设计、生产和封装能力的领先优势，不仅能够提供快速的开发周期，同时能够保障可靠性、验证和卓越的产品控制，满足汽车行业的严格要求。　　AEC-Q100标准是针对车载封装集成电路产品的应力测试标准。　　三星正在开发下一代LPDDR5车规芯片，预计今年第四季度可以提供样品。LPDDR5将能够支持三星车轨内存能达到的最高数据传输速度，即每秒9.6千兆位(Gbps)，即使在极端温度条件下，依旧保持卓越性能。
2024-08-27 11:02 阅读量：564
三星于联发科技天玑旗舰移动平台完成其最快LPDDR5X验证
行业新闻

三星于联发科技天玑旗舰移动平台完成其最快LPDDR5X验证

　　三星的10.7Gbps LPDDR5X　　在联发科技下一代天玑移动平台上完成验证　　新款DRAM的功耗降低　　和性能提升均达25%左右，　　可延长移动设备的电池续航时间，　　并显著提升设备端AI功能的性能　　三星今日宣布，已成功在联发科技的下一代天玑旗舰移动平台完成其最快的10.7千兆比特/秒(Gbps)LPDDR5X DRAM验证。　　此次10.7Gbps运行速度的验证，使用三星的16GB LPDDR5X封装规格，基于联发科技计划于下半年发布的天玑9400旗舰移动平台进行。两家公司保持密切合作，仅用三个月就完成了验证。　　三星电子内存产品规划　　执行副总裁YongCheol Bae表示：　　通过与联发科技的战略合作，三星已验证了其最快的LPDDR5X DRAM，该内存有望推动人工智能(AI)智能手机市场。三星将继续通过与客户的积极合作进行创新，并为设备端人工智能时代提供优秀解决方案。　　联发科技资深副总经理暨无线通信　　事业部总经理徐敬全博士表示：　　通过与三星电子的合作，联发科技的下一代天玑旗舰移动平台成为首个在三星高达10.7Gbps LPDDR5X运行速度下得到验证的产品，为即将推出的设备带来惊艳的AI功能和移动性能。这种更新的架构将为开发人员和用户带来更好的体验，在提升AI能力和丰富设备功能的同时，有效降低对电池寿命的影响。　　三星的10.7Gbps LPDDR5X的功耗较前代降低25%左右，性能较前代提升约25%。这可以延长移动设备的电池续航时间并增强设备端AI性能，从而提高AI功能的速度(如语音文本生成)，而无需服务器或云访问。　　随着设备端AI市场的扩展，尤其是AI智能手机，节能、高性能的LPDDR DRAM解决方案变得越来越重要。通过与联发科技的验证，三星正在巩固其在低功耗、高性能DRAM市场的技术前沿地位，并有望将应用范围从移动设备扩展到服务器、PC和汽车设备。
2024-07-16 09:18 阅读量：419
三星美国厂或于2026年生产2nm
行业新闻

三星美国厂或于2026年生产2nm

　　随着行业竞争演变，三星或将调整其先进制程生产战略。据报道，三星正采取措施，将其位于德克萨斯州泰勒市的晶圆厂的生产开始时间定在2026年(而不是2024年)，并可能从2nm制造工艺开始。　　三星泰勒晶圆厂原计划将于2024年底开始生产4nm节点，但三星可能会在2024年第三季度做出转向2nm的决定。目前，三星正在放缓芯片制造设备订单，等待决定是否启动2nm制造工艺。　　此前，三星曾于2021年11月宣布斥资170亿美元建造其第一家泰勒工厂，以及其位于德克萨斯州的第二家工厂，但据称该预算已上涨至约200亿美元。　　行业分析认为，三星泰勒工厂初始生产节点以及开始生产的时间的一个考虑因素可能是，市场采用人工智能的速度以及对尖端芯片的需求。目前，三星的代工竞争对手台积电已经在为市场领导者英伟达生产3nm尖端工艺制程。　　与此同时，苹果、AMD、高通、英特尔、联发科等大厂都投产台积电3nm，为了应对产能供不应求，台积电规划今年3nm产能将比去年增加三倍。　　另据报道，三星电子最新的3nm芯片Exynos2500良率，相比第一季的“个位数”有所提升，但目前良率仍略低于20%，难以达到量产标准，未来能否用于GalaxyS25系列旗舰智能手机还尚未确定。但三星正在全力提高良率，以在今年10月之前将Exynos2500芯片良率提升至60%。　　此外，与其他代工厂的竞争形势也可能是三星调整泰勒工厂生产规划的一个因素。目前，英特尔预计将在2024年推出其20A和18A(2nm和1.8nm)工艺。台积电预计将在2025上半年推出2nm工艺，而Rapidus表示计划于2025年4月在试验线上使用IBM授权的2nm工艺生产芯片，并于2027年实现量产。　　三星最近根据《CHIPS法案》获得美国政府66亿美元的奖励，作为回报，三星承诺投资240亿美元在泰勒建造第二座晶圆厂。无论如何，泰勒晶圆厂将在三星产能规划中变得更为重要，但三星最终是否会将最先进的工艺在美国投产还有待观察。
2024-07-01 13:34 阅读量：455
热门分类
盒子，外壳，机架 电缆，电线 电路保护 连接器，互连器件 开发套件 机电产品 嵌入式解决方案 风扇，热管理 光电元件 其它 无源元件 电源 半导体 传感器，变送器 测试与测量
  • 一周热料
  • 紧缺物料秒杀
型号 品牌 询价
MC33074DR2G onsemi
RB751G-40T2R ROHM Semiconductor
CDZVT2R20B ROHM Semiconductor
BD71847AMWV-E2 ROHM Semiconductor
TL431ACLPR Texas Instruments
型号 品牌 抢购
STM32F429IGT6 STMicroelectronics
BU33JA2MNVX-CTL ROHM Semiconductor
TPS63050YFFR Texas Instruments
ESR03EZPJ151 ROHM Semiconductor
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 Infineon Technologies
BP3621 ROHM Semiconductor
热门标签
ROHM
Aavid
Averlogic
开发板
SUSUMU
NXP
PCB
传感器
半导体
原厂授权品牌
更多授权品牌>>
资讯排行榜
  • 周排行榜
  • 月排行榜

相关百科
关于我们
AMEYA360微信服务号 AMEYA360微信服务号
AMEYA360商城(www.ameya360.com)上线于2011年，现 有超过3500家优质供应商，收录600万种产品型号数据，100 多万种元器件库存可供选购，产品覆盖MCU+存储器+电源芯 片+IGBT+MOS管+运放+射频蓝牙+传感器+电阻电容电感+ 连接器等多个领域,平台主营业务涵盖电子元器件现货销售、 BOM配单及提供产品配套资料等，为广大客户提供一站式购 销服务。