目前芯片制程微缩至10nm以下,据韩国媒体报道,业内有消息传三星电子缺乏相关封测技术,考虑把下一代 Exynos 芯片的后段制程外包。若真是如此,将提高三星晶圆代工成本。
业界消息透露,最近三星系统LSI部门找上美国和中国的OSAT(委外半导体封装测试厂商),请他们开发7、8纳米的封装技术。据传美厂手上高通订单忙不完,未立即回覆,大陆厂商则表达了接单意愿。
倘若三星真的把封测制程外包,将是该公司开始生产Exynos芯片以来首例。三星仍在考虑要自行研发或外包,预料在本月或下个月做出最后决定。
10纳米以下的芯片封装不能采取传统的加热回焊,必须改用热压法(thermo compression),三星没有热压法封装的经验,也缺乏设备,外包厂则有相关技术。有鉴于10nm以下芯片生产在即,迫于时间压力,可能会选择外包。相关人士表示,要是三星决定外包,会提高生产成本,不利三星。
去年韩国就有消息称,三星全力冲测IC封装技术,要是此一技术与上述的所说的封测相同,代表三星过去一年的研发未有突破。
台积电靠着优异的“整合扇出型”(InFO)晶圆级封装技术,独拿苹果iPhone 7的A10处理器订单。不过,三星电子不甘落后,最近与三星电机联手开发出最新IC封装科技,誓言争夺iPhone处理器订单(三星电机新推的技术也是扇出型晶圆级封装(FoWLP)的一种,不需印刷电路板就可封装芯片,未来有望争取苹果青睐。传闻三星之前就是因为该项封装技术还未完成,无法说服客户下单。
Hana Financial Investment则预期,三星最快会在2017年上半年开始量产FoWLP芯片,以台积电直到2016年第三季才开始投产的情况来看,三星2017年的投产时间应该不会太晚。该证券并指出,采纳FoWLP技术的应用处理器可让智能机的厚度减少0.3mm以上,整体运算效率可提升逾30%。
在线留言询价
型号 | 品牌 | 询价 |
---|---|---|
RB751G-40T2R | ROHM Semiconductor | |
TL431ACLPR | Texas Instruments | |
MC33074DR2G | onsemi | |
BD71847AMWV-E2 | ROHM Semiconductor | |
CDZVT2R20B | ROHM Semiconductor |
型号 | 品牌 | 抢购 |
---|---|---|
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 | Infineon Technologies | |
STM32F429IGT6 | STMicroelectronics | |
TPS63050YFFR | Texas Instruments | |
ESR03EZPJ151 | ROHM Semiconductor | |
BP3621 | ROHM Semiconductor | |
BU33JA2MNVX-CTL | ROHM Semiconductor |
AMEYA360公众号二维码
识别二维码,即可关注