三极管是一种电流控制器件,它利用基极电流的变化来控制集电极电流的变化。有NPN型三极管和PNP型三极管,其符号如下:
MOS晶体管是一种压控电流器件,它利用栅极电压的变化来控制漏极电流的变化。有p沟道MOS管(简称PMOS)和n沟道MOS管(简称NMOS)。符号如下(此处仅讨论常用的增强MOS管):
NPN三极管
优点是:
·当基极控制电平从高到低变化时,基极可以更快地向下拉,NPN三极管可以更快、更可靠地切断
PNP三极管
优点是:
·当基极控制电平从低变高时,基极可以更快地向上拉,PNP三极管可以更快更可靠地切断
因此,如上所述:
对于NPN三极管,设计是将负载R12连接在集电极和VCC之间。不太周到的设计是负载R12连接在发射器和GND之间。
对于PNP三极管,设计是将负载R14连接在集电极和GND之间。不太周到的设计是负载R14连接在发射器和VCC之间。这样,可以避免负载的变化被耦合到控制端。从水流的方向看是很明显的。
PMO
它适用于源极连接到VCC,漏极连接到GND的情况。只要栅极电压低于源极电压(此处为VCC)Vth以上(即VGS超过-Vth),PMO就可以开始开启。栅极使用低电平驱动PMO开启(高电平时不开启);除了限流电阻器外,栅极的更好设计是将上拉电阻器10-20K连接到VCC,以便当栅极控制电平从低变高时,栅极可以更快地拉得更高,PMO可以更快、更可靠地切断。
NMOS
它适用于源极连接到GND,漏极连接到VCC的情况。只要栅极电压高于源极电压(此处为GND)Vth以上(即VGS超过Vth),NMOS就可以开始开启。栅极驱动NMOS在高电平时开启(在低电平时不开启);除了限流电阻外,栅极的更好设计是将下拉电阻10-20K连接到GND,这样当栅极控制电平从高变低时,栅极可以更快地下拉,NMOS可以更快、更可靠地切断。
因此,如上所述:
对于PMO,设计是将负载R16连接在漏极和GND之间。不太周到的设计是,负载R16连接在电源和VCC之间。
对于NMOS,设计是将负载R18连接在漏极和VCC之间。不太周到的设计是将负载R18连接在电源和GND之间。
为了避免负载变化耦合到控制终端(基本IB或门VG)的精密逻辑设备(如MCU),负载应连接到收集器或漏极。
在线留言询价
型号 | 品牌 | 询价 |
---|---|---|
MC33074DR2G | onsemi | |
BD71847AMWV-E2 | ROHM Semiconductor | |
RB751G-40T2R | ROHM Semiconductor | |
TL431ACLPR | Texas Instruments | |
CDZVT2R20B | ROHM Semiconductor |
型号 | 品牌 | 抢购 |
---|---|---|
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 | Infineon Technologies | |
BU33JA2MNVX-CTL | ROHM Semiconductor | |
ESR03EZPJ151 | ROHM Semiconductor | |
BP3621 | ROHM Semiconductor | |
TPS63050YFFR | Texas Instruments | |
STM32F429IGT6 | STMicroelectronics |
AMEYA360公众号二维码
识别二维码,即可关注