安森美推出全球首款TOLL封装650 V碳化硅MOSFET

发布时间：2022-05-12 10:35
作者：Ameya360
来源：网络
阅读量：2777

　　新器件缩小封装尺寸60%，增强性能并减少损耗

安森美推出全球首款TOLL封装650 V碳化硅MOSFET

　　领先于智能电源和智能感知技术的安森美(onsemi)，在PCIM Europe展会发布全球首款To-Leadless (TOLL) 封装的碳化硅 (SiC) MOSFET。该晶体管满足了对适合高功率密度设计的高性能开关器件迅速增长的需求。直到最近，SiC器件一直采用明显需要更大空间的D2PAK 7引脚封装。

　　TOLL 封装的尺寸仅为 9.90 mm x 11.68 mm，比 D2PAK 封装的PCB 面积节省30%。而且，它的外形只有 2.30 mm，比 D2PAK 封装的体积小 60%。

　　除了更小尺寸之外，TOLL 封装还提供比 D2PAK 7 引脚更好的热性能和更低的封装电感 (2 nH)。 其开尔文源极(Kelvin source)配置可确保更低的门极噪声和开关损耗 – 包括与没有Kelvin配置的器件相比，导通损耗 (EON) 减少60%，确保在具有挑战性的电源设计中能显著提高能效和功率密度，以及改善电磁干扰(EMI) 和更容易进行PCB 设计。

　　安森美先进电源分部高级副总裁兼总经理 Asif Jakwani 说：“能在小空间内提供高度可靠的电源设计正成为许多领域的竞争优势，包括工业、高性能电源和服务器应用。将我们同类最佳的 SiC MOSFET 封装在TOLL 封装中，不仅减小空间，还在诸多方面增强性能，如 EMI和降低损耗等，为市场提供高度可靠和坚固的高性能开关器件，将帮助电源设计人员解决对其严格的电源设计挑战。”

　　SiC 器件比硅前辈具有明显的优势，包括增强高频能效、更低的EMI、能在更高温度下工作和更可靠。 安森美是唯一具有垂直集成能力的SiC方案供应商，包括 SiC 晶球生长、衬底、外延、晶圆制造、同类最佳的集成模块和分立封装解决方案。

　　NTBL045N065SC1是首款采用 TOLL 封装的 SiC MOSFET，适用于要求严苛的应用，包括开关电源 (SMPS)、服务器和电信电源、太阳能逆变器、不间断电源 (UPS) 和储能。 该器件适用于需要满足最具挑战性的能效标准的设计，包括 ErP 和 80 PLUS Titanium能效标准。

　　NTBL045N065SC1 的 VDSS额定值为 650 V，典型 RDS(on) 仅为 33 mΩ，最大电耗(ID) 为 73 A。基于宽禁带(WBG) SiC 技术，该器件的最高工作温度为 175°C ，并拥有超低门极电荷 (QG(tot) = 105 nC)，能显著降低开关损耗。 此外，该TOLL 封装是保证湿度敏感度等级1 (MSL1) ，以确保减少批量生产中的故障率。

　　此外，安森美还提供车规级器件，包括 TO-247 3 引脚、4 引脚和 D2PAK 7 引脚封装。

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