领先于智能电源和智能感知技术的安森美(onsemi,美国纳斯达克股票代号:ON),推出新的混合信号控制器,专用于无桥图腾柱功率因数校正(TP PFC)拓扑结构。NCP1681的目标应用是超高密度离线电源。该新的控制器以适用于达350 W设计的NCP1680的成功为基础,将功率能力扩展到千瓦范围。
在过去,TP PFC设计需要使用MCU,这增加了设计的复杂度且需要编码。现在有了NCP1681,只需添加一些外部器件,不需要编码就可实现功能齐全的TP PFC方案,从而节省时间、成本和占位。
安森美计算和云分部高级副总裁兼总经理Robert Tong谈到该新产品发布时说:
新的NCP1681将无代码TP PFC设计的优势扩展到更高功率。这使我们的客户能继续提高他们的设计能效,同时减少设计时间和成本,从而快速向市场提供方案。
NCP1681可被配置为在固定频率连续导通模式(CCM)或多模式下工作,控制器在CCM和临界导通模式(CrM)之间自然转换,以在各种功率水平下实现最佳性能。
该新的NCP1681高功率TP PFC控制器结合成熟的控制算法和新颖的功能,提供一个高性能和高性价比的TP PFC方案,也可满足具挑战的能效标准,诸如“80Plus ”或“CoC Tier 2”等要求在广泛的负载范围内提供高能效的标准。
该新的NCP1681适用于350 W至数千瓦范围的更高功率的电源,工作在通用电源输入(90 - 265 Vac),广泛适用于包括服务器、高性能计算、电信、工业和OLED电视等应用。在高压输入下,NCP1681 TP PFC方案的能效将达近99%。
NCP1681将与获奖的低功率(<300W)NCP1680一起在APEC 2022上展示,地点在美国德克萨斯州休斯顿的George R. Brown会展中心。观众可在3月21日至3月23日安森美的展台(1124)看到这些演示。
除了TP PFC控制器外,安森美还提供各种SiC MOSFET和隔离门极驱动器,可用于图腾柱的快速支路。SiC MOSFET器件具有低导通电阻(RDS(on))和紧凑的芯片尺寸,确保低电容和门极电荷(Qg),在缩小的系统尺寸中提供极高能效,从而实现高功率密度。当NCP1681与NCP51561电隔离门极驱动器一起使用时,可实现稳定可靠的设计而不会牺牲开关性能。
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