佰维推出全新LPDDR5产品，助力移动智能终端升级迭代

发布时间：2022-11-16 11:40
作者：Ameya360
来源：网络
阅读量：2200

　　相较于主要用在PC上的DDR DRAM模组产品，LPDDR提供了一种功耗显著降低的高性能解决方案，而降低功耗是平板电脑、超薄笔记本、智能手机和汽车等移动应用的重点要求。从2009年第一代开始，LPDDR持续迭代升级，来满足移动终端不断迭代产生的更先进、高速的存储需求。

佰维推出全新LPDDR5产品，助力移动智能终端升级迭代

　　LPDDR迭代升级过程

　　佰维在LPDDR产品领域起步早、积累深，从LPDDR2代便开始积极投入技术研发，不断推陈出新。尤其是公司在2016年推出的LPDDR4存储芯片，获得了智能手机、平板等这些移动智能终端市场的热烈反响，在客户中积累了良好口碑。近期，佰维在LPDDR4/4X产品的基础上，推出更高性能、更低功耗、更多容量选择的LPDDR5产品。

　　传输速率跨越式升级，性能提升50%

　　首先，LPDDR5支持多Bank Group模式。相比于LPDDR4/4X的Single Bank Group模式，LPDDR5将数据传输从单通路变成了多通路并行，传输速率从4266Mbps提升至6400Mbps，传输带宽从34GB/s提升到了51GB/s。

　　其次，LPDDR5采用WCK信号设计，数据总线用差分时钟WCK采样，WCK源同步于数据（DQ），因此WCK信号的频率会随着数据的读写而起停，让存储器在写入时无时延，从而提升传输速率。

　　此外，为保障读信号完整（Read SI），减少冗余信号干扰，LPDDR5支持非目标性片内终结（ NT-ODT）技术，进一步提升数据传输速率。

佰维推出全新LPDDR5产品，助力移动智能终端升级迭代

　　多组电压动态调节，功耗降低30%

　　LPDDR5内部有三组电压，VDD1/VDD2/VDDQ，其中VDD2又分为VDD2H和VDD2L。相比LPDDR4X，LPDDR5的VDD2H由1.1V降至1.05V，VDDQ由0.6V降至0.5V。通过动态电压调节 （DVFS）功能，LPDDR5可在低速工作时切换至更低电压，节省更多功耗；待机时，LPDDR5 会进入深度睡眠模式（Deep-sleep mode），将功耗降低到最小。

　　此外，LPDDR5 引入了数据复制（Data-Copy）和写X（Write-X），Data-Copy可将单个针脚的数据直接复制到其它针脚，使数据传输速率提升，通过高速运转来充分释放处理器的性能，让它以更快的速度处理数据，从而更早地进入深度睡眠模式（Deep-sleep mode），不用长时间、高负荷地工作；Write X 则是一种省电功能，允许系统将特定的位模式（例如全零模式）转变成连续的存储器位置，而无需切换通道上的数据（DQ）位，减少了SoC芯片和RAM传递数据时的耗电。

　　先进测试技术加持，提供多容量可靠方案

　　DRAM芯片产品的核心技术之一在于测试，公司基于对半导体存储器的全维度深入理解，搭配行业先进半导体测试机台Advantest T5503HS2与自研的自动化测试设备，自主开发测试软件平台、核心测试算法，有效地确保了LPDDR5产品量产品质。

　　高性能、低功耗、更安全可靠和多容量选择，佰维LPDDR5内存方案将有效满足智能手机、平板电脑、汽车等各种智能终端对内存芯片的需求。未来，佰维将不断深化研发封测一体化布局，构筑公司在产品竞争力、定制化开发、产能及质量保证等方面的重要优势，不断提升自身技术实力，助力智能终端应用存储快速升级迭代。


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佰维特存推出工业级ECC DDR4 SODIMM内存条，守护极端环境下的工业存储需求
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　　为应对严苛环境下的数据存储挑战，近日，佰维特存推出工业宽温级ECC SODIMM内存条，精选宽温颗粒，数据速率达3200Mbps，容量覆盖4GB～16GB。产品通过抗硫化与稳定性测试，从容应对高温、低温、高湿度、强震动等恶劣环境，满足电力设备、电信设备、工控机、轨道交通、自助终端、医疗设备等场景对数据可靠、稳定存储的需求。　　【工业级宽温标准，严苛环境的可靠之选 】　　-严选宽温颗粒，4 corner全方位测试评估，耐受-40°C至85°C的极端温度;　　-通过ANSI/ISA-71.04-2013抗硫化认证，适应恶劣高污染环境;　　-产品经过TC、THB、HTOL、LTOL等严苛测试，确保长时间稳定运行。　　【ECC护航，构筑持久稳定存算系统】　　-先进ECC纠错技术，智能检测并修复数据错误，有效保障数据完整性;　　-严格遵循JEDEC设计规范，确保高可靠性;　　-助力存储系统稳定性和持久性，提升系统生命周期。　　【高效内存架构，释放强劲算力】　　-多容量可选(4GB、8GB、16GB)，满足不同应用场景;　　-数据速率高达3200Mbps，保障工业自动化数据高速传输;　　-多架构支持(1R×16，1R×8)　　【稳定内核，构建智能制造基石】　　-专为智能制造与AI领域设计，助力工业自动化高效落地;　　-内置温度传感器，实时监控温度，提升系统稳定性;　　-30μ"金手指镀金层厚度，高抗振抗冲击性能，满足工业设备严苛标准。
2024-11-15 13:31 阅读量：189
佰维存储推出新一代高效能LPDDR5X内存，加速高性能终端设备AI应用
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佰维存储推出新一代高效能LPDDR5X内存，加速高性能终端设备AI应用

　　根据IDC预测，到2024年底，全球内置GenAI功能的智能手机出货量将达2.342亿部，同比增长363.6%，占整体出货量的19%;到2028年，这一数字预计将增长至9.12亿部，2024年至2028年的年复合增长率将达到78.4%。这种快速增长反映了市场对智能化服务和用户体验升级的强烈需求。GenAI功能不仅提供更个性化和智能的服务，还对智能手机硬件提出了更高要求，包括高算力SoC和高速可靠的嵌入式存储器，以确保手机流畅运行。　　近日，佰维存储推出了新一代高效能内存——LPDDR5X，产品采用了1bnm制程工艺，与上一代产品相比，数据传输速率提高33%至8533Mbps，功耗降低25%，容量为8GB、12GB、16GB(ES阶段)，为旗舰智能手机等终端设备提供卓越的性能与节能优势。　　01速率提升33%，加速高性能移动设备AI应用　　佰维LPDDR5X的数据传输速率高达8533Mbps，较上代产品提升33%。这一提升主要得益于LPDDR5X采用了更先进的时钟技术和电路设计，支持更高的时钟频率，从而实现更快的数据传输。同时，为了在更高的频率下保持信号的稳定性和可靠性，LPDDR5X引入了更先进的信号完整性和抗干扰技术。　　此外，LPDDR5X通过降低电压摆幅和采用更高效的驱动器和接收器设计，提高了信号的驱动能力和接收灵敏度，从而支持更高的数据传输速率。LPDDR5X还优化了内部时序参数，降低了CAS Latency，减少了数据访问等待时间，并通过改进行激活时间和行预充电时间，提高了整体效率，确保在高频率下仍能保持稳定和高效的数据传输，助力高性能移动设备AI应用。　　02功耗降低25%，更高能效提升设备续航能力　　佰维LPDDR5X采用了先进的1bnm制程工艺和创新的电路设计。产品通过降低辅助电源电压(VDD2)，减少了整体功耗。产品还进一步优化了动态电压和频率调节技术(DVFS)，可根据实际负载情况动态调整工作电压和频率，在低负载时降低电压和频率，从而显著减少功耗;在空闲时进入深度睡眠模式(Deep-sleep mode)，大幅降低功耗，延长电池寿命。　　此外，LPDDR5X引入了自适应刷新技术，可根据实际工作条件动态调整刷新周期。这使得内存可以在保持数据完整性的同时，减少不必要的刷新操作，从而降低功耗。这些技术改进共同确保了LPDDR5X在高性能移动设备和计算平台中的高效能和长续航能力。　　03先进测试能力加持，打造高品质与一致性　　DRAM芯片产品的核心技术之一在于测试。佰维存储基于对半导体存储器的全维度深入理解，采用了行业领先的半导体测试机台Advantest T5503HS2，并结合自研的自动化测试设备，以及自研测试软件平台、核心测试算法，覆盖了从设计验证到量产测试的全过程。通过先进的测试技术和严格的品质控制流程，佰维存储能够有效识别和排除潜在的质量问题，确保每一颗LPDDR5X芯片在性能、可靠性和稳定性方面均符合严苛标准，打造产品的高品质和一致性。　　/ 结语 /　　佰维存储LPDDR5X内存凭借其显著提升的数据传输速率和更低的功耗，可为高端智能手机、笔记本电脑、5G设备等高性能设备提供卓越的操作体验，并助力其实现更长的电池续航和更高的整体性能。展望未来，随着端侧AI应用的不断普及和发展，本地实现流畅运行大模型对终端设备的存储能力带来更高要求，驱动存储提速、扩容。佰维存储将继续发挥其研发封测一体化布局优势，通过在存储芯片设计、解决方案研发、封测制造等领域的持续研发投入和技术创新，不断满足智能终端市场对更高性能、更低功耗、更高可靠性的存储解决方案的需求，助力客户提升产品竞争力。
2024-11-12 10:38 阅读量：300
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