佰维推出全新LPDDR5产品，助力移动智能终端升级迭代
相较于主要用在PC上的DDR DRAM模组产品，LPDDR提供了一种功耗显著降低的高性能解决方案，而降低功耗是平板电脑、超薄笔记本、智能手机和汽车等移动应用的重点要求。从2009年第一代开始，LPDDR持续迭代升级，来满足移动终端不断迭代产生的更先进、高速的存储需求。
LPDDR迭代升级过程
佰维在LPDDR产品领域起步早、积累深，从LPDDR2代便开始积极投入技术研发，不断推陈出新。尤其是公司在2016年推出的LPDDR4存储芯片，获得了智能手机、平板等这些移动智能终端市场的热烈反响，在客户中积累了良好口碑。近期，佰维在LPDDR4/4X产品的基础上，推出更高性能、更低功耗、更多容量选择的LPDDR5产品。
传输速率跨越式升级，性能提升50%
首先，LPDDR5支持多Bank Group模式。相比于LPDDR4/4X的Single Bank Group模式，LPDDR5将数据传输从单通路变成了多通路并行，传输速率从4266Mbps提升至6400Mbps，传输带宽从34GB/s提升到了51GB/s。
其次，LPDDR5采用WCK信号设计，数据总线用差分时钟WCK采样，WCK源同步于数据（DQ），因此WCK信号的频率会随着数据的读写而起停，让存储器在写入时无时延，从而提升传输速率。
此外，为保障读信号完整（Read SI），减少冗余信号干扰，LPDDR5支持非目标性片内终结（ NT-ODT）技术，进一步提升数据传输速率。
多组电压动态调节，功耗降低30%
LPDDR5内部有三组电压，VDD1/VDD2/VDDQ，其中VDD2又分为VDD2H和VDD2L。相比LPDDR4X，LPDDR5的VDD2H由1.1V降至1.05V，VDDQ由0.6V降至0.5V。通过动态电压调节 （DVFS）功能，LPDDR5可在低速工作时切换至更低电压，节省更多功耗；待机时，LPDDR5 会进入深度睡眠模式（Deep-sleep mode），将功耗降低到最小。
此外，LPDDR5 引入了数据复制（Data-Copy）和写X（Write-X），Data-Copy可将单个针脚的数据直接复制到其它针脚，使数据传输速率提升，通过高速运转来充分释放处理器的性能，让它以更快的速度处理数据，从而更早地进入深度睡眠模式（Deep-sleep mode），不用长时间、高负荷地工作；Write X 则是一种省电功能，允许系统将特定的位模式（例如全零模式）转变成连续的存储器位置，而无需切换通道上的数据（DQ）位，减少了SoC芯片和RAM传递数据时的耗电。
先进测试技术加持，提供多容量可靠方案
DRAM芯片产品的核心技术之一在于测试，公司基于对半导体存储器的全维度深入理解，搭配行业先进半导体测试机台Advantest T5503HS2与自研的自动化测试设备，自主开发测试软件平台、核心测试算法，有效地确保了LPDDR5产品量产品质。
高性能、低功耗、更安全可靠和多容量选择，佰维LPDDR5内存方案将有效满足智能手机、平板电脑、汽车等各种智能终端对内存芯片的需求。未来，佰维将不断深化研发封测一体化布局，构筑公司在产品竞争力、定制化开发、产能及质量保证等方面的重要优势，不断提升自身技术实力，助力智能终端应用存储快速升级迭代。
在线留言询价
- 一周热料
- 紧缺物料秒杀
| 型号 | 品牌 | 询价 |
|---|---|---|
| TL431ACLPR | Texas Instruments | |
| RB751G-40T2R | ROHM Semiconductor | |
| BD71847AMWV-E2 | ROHM Semiconductor | |
| MC33074DR2G | onsemi | |
| CDZVT2R20B | ROHM Semiconductor |
| 型号 | 品牌 | 抢购 |
|---|---|---|
| BP3621 | ROHM Semiconductor | |
| STM32F429IGT6 | STMicroelectronics | |
| IPZ40N04S5L4R8ATMA1 | Infineon Technologies | |
| ESR03EZPJ151 | ROHM Semiconductor | |
| BU33JA2MNVX-CTL | ROHM Semiconductor | |
| TPS63050YFFR | Texas Instruments |
AMEYA360公众号二维码
识别二维码，即可关注
