佰维信创云存储解决方案：让海量数据跑出读写“加速度”

发布时间：2022-11-30 10:46
作者：Ameya360
来源：网络
阅读量：2162

　　海比研究院数据预测，2022年中国信创市场规模预计将达到3052亿元，并在未来五年持续保持35%~40%的增速。作为信创PC固态硬盘的主力供应商，佰维今年相继推出了面向信创云市场的服务器RDIMM内存模组和服务器系统盘，致力于为企业级客户提供高性能、高可靠和低拥有成本的服务器存储解决方案，让海量数据跑出读写“加速度”。如感兴趣可以移步佰维产品定制页进行查看。

佰维信创云存储解决方案：让海量数据跑出读写“加速度”


　　佰维RD100服务器内存：高能效、高可靠、兼容性更好

　　“佰维服务器内存模块达到了行业一流水准的高性能和低功耗设计，产品经过严格的测试验证和量产测试，从而确保产品一致性及稳定性，充分满足服务器高能效、高可靠等需求。”

　　佰维RD100 DDR4 RDIMM严选高规格优质内存颗粒，运行频率高达3200Mbps，支持32GB、16GB多种容量选择，搭载寄存器、ECC纠错、智能温控、低电压运作等功能，产品通过Intel授权实验室AVL认证，可兼容主流CPU、主板与操作系统，为服务器高速处理海量数据、长时间可靠运行提供有力保障。

　　通过双模式实测对比，RD100高达3200Mbps的运行频率可达到、甚至略高于全球知名品牌产品的表现。在功耗控制方面，无论在最大值、最小值或均值维度上，RD100正常运作的低功耗表现也显著优于竞品。对于长期高速处理海量数据的服务器、云计算等使用场景而言，RD100在发挥极致读写性能的同时，仍可保证超低功耗可靠运行，高能效比为企业提供更优存储选择，做到降本增效。

　　针对RD100系列服务器内存，佰维自主研发BiwinSight Server测试软件，通过不同算法对内存全容量实施压力测试，实时监测内存ECC报错，确保产品长期稳定运行。公司利用自主开发的测试系统及专用测试算法，从颗粒筛选到成品测试，软件与硬件配套双保障，确保产品质量一致性，并获得KTI产品质量认证“优质品”认证。

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佰维信创云存储解决方案：让海量数据跑出读写“加速度”

　　佰维SS321服务器系统盘：国产核心元器件、高性能、高稳定性

　　“佰维服务器产品方案符合当前市场主流需求。SS321系列 SSD产品采用业界成熟的方案及240GB~960GB的容量规格，较好解决了此类小容量产品停产的痛点。该产品采用自研闪存管理固件技术，核心器件国产化，整体降低了企业产品构建的总体拥有成本。”

　　佰维SS321系列 2.5" SSD甄选长江存储3D NAND晶圆、联芸科技主控和长鑫存储DDR缓存，并结合公司自有硬件设计、自主固件算法以及先进封测能力，最大顺序读写速度分别达到560MB/s、500MB/s。产品采用业界成熟的方案与架构，包括外置DDR4缓存、智能流控、主控硬件加速等，读写性能接近SATA接口的性能上限。此外，佰维SS321拥有960GB、480GB、240GB三个容量规格，充分兼顾到入门级服务器需求。

　　佰维SS321在数据巡检、掉电数据保护、端到端数据保护等方面进行固件与硬件的多重优化，有效保障服务器系统盘数据传输的安全性、稳定性与完整性。同时，该产品的MTBF（平均无故障时间）达200万小时，UBER（不可纠正错误率）小于10^-17，并提供5年质保，符合客户标准要求。

　　未来展望

　　“从芯到端，赋能万物互联，构筑万物互联时代的存储根基”，是佰维存储的使命，基于此，公司不断深化研发封测一体化布局，在手机、PC、智能穿戴、工业车规、服务器等领域持续为客户提供“千端千面”的存储器产品。针对数据中心应用，佰维充分发挥在信创PC的先发优势，积极布局信创云市场，未来公司将继续推出用于数据中心的U.2 SSD产品，持续助力客户取得商业成功。


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　　近日，由证券之星主办的2024资本力量年度品牌活动评选结果揭晓，深圳佰维存储科技股份有限公司(证券代码：688525)荣获“优秀上市公司奖”、“卓越董秘奖”两项殊荣。　　优秀上市公司奖　　佰维存储聚焦半导体存储器的研发设计、封装测试、生产和销售，于2022年12月成功登陆科创板，并已被纳入“科创50”指数成分股。公司作为国内存储解决方案领域的领先企业，通过构建并不断深化研发封测一体化经营模式，形成了覆盖嵌入式存储、PC存储、工车规存储、企业级存储和移动存储丰富产品线，积累了深厚的市场和产业链资源，全面强化产品力、渠道力、品牌力，展现出了强劲的发展韧性和硬科技实力。　　2024年，公司紧抓行业上行机遇，大力拓展国内外一线客户，产品销售量及销售额大幅提升，实现了市场与业绩的双突破。2024年前三季度公司营业收入达到50.25亿元，同比增长136%;剔除股份支付费用后，归母净利润为5.25亿元，同比增长200%。　　公司坚持以技术创新驱动高质量发展，围绕解决方案研发、芯片设计、先进封测和测试设备等领域持续加大研发投入，2024年前三季度公司研发投入达3.4亿元，同比增长123.6%。目前，公司自主研发的国产主控芯片已通过头部厂商的初步选型并获得广泛好评，有力支持了公司在QLC手机存储、智能穿戴、工车规领域的市场拓展。同时，公司先进封装工艺水平从以16层为主的多层叠Die迈向32层叠Die，存储器封测产能进一步提升;公司位于东莞松山湖的晶圆级先进封测制造项目正稳健建设中，开展了2.5D/3D等高端封测技术的研发，致力于打造大湾区封测产业的标杆。　　卓越董秘奖　　佰维存储董秘黄炎烽获得“卓越董秘奖”，彰显了公司为股东和广大投资者负责的积极态度与严谨作风。公司建立了高效透明的沟通机制，通过业绩说明会、实地调研、接听投资者电话与互动平台等方式，持续提升信息披露质量，充分展示公司资本市场形象，不断增进投资者对佰维的了解、理解和认同。　　公司屡获证券市场周刊、财联社、科创板日报等主流媒体的深度报道，并与监管机构保持良好沟通，维护公司在资本市场积极形象，助力公司价值的提升。2024年6月14日，公司正式成为“科创50”指数成分股，并在“科创板开市五周年峰会”上荣获“2024最具价值科创板上市公司”奖项，彰显了公司在科技创新领域的领导地位和市场对其价值的认可。
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2024-11-15 13:37 阅读量：284
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　　为应对严苛环境下的数据存储挑战，近日，佰维特存推出工业宽温级ECC SODIMM内存条，精选宽温颗粒，数据速率达3200Mbps，容量覆盖4GB～16GB。产品通过抗硫化与稳定性测试，从容应对高温、低温、高湿度、强震动等恶劣环境，满足电力设备、电信设备、工控机、轨道交通、自助终端、医疗设备等场景对数据可靠、稳定存储的需求。　　【工业级宽温标准，严苛环境的可靠之选 】　　-严选宽温颗粒，4 corner全方位测试评估，耐受-40°C至85°C的极端温度;　　-通过ANSI/ISA-71.04-2013抗硫化认证，适应恶劣高污染环境;　　-产品经过TC、THB、HTOL、LTOL等严苛测试，确保长时间稳定运行。　　【ECC护航，构筑持久稳定存算系统】　　-先进ECC纠错技术，智能检测并修复数据错误，有效保障数据完整性;　　-严格遵循JEDEC设计规范，确保高可靠性;　　-助力存储系统稳定性和持久性，提升系统生命周期。　　【高效内存架构，释放强劲算力】　　-多容量可选(4GB、8GB、16GB)，满足不同应用场景;　　-数据速率高达3200Mbps，保障工业自动化数据高速传输;　　-多架构支持(1R×16，1R×8)　　【稳定内核，构建智能制造基石】　　-专为智能制造与AI领域设计，助力工业自动化高效落地;　　-内置温度传感器，实时监控温度，提升系统稳定性;　　-30μ"金手指镀金层厚度，高抗振抗冲击性能，满足工业设备严苛标准。
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　　根据IDC预测，到2024年底，全球内置GenAI功能的智能手机出货量将达2.342亿部，同比增长363.6%，占整体出货量的19%;到2028年，这一数字预计将增长至9.12亿部，2024年至2028年的年复合增长率将达到78.4%。这种快速增长反映了市场对智能化服务和用户体验升级的强烈需求。GenAI功能不仅提供更个性化和智能的服务，还对智能手机硬件提出了更高要求，包括高算力SoC和高速可靠的嵌入式存储器，以确保手机流畅运行。　　近日，佰维存储推出了新一代高效能内存——LPDDR5X，产品采用了1bnm制程工艺，与上一代产品相比，数据传输速率提高33%至8533Mbps，功耗降低25%，容量为8GB、12GB、16GB(ES阶段)，为旗舰智能手机等终端设备提供卓越的性能与节能优势。　　01速率提升33%，加速高性能移动设备AI应用　　佰维LPDDR5X的数据传输速率高达8533Mbps，较上代产品提升33%。这一提升主要得益于LPDDR5X采用了更先进的时钟技术和电路设计，支持更高的时钟频率，从而实现更快的数据传输。同时，为了在更高的频率下保持信号的稳定性和可靠性，LPDDR5X引入了更先进的信号完整性和抗干扰技术。　　此外，LPDDR5X通过降低电压摆幅和采用更高效的驱动器和接收器设计，提高了信号的驱动能力和接收灵敏度，从而支持更高的数据传输速率。LPDDR5X还优化了内部时序参数，降低了CAS Latency，减少了数据访问等待时间，并通过改进行激活时间和行预充电时间，提高了整体效率，确保在高频率下仍能保持稳定和高效的数据传输，助力高性能移动设备AI应用。　　02功耗降低25%，更高能效提升设备续航能力　　佰维LPDDR5X采用了先进的1bnm制程工艺和创新的电路设计。产品通过降低辅助电源电压(VDD2)，减少了整体功耗。产品还进一步优化了动态电压和频率调节技术(DVFS)，可根据实际负载情况动态调整工作电压和频率，在低负载时降低电压和频率，从而显著减少功耗;在空闲时进入深度睡眠模式(Deep-sleep mode)，大幅降低功耗，延长电池寿命。　　此外，LPDDR5X引入了自适应刷新技术，可根据实际工作条件动态调整刷新周期。这使得内存可以在保持数据完整性的同时，减少不必要的刷新操作，从而降低功耗。这些技术改进共同确保了LPDDR5X在高性能移动设备和计算平台中的高效能和长续航能力。　　03先进测试能力加持，打造高品质与一致性　　DRAM芯片产品的核心技术之一在于测试。佰维存储基于对半导体存储器的全维度深入理解，采用了行业领先的半导体测试机台Advantest T5503HS2，并结合自研的自动化测试设备，以及自研测试软件平台、核心测试算法，覆盖了从设计验证到量产测试的全过程。通过先进的测试技术和严格的品质控制流程，佰维存储能够有效识别和排除潜在的质量问题，确保每一颗LPDDR5X芯片在性能、可靠性和稳定性方面均符合严苛标准，打造产品的高品质和一致性。　　/ 结语 /　　佰维存储LPDDR5X内存凭借其显著提升的数据传输速率和更低的功耗，可为高端智能手机、笔记本电脑、5G设备等高性能设备提供卓越的操作体验，并助力其实现更长的电池续航和更高的整体性能。展望未来，随着端侧AI应用的不断普及和发展，本地实现流畅运行大模型对终端设备的存储能力带来更高要求，驱动存储提速、扩容。佰维存储将继续发挥其研发封测一体化布局优势，通过在存储芯片设计、解决方案研发、封测制造等领域的持续研发投入和技术创新，不断满足智能终端市场对更高性能、更低功耗、更高可靠性的存储解决方案的需求，助力客户提升产品竞争力。
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