onsemi的EliteSiC产品组合高效能
onsemi将在拉斯维加斯举行的2023年消费电子展(CES)上展示其EliteSiC碳化硅(SiC)系列的三个新成员——1.7kV EliteSiC MOSFET和两个1.7kV雪崩级EliteSiC肖特基二极管。新器件为能源基础设施和工业驱动应用提供可靠、高效的性能，凸显了安森美作为工业碳化硅解决方案领导者的地位。
凭借1.7kV EliteSiC MOSFET (NTH4L028N170M1)，onsemi提供了高功率工业应用所需的更高击穿电压(BV)SiC解决方案。两个1.7kV额定EliteSiC肖特基二极管（NDSH25170A、NDSH10170A）使设计人员能够在高温下实现稳定的高压操作，同时提供由SiC实现的高效率。
“通过提供一流的效率和更低的功率损耗，新的1.7kV EliteSiC器件加强了我们EliteSiC系列产品的卓越性能和质量的高标准，并进一步扩展了onsemi的EliteSiC的深度和广度，”onsemi执行副总裁兼电源解决方案事业部总经理SimonKeeton说。“连同我们端到端的SiC制造能力，onsemi提供技术和供应保证，以满足工业能源基础设施和工业驱动供应商的需求。”
可再生能源应用不断转向更高电压，太阳能系统从1.1kV到1.5kV直流母线。为了支持这一变化，客户需要具有更高BV的MOSFET。新型1.7kV EliteSiC MOSFET提供-15V/25V的最大Vgs范围，使其适用于栅极电压增加至-10V的快速开关应用，从而提高系统可靠性。
在1.2kV和40A的测试条件下，1.7kV EliteSiC MOSFET实现了200nC的栅极电荷(Qg)–与接近300nC的同等竞争器件相比，这是市场领先的。低Qg对于在快速开关、高功率可再生能源应用中实现高效率至关重要。
在1.7kV的BV额定值下，EliteSiC肖特基二极管器件在二极管的最大反向电压(VRRM)和峰值重复反向电压之间提供了改进的余量。新器件还提供出色的反向泄漏性能，最大反向电流(IR)在25°C时仅为40μA，在175°C时为100μA，明显优于通常在25°C时额定值为100μA的竞争器件。
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