安森美<span style='color:red'>onsemi</span>发布直流超快充电桩方案
  安森美宣布推出九款全新EliteSiC功率集成模块 (PIM),可为电动汽车(EV)直流超快速充电桩和储能系统(ESS)提供双向充电功能。  基于碳化硅的解决方案将具备更高的效率和更简单的冷却机制,显著降低系统成本,与传统的硅基IGBT解决方案相比,尺寸最多可减小40%,重量最多可减轻52%。这更紧凑、更轻的充电平台,将为设计人员提供快速部署可靠、高效和可扩展的直流快充网络所需的所有关键构建模块,实现在短短15分钟内将电动汽车电池充电至80%。  安森美提供全面的 PIM 产品组合用于市场上的关键拓扑,设计人员还可以通过安森美的 PLECS 模型自助生成工具生成分段线性电路仿真(PLECS)模型,并通过该产品组合的 Elite Power 仿真工具进行应用仿真。  针对每个模块,安森美使用来自同一晶圆的芯片来确保更高的一致性和可靠性,因此设计人员不会因使用不同供应商的分立器件而导致不同的性能结果。  除了可靠性之外,该模块产品组合还具有多项亮相,附官方介绍如下:  采用第三代 M3S SiC MOSFET 技术,提供超低的开关损耗和超高的效率  支持多电平 T 型中性点钳位(TNPC)、半桥和全桥等关键拓扑  支持 25kW 至 100kW 的可扩展输出功率段,支持多个直流快速充电和储能系统平台,包括双向充电  采用行业标准 F1 和 F2 封装,可选择预涂热界面材料(TIM)和压接引脚  实现最佳热管理,避免因过热导致的系统故障  全碳化硅模块最大限度地减少功率损耗,从而实现节能和降低成本  提供更高的稳健性和可靠性,从而确保持续连贯工作。
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发布时间:2024-01-11 10:28 阅读量:1531 继续阅读>>
安森美Onsemi推出Hyperlux LP图像传感器系列
  安森美(onsemi)宣布推出适用于工业和商业相机的Hyperlux LP图像传感器系列,场景覆盖智能门禁、安防摄像头、增强现实(AR)/虚拟现实(VR)/扩展现实(XR)头戴装置、机器视觉和视频会议等。此传感器系列基于1.4 µm 像素,提供业界领先的图像质量和低功耗,同时大幅提高图像性能,即使在恶劣的照明条件下也能捕获清晰、生动的图像。  此产品系列还采用堆叠式架构设计,能最大限度地减少产品体积,最小型号小如一粒米,成为受尺寸限制困扰的紧凑型设备的理想选择。客户可以根据使用情况,选用500万分辨率的AR0544、800万分辨率的AR0830或2000万分辨率的AR2020。  如今,越来越多的家庭和企业安装摄像头做监控,据Yole统计,预计到2030年底,此市场将增长两倍。因此,消费者需要有更优秀的图像质量、更可靠和更长电池寿命的设备,来提升整体使用体验。  即使在恶劣的天气和照明条件下,使用此图像传感器的摄像头仍可以提供更清晰的图像和更准确的物体监测。此外,由于这些相机通常会被放置在难以更换电池或充电的位置,因此低功耗成为一个关键需求。  Hyperlux LP系列具备可优化性能和提高分辨率的功能和专有技术,包括:  • 运动唤醒功能 –传感器可以在超级低功耗模式下运行,仅消耗全功能模式时所需功率的一小部分。 一旦传感器检测到物体运动,即快速进入更高的性能状态,响应时间短。  • Smart ROI –提供多个感兴趣区域 (ROI),以更低的带宽提供场景多窗口视图,并能同时提供原始细节图像的窗口。  • 近红外(NIR)表现 –凭借创新的硅工艺设计和像素架构,在近红外波段提供卓越的图像质量。  • 低功耗 –可以减少热噪声带来的图像质量问题,也可以减少使用散热器,从而降低视觉系统的总体成本。  除了智能家居设备之外,Hyperlux LP 系列还以更直观、无缝的视频会议解决方案,提升办公室会议体验。  Hyperlux LP 图像传感器系列将于 2023 年第四季度上市。
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发布时间:2023-10-17 10:03 阅读量:1751 继续阅读>>
村田:搭载了Onsemi公司IoT设备专用IC的新Bluetooth® Low Energy模块开始量产
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发布时间:2023-10-11 13:13 阅读量:1704 继续阅读>>
安森美(<span style='color:red'>onsemi</span>)提供丰富的工具和软件,加速创新设计
  俗话说“工欲善其事必先利其器”,一名合格的工程设计师必然少不了能加快其设计流程的工具与软件。安森美(onsemi)提供丰富的工具和软件,设计流程全覆盖,从设计优化到测试分析,一站式服务只为一流设计,快来开始你的创新设计吧。  Elite Power仿真工具和PLECS模型自助生成工具(SSPMG)是安森美(onsemi)针对EliteSiC碳化硅(SiC)产品系列及其应用全新推出的一款突破性的仿真工具,使工程师在开发周期的早期阶段,通过对复杂电力电子应用进行系统级仿真,获得有价值的参考信息。Elite Power仿真工具配以 PLECS,为客户提供一个便利的在线环境。  Elite Power仿真工具准确呈现采用EliteSiC系列产品的电路如何工作,该工具提供尖端前沿的精准仿真数据,助您节省时间,同时还可根据您的应用定制选择合适的EliteSiC产品,无需昂贵、耗时的硬件制造和测试。PLECS 模型包含损耗查找表(基于制造商数据表)以及Cauer或Foster等效网络形式的热链。在仿真期间,PLECS使用损耗表进行插值和/或外推,以获得电路运行的偏置点导通和开关损耗。  WebDesigner+ Power Supply是一款在线设计和仿真工具,含参数输入(INPUTS)、选择(SELECT)、设计(DESIGN)、物料单(BOM)、总结(SUMMARY)五步,可在简短的时间内提供完整的设计。  该工具旨在解决电源设计的挑战,并成为电力电子专家值得信赖的伙伴,强大的设计引擎提供不同设计和拓扑之间的对比。您可以看到电路原理图上的各种运行值、字符和包含元件封装(footprint)及价格的BOM。其他显著特征包括:  1、通过多样的拓扑结构、特性和封装等筛选条件,挑选最适用的IC、MOSFET、二极管产品;  2、利用最先进的算法和丰富的元件库来设计您的电源;  3、利用基于物理的预测数学模型,在用户友好的图表和运行值表中分析您的设计;  4、保存您的设计,或者导出为PDF格式与同事分享。  该工具目前支持降压、升压、反相降压-升压、电荷泵、固定频率反激、准谐振反激和LDO/线性转换器拓扑,未来将持续添加更多的功能以支持更多的产品和拓扑。  让评估更快捷,让设计更简单。Strata Developer Studio是一个云端连接的开发软件,旨在为工程师提供一个无缝的、个性化、安全的开发环境,其能够测量、测试和控制各种设计参数,带来快捷、简单、定制化的评估体验,并提供完整的设计辅助资料,如电路图、布板图、框图、用户指南、测试报告、数据手册等等。它支持自动在线升级,保证您的Strata Developer Studio随时拥有最新的材料和功能,同时支持各种各样的筛选条件,方便用户一键搜索,找到适合自己的解决方案。运用安森美的技术,以及众多已发布的和即将发布的支持使用Strata的评估板、评估工具包以及参考设计,来评估、测试和设计在汽车、工业、云电源和物联网领域的各种应用。
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发布时间:2023-08-23 16:19 阅读量:1489 继续阅读>>
<span style='color:red'>onsemi</span> 安森美推出的NCS35011 5S电池保护电路
<span style='color:red'>onsemi</span>的EliteSiC产品组合高效能
  onsemi将在拉斯维加斯举行的2023年消费电子展(CES)上展示其EliteSiC碳化硅(SiC)系列的三个新成员——1.7kV EliteSiC MOSFET和两个1.7kV雪崩级EliteSiC肖特基二极管。新器件为能源基础设施和工业驱动应用提供可靠、高效的性能,凸显了安森美作为工业碳化硅解决方案领导者的地位。  凭借1.7kV EliteSiC MOSFET (NTH4L028N170M1),onsemi提供了高功率工业应用所需的更高击穿电压(BV)SiC解决方案。两个1.7kV额定EliteSiC肖特基二极管(NDSH25170A、NDSH10170A)使设计人员能够在高温下实现稳定的高压操作,同时提供由SiC实现的高效率。  “通过提供一流的效率和更低的功率损耗,新的1.7kV EliteSiC器件加强了我们EliteSiC系列产品的卓越性能和质量的高标准,并进一步扩展了onsemi的EliteSiC的深度和广度,”onsemi执行副总裁兼电源解决方案事业部总经理SimonKeeton说。“连同我们端到端的SiC制造能力,onsemi提供技术和供应保证,以满足工业能源基础设施和工业驱动供应商的需求。”  可再生能源应用不断转向更高电压,太阳能系统从1.1kV到1.5kV直流母线。为了支持这一变化,客户需要具有更高BV的MOSFET。新型1.7kV EliteSiC MOSFET提供-15V/25V的最大Vgs范围,使其适用于栅极电压增加至-10V的快速开关应用,从而提高系统可靠性。  在1.2kV和40A的测试条件下,1.7kV EliteSiC MOSFET实现了200nC的栅极电荷(Qg)–与接近300nC的同等竞争器件相比,这是市场领先的。低Qg对于在快速开关、高功率可再生能源应用中实现高效率至关重要。  在1.7kV的BV额定值下,EliteSiC肖特基二极管器件在二极管的最大反向电压(VRRM)和峰值重复反向电压之间提供了改进的余量。新器件还提供出色的反向泄漏性能,最大反向电流(IR)在25°C时仅为40μA,在175°C时为100μA,明显优于通常在25°C时额定值为100μA的竞争器件。
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发布时间:2023-01-06 11:31 阅读量:3598 继续阅读>>
<span style='color:red'>onsemi</span>完成出售日本晶圆厂
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发布时间:2023-01-04 09:57 阅读量:3874 继续阅读>>
安森美<span style='color:red'>onsemi</span>庆祝在新罕布什尔州扩张碳化硅工厂
    2022年8月12日领先于智能电源和智能感知技术的安森美(onsemi),在美国举行了剪彩仪式,庆祝其位于新罕布什尔州哈德逊 (Hudson, New Hampshire) 的碳化硅 (SiC) 工厂的落成。    该基地将使安森美到2022年底的SiC晶圆产能同比增加五倍,在哈德逊的员工人数几乎翻两番。此扩张使安森美能完全控制其SiC制造供应链,从SiC粉末和石墨原料的采购,到封装好的SiC器件的交付。这使安森美能为其客户提供必要的供应保证,以满足对基于SiC的方案迅速增长的需求。SiC对于提高电动车(EV)、EV充电和能源基础设施的能效至关重要,是实现脱碳的一个重要因素。预计SiC总潜在市场容量将从2021年的20亿美元增长到2026年的65亿美元,年复合增长率33%。    安森美电源方案部执行副总裁兼总经理Simon Keeton说:“我们的产品具有强大的市场能效,而且我们的端到端垂直整合方案,在供应紧张的环境中是个引人注目的差异化竞争优势。为实现衬底产能的增长,我们已扩展到第二座大楼,并计划继续提升,使我们自己前沿尖端的SiC晶圆能为客户产品所用。”    安森美是一家具有SiC和绝缘栅双极晶体管(IGBT)方案双线端到端供应能力的大规模供应商。在上周的第二季度财报电话会议上,该公司宣布在未来三年通过与广泛的客户群签订长期供应协议,承诺实现40亿美元的SiC收入。这将使其2022年的SiC收入比去年增加两倍,并在2023年实现超过10亿美元的收入,进一步强调了安森美在SiC的领先地位在不断增强。
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发布时间:2022-08-15 09:33 阅读量:3189 继续阅读>>

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