据Ameya360电子元器件采购网报导:三星电子和Micron科技继续争夺NAND市场的霸主地位,两家公司最近都宣布了更高密度的3D NAND解决方案——尽管名称不同。
三星选择专注于3D NAND位密度,推出其1太位(Tb)三级单元第八代垂直NAND(V-NAND),该公司声称这是业界最高的位密度。与此同时,Micron选择在层数方面展示其最新的3D NAND,并于2022年年中宣布其232层3D NAND。
三星第八代V-NAND
三星闪存产品和技术执行副总裁SungHoiHur在接受EETimes采访时表示,该公司通过Cell-on-Peri(COP)结构实现了高位密度,该公司在其第七代V-与非门。
对于COP结构,单元阵列区域位于外围设备上方。但即使采用COP结构,部分外围设备仍位于单元外部,Hur表示,这意味着必须减少单元阵列以及单元阵列下方和旁边的外围区域,以减小芯片尺寸。
三星于2013年首次推出其垂直堆叠V-NAND闪存。“从那时起,我们一直在开发颠覆性技术以减小单元的面积和高度,并积累了大量三星专有技术,”Hur说。
该专有技术包括三星的高纵横比接触蚀刻技术,该公司使用该技术来减小单元阵列的面积。Hur补充说,对于第八代V-NAND,三星成功地将上一代的所有三个部分的面积最小化,以实现更高的密度。
三星旨在解决的一个具体挑战是避免电池单元之间的干扰,如果电池单元的模具因缩放而变得更薄,通常会在缩小时发生。“为了抵消这种干扰,我们首先确定了可能的性能权衡;然后我们着手解决根本问题,”Hur说。
他还指出,三星解决方案的目的是开发一种优化的操作方案,以最大限度地减少写入过程中的干扰,将新材料应用于单元中的阻挡层,以防止电子因电压而从电荷陷阱层(CTL)弹回完善CTL的结构。
Hur表示,达到这一里程碑意味着要克服各种障碍。从结构的角度来看,随着总堆叠高度的不断增加,模具可能更容易向一侧倾斜。“随着电池变得越来越小,我们必须应对电池电流的降低以及电池之间的干扰,”他说。三星正在努力通过利用其第七代V-NAND中使用的支撑结构和多孔技术来降低总堆叠高度,同时也在探索新的解决方案,包括使用新材料的创新单元结构。
Micron的232层3D NAND
近年来,Micron引领了3D NAND的发展步伐,凭借2020年11月推出的176层产品领先于其他专注于128层3D NAND的厂商。其CMOS阵列下(CUA)架构。除了更高的层数外,芯片尺寸也缩小了30%。
2022年7月下旬,Micron宣布了其232层3D NAND,随后于2022年12月初推出了将与232层解决方案配套的最新客户端SSD。
ObjectiveAnalysis首席分析师JimHandy表示,三星达到1Tb并没有什么“惊天动地”的。“更重要的是,他们已经达到了新的层数,而且他们的接口速度非常快。”
这意味着应用程序将需要一半的NAND芯片来获得相同的带宽,他补充说。最终,三星和Micron都在缩小芯片尺寸,但都有自己的命名法——无论是COP还是CUA。
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