为什么要选择SiC SiC与GaN比较

发布时间：2023-01-29 13:44
作者：Ameya360
来源：网络
阅读量：2164

为什么要选择SiC SiC与GaN比较

　　一、为什么要选择SiC？

　　为了证明您选择 SiC 作为开关模式设计的首选功率半导体是正确的，请考虑以下突出的特性。与标准或超级结 MOSFET 甚至 IGBT 相比，SiC 器件可以在更高的电压、更高的频率和更高的温度下运行。其他器件的大部分功率损耗在 SiC 器件中是不存在的，因此 SiC 器件在大多数应用中的效率可以达到 90% 以上。最初，SiC 器件比其他 MOSFET 或 IGBT 更昂贵。如今，SiC 器件的价格已大幅下降，使其成为一种颇有吸引力的替代方案。

　　二、SiC与GaN比较

　　SiC 和 GaN 器件均属于宽带隙 (WBG) 类别的器件，这些器件正在稳步取代标准 Si MOSFET。它们可以在更高的频率下工作，因此 GaN 器件在 RF 功率应用中得到更广泛的应用。SiC 器件一般能够承受比 GaN 器件更高的电压、电流和功率。SiC 器件开关速度更快，效率更高，因此适合开关模式电源应用。另外，SiC MOSFET 包含一个体二极管。


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