近年来,随着信息通信技术领域产生的数据量爆炸式增长,对存储器性能和容量的需求不断提升,存储器测试环节也面临着接口速率不断提高(PCIe6.0/DDR5)、读写性能不断升级、存储容量不断倍增(TLC/QLC,238/176层)以及快速分析测试结果等方面带来的新挑战。
近日,Advantest(爱德万)T5503HS2量产测试系统在佰维先进制造厂房成功装机,进一步强化公司自身全栈存储芯片测试能力。T5503HS2测试速率高达8Gbps,测试精度在±45皮秒,满足佰维DDR5、LPDDR5产品的高频高速测试需求,同时可兼顾测试DDR4、LPDDR4/4X及高带宽存储器器件。T5503HS2具备如下特点:
配备4.5-GHz高速时脉讯号产生器,可扩展测试超过8Gbps速率的存储器
可自动识别和调整DQS-DQ时序差异,通过实时跟踪确保更充足的时序余量
T5503HS2稳固的全新演算图样产生器(ALPG),可对先进存储器装置进行快速、高质量的功能评估
具备全新可编程电源供应器,反应速度较先前版本(T5503)快4倍,大幅减少压降的冲击
T5503HS2测试系统Handler
佰维高度匹配存储芯片关键特性测试低成本、高效灵活、支持高性能与高带宽的特点,在SSD/DDR模组测试、芯片自动测试、SLT测试、ATE测试、BI老化测试等领域积累了丰富的开发经验,搭配先进测试机台,同时通过多年产品的开发、测试、应用循环迭代,公司拥有庞大的存储芯片测试算法库,有效地保障了存储芯片的交付质量。
值得一提的是,佰维依托对存储器应用场景的深刻理解,以及全面覆盖Flash类/DRAM类存储芯片的专业、高效测试能力,在DDR、LPDDR等产品领域不断推陈出新,2022年公司推出了更高性能、更低功耗、更稳定可靠的DDR5产品(传输速率高达4800Mbps,容量高达32GB)和LPDDR5产品(传输速率高达6400Mbps,容量高达64Gb),典型应用于平板电脑、PC/笔记本、智能手机、汽车、服务器、AIOT、工业控制、5G应用等领域。
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