罗姆技术推陈出新第4代碳化硅优势尽显

Release time:2023-02-21
author:Ameya360
source:网络
reading:3048

  碳化硅(SiC)材料具有优异的特性,用它制造的MOSFET器件在开关过程中不会产生拖尾电流,可高速运行并降低开关损耗;低导通电阻和小型芯片尺寸可以实现较低的电容和栅极电荷。此外,碳化硅还具有导通电阻很小的优异材料属性,与硅器件相比,更具耐高温特性,热传导性好,进而实现更优异的封装微型化和节能优势。

  一直以来,全球知名半导体制造商罗姆(ROHM)都在努力研发技术,产品不断推陈出新。2月14日的“2023年媒体线上交流会”上,罗姆半导体(上海)有限公司市场宣传课高级经理张嘉煜和罗姆半导体(上海)有限公司技术中心副总经理周劲分别介绍了罗姆公司最新动态以及碳化硅功率器件的相关技术,特别是近年推出的第4代碳化硅技术和相应产品。

  罗姆技术推陈出新第4代碳化硅优势尽显

  功率电子技术是罗姆重要战略核心

  张嘉煜表示,功率电子技术是罗姆发展战略的核心技术,旨在专注于发挥各种技术优势的功率元器件,以更高效地处理电力,利用硅、碳化硅和GaN(氮化镓)等技术推出创新型功率元器件,以满足不同应用产品需求的材料和元器件结构支持广泛的应用,开拓半导体的新时代。

  在碳化硅领域,罗姆拥有业内领先的技术开发实力和供货能力,目标是力争实现30%的市场占有率。值得一提的是罗姆的IDM(垂直统合型生产体系)和品质保证体系。罗姆的产业链100%覆盖整个碳化硅加工过程和各种产品形式,从材料衬底到晶圆、元器件、裸芯片,再到分立产品和模块,无所不包,可以根据客户的多样化要求以不同供应形式交货。

  品质保证方面,从原材料到封装严格贯彻可追溯制度,从开发到制造和销售,罗姆在所有的过程贯彻实施提高品质的活动。罗姆通过导入柔性生产线,自行开发生产系统,实现了组装工序的自动化,增强了产品竞争力和供应能力。长期稳定供应的承诺让客户能够放心使用罗姆的产品。

  为了满足用户需求,罗姆2021年度-2022年度扩大了LSI和功率元器件产能,未来还计划扩大现有产品的产能,2021年度-2023年度扩大日本国内母工厂产能,通过增强日本国内生产体制建立更稳定的供应链。

  2021年罗姆在日本福冈县南部建造的阿波罗筑后工厂的环保型新厂房竣工,这里将成为罗姆碳化硅半导体主力基地之一。这也是日本国内企业首次建设的碳化硅功率半导体专用新厂房,将承担罗姆2025财年碳化硅功率半导体生产目标的重任。该工厂是全新环保型生产设施,不仅配备了融入各种节能技术的生产设备,还使用百分之百可再生能源发电,以减轻生产活动对环境的负荷。该工厂还以抗灾型生产基地为目标,建立了完善的抗灾体系,以确保任何时候都能提供稳定供应。

  通过建设新厂房等增产投资,将有助于把目前罗姆14%的碳化硅功率半导体全球份额提高到30%。而据调研公司Omdia统计,目前罗姆功率半导体全球份额排在第10位,碳化硅产品排在第4位。

  谈到功率元器件业务的销售额目标,张嘉煜表示,2021-2025财年,罗姆的复合年均增长率将达到25.2%,其中涵盖大功率、高电压(>600V)和高频率(20-200kHz)的碳化硅,以及涵盖中等功率、中等耐压(100-600V)和高频率(200kHz以上)的氮化镓将更快提升。特别是到2025财年,碳化硅的销售额目标将超过1,100亿日元(约合56亿元人民币)。

  在碳化硅市场方面,罗姆正在开拓约9,000亿日元(约合46.5亿元人民币)的市场。

  罗姆第4代SiC MOSFET优势明显

  在碳化硅元器件技术开发方面,罗姆一直保持领先地位。罗姆有着20多年研发碳化硅的历史,2010年在全球首家进行碳化硅SBD和MOSFET的量产,之后在2021年发布了第4代的沟槽SiC MOSFET,2023年实现8英寸碳化硅衬底的量产,之后还有牵引功率模块的产品。

  这次罗姆开始量产并供应具有更低导通电阻和更高速开关的第4代SiC MOSFET,可满足车载逆变器电路等要求的短路耐受时间。而对功率半导体来说,当导通电阻降低时短路耐受时间就会缩短,两者之间存在着权衡关系,因此,在降低SiC MOSFET的导通电阻时,如何兼顾短路耐受时间一直是行业的一个挑战。

  据周劲介绍,罗姆第4代SiC MOSFET利用罗姆自有设计技术,进一步改进了双沟槽结构,从而改善了上述权衡关系。与传统产品相比,在不牺牲短路耐受时间的前提下,成功将导通电阻降低约40%,实现了行业更低的导通电阻驱动电压,不仅支持以往的18V,还支持15V驱动电压;不仅具有高可靠性,应用性也更强。此外,通过降低芯片中的寄生电容,还实现了更低的开关损耗,降低幅度约为50%。

  第4代有几个特点,包括低损耗、使用简单和高可靠性。首先是低损耗,第4代新产品对比罗姆的第3代产品,通过降低40%导通阻抗,同样尺寸芯片,第3代大约是30毫欧,第4代能够实现18毫欧的导通阻抗降低,导通损耗会同样降低40%。

  另外是改善了开关特性,导通阻抗降低后,同样电流和导通阻抗情况下,芯片的尺寸会降低,好处是寄生电容降低,容易实现高速开关特性。在同等导通阻抗情况下芯片会变小,寄生电容等特性都有改善。

  开关特性大幅度改善可以抑制自开通、误开通。明显减少了寄生电容Cgd,可有效抑制 MOSFET器件的误开通,同样能够保证芯片更高速的开启和关断。

  第二个特点是使用简便,8-15V栅极电压可以与IGBT等目前广泛应用的栅极驱动电路同时的使用,实现低驱动电压。第3代产品15V驱动和18V驱动,导通阻抗差是30%,也就是说用15V IGBT通用电压驱动不能实现SiC MOSFET的理想状态。第4代产品可以在15V情况下满足一般状态的碳化硅全负载驱动。

  在负Bias设计方面,为了确保SiC MOSFET关断,需要使用负电压关断。罗姆的产品Vth比较高,无需负电压驱动,即能可靠关断,省去负电压源设计,简化电路。罗姆芯片的高速开关特性使寄生电容减小,也会抑制自开启风险。另外,第4代比第3代产品的内部栅极电阻阻值有明显降低,第3代是7欧姆,第4代是1欧姆,这样有助于调整开关特性,电路设计更加灵活,更容易满足客户需求。在同样栅极电阻阻值下,开关损耗也会比同类产品小很多,进一步提升开关速度,减少开关损耗。

  第三个特点是高可靠性,第4代SiC MOSFET采用独特的器件结构突破了RonA与短路耐受时间(SCWT)的折中限制,实现了比同类产品更高的短路耐受时间。降低RonA后,通常饱和电流会上升,短路时的峰值电流也会上升,短路耐量时间变短;罗姆第4代产品在降低RonA的同时使饱和电流下降,短路时的峰值电流较低,成功延长了短路耐受时间。

  据介绍,罗姆第4代SiC MOSFET的应用包括电动汽车主机逆变器/车载充电器/充电桩、光伏逆变器、数据中心、基站和智能电网等高电压和大容量场景,有助于提高电力转换效率,使设备更加节能。

  据他介绍,第4代SiC MOSFET以三种封装形式供应。新产品阵容包括1200V和750V耐压产品。此外,罗姆还会将模块封装产品添加到产品阵容中。

  全力以赴扩大产能

  罗姆一直在不断提升碳化硅元器件的性能,并以晶圆、芯片、分立产品和模块等丰富的供应形式投放市场,不仅如此,还配以能够更大程度地发挥出元器件性能的栅极驱动器等外围电路解决方案,引领行业实现更具创新性的节能和小型化。在供应能力方面,罗姆也是不遗余力,满足全球对碳化硅产品不断增长的需求。罗姆正在全力以赴,持续扩大产能,持续推动赋能汽车等行业的低碳技术,实现社会的可持续发展。


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马自达与罗姆开始联合开发采用下一代半导体的汽车零部件
  ~通过GaN功率半导体的社会应用,助力汽车技术创新~  Mazda Motor Corporation(以下简称“马自达”)与ROHM Co., Ltd.(以下简称“罗姆”)开始联合开发采用下一代半导体技术——氮化镓(GaN)功率半导体的汽车零部件。  (左)马自达董事、专务执行官兼CTO 广濑一郎/(右)罗姆董事、专务执行官 东克己  马自达与罗姆自2022年起,在“针对电驱动单元的开发与生产合作体系”中,一直在推进搭载碳化硅(SiC)功率半导体的逆变器的联合开发。此次,双方又着手开发采用GaN功率半导体的汽车零部件,旨在为下一代电动汽车打造创新型汽车零部件。  GaN作为下一代功率半导体材料备受瞩目,与传统的硅(Si)基功率半导体相比,其不仅能够抑制功率转换过程中的损耗,还可高频驱动,有助于实现产品的小型化。  双方将充分利用这些特点,将其转化为整车的总布置、轻量化及设计方面的创新型解决方案。双方计划在2025年度内将这一理念落地,并通过Demo车进行试验,力争在2027年度投入实际应用。  马自达 董事、专务执行官兼CTO 广濑一郎 表示:“在迈向碳中和的过程中,电动化进程加速,罗姆凭借其卓越的半导体技术和先进的系统解决方案构建能力,致力于创造可持续出行的未来社会。我们非常高兴能够与罗姆在电动汽车零部件的开发与生产方面进行合作,双方将携手并进,致力于共创半导体元器件与汽车双向直联的新价值链。马自达将通过与志同道合的合作伙伴企业之间的合作,向客户提供在电动汽车中也能畅享驾驭魅力的、充满‘驾乘乐趣’的产品。”  罗姆 董事兼专务执行官 东克己 表示:“非常高兴能够与致力于追求‘驾乘乐趣’这一汽车本质魅力的马自达合作,共同面向电动汽车领域开发汽车零部件。支持高频工作的罗姆EcoGaN™和能够充分发挥其性能的控制IC相结合的解决方案,是实现节能和小型化的关键。为扩大该解决方案在实际应用,罗姆非常重视与广大企业的合作。在GaN的开发与量产方面,已与众多合作伙伴建立了多样化的合作关系。此次,通过与致力于打造‘与地球及社会共存共生的汽车’的马自达开展联合开发,我们将能够从应用和终端产品开发的角度深入了解对GaN产品的需求,从而为推动GaN功率半导体的普及,进而为创造可持续出行的未来社会做出贡献。”  ・EcoGaN™是 ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。
2025-03-28 15:09 reading:251
ROHM罗姆实现业界超高光辐射强度的小型表贴型近红外LED
  全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开发出小型顶部发光型表贴近红外 (NIR)*1 LED新产品,非常适用于VR/AR*2设备、工业光学传感器、人体感应传感器等应用。  近年来,在VR/AR设备和生物感测设备等领域,对使用了近红外(NIR)的先进感测技术的需求不断增加。由于这些技术用于眼动追踪、虹膜识别、血流量和血氧饱和度测量等应用,因此对精度的要求非常高。另外,应用产品的小型化、低功耗化以及设计灵活性的提升也备受重视。  此外,在工业设备领域,随着精密打印机控制和自动化系统的发展,近红外LED的作用日益重要。在这种背景下,ROHM通过提供小型封装和各种波长的丰富产品群,助力提高设计灵活性,并扩大客户的选择范围;同时通过实现更高的光辐射强度,助力实现更高精度和更加节能的应用产品。  新产品共有3种封装,6款型号。超小(1.0×0.6mm)超薄(0.2mm)的PICOLED™系列*3有“SML-P14RW”和“SML-P14R3W”2款型号。业界标准尺寸(1.6×0.8mm)系列有窄指向角的圆透镜型“CSL0902RT”和“CSL0902R3T”以及宽照射范围的平透镜型“CSL1002RT”和“CSL1002R3T”共4款型号。每种封装都有850nm(SML-P14RW为860nm)和940nm两种波长,用户可根据应用需求进行选择。  850nm波长与光电晶体管和相机感光元件之间的兼容性非常好,适用于VR/AR眼动追踪和物体检测等追求高灵敏度的应用,而940nm波长不易受阳光影响,发光时不会呈现红色,因此适用于人体感应传感器等应用。此外,在脉搏血氧仪等生物感测应用中,还可用于测量血流量和血氧饱和度(SpO₂)。  光源采用了源于ROHM自主生产制造优势的自有技术,配备了对发光层结构进行了优化的NIR元件。通过这一技术,实现了在小型封装中难以实现的业界超高光辐射强度*4。例如,“SML-P14RW”与同为1006尺寸的普通产品相比,在相同电流值条件下可以实现约1.4倍的光辐射强度,而在相同光辐射强度下,功耗可以降低约30%。这不仅提高了感测精度,还可以降低应用设备整体的功耗。  新产品已经暂以月产100万个的规模投入量产。前道工序的生产基地为ROHM总部工厂(日本京都市),后道工序的生产基地为ROHM Electronics (Malaysia) Sdn. Bhd.(马来西亚)和ROHM Semiconductor (China) Co., Ltd.(中国)。新产品还支持电商销售,通过Ameya360等电商平台均可购买(样品价格140日元/个,不含税)。未来,ROHM将继续致力于提供支持下一代感测技术的创新光源解决方案,为VR/AR市场和工业设备市场创造新的价值,同时为实现可持续发展社会贡献力量。  小型NIR LED产品阵容  罗姆还可提供接收NIR用的“光电晶体管”。  应用示例  · VR/AR设备(眼动追踪、手势识别)  · 脉搏血氧仪(血流量和血氧饱和度测量)  · 工业光学传感器(物体通过检测、位置检测)、自助收银机(纸币、卡片检测)、便携式打印机(纸张检测)  · 家电遥控器(IR数据通信)、扫地机器人(地面检测)等  电商销售信息  电商平台:Ameya360  产品型号:SML-P14RW、SML-P14R3W、CSL0902RT、CSL0902R3T、CSL1002RT、CSL1002R3T  1枚起售  术语解说  *1)近红外(NIR:Near Infrared)  波长范围为780nm~1000nm。主要用于传感器、通信和测量领域,适合高精度的距离测量和识别应用。  *2)VR/AR(Virtual Reality:虚拟现实、Augmented Reality:增强现实)  VR是一项可使用显示器或屏幕在封闭的空间中体验逼真现实感的技术。AR是一项使用显示器或屏幕将一些信息融入现实世界的信息中来人为扩展现实世界的技术。这些技术也被统称为“XR(Cross Reality [Extended Reality])”。  *3)PICOLED™系列  ROHM利用元件制造工艺优势开发而成的超小超薄贴片LED系列产品,非常适用于小型便携设备和可穿戴设备。  *4)光辐射强度(Radiant Intensity)  发光器件在特定方向上辐射能量强弱的指标(单位:W/sr),是决定LED输出强度和光接受端的检测性能的重要因素。  注)“PICOLED™”是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。
2025-03-26 14:17 reading:247
ROHM开发出适用于AI服务器等高性能服务器电源的MOSFET
  ~实现业界超低导通电阻和超宽SOA范围~  全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向企业级高性能服务器和AI服务器电源,开发出实现了业界超低导通电阻*¹和超宽SOA范围*²的Nch功率MOSFET*³。  新产品共3款机型,包括非常适用于企业级高性能服务器12V系统电源的AC-DC转换电路二次侧和热插拔控制器(HSC)*⁴电路的“RS7E200BG”(30V),以及非常适用于AI服务器48V系统电源的AC-DC转换电路二次侧的“RS7N200BH(80V)”和“RS7N160BH(80V)”。  随着高级数据处理技术的进步和数字化转型的加速,对支撑数据中心的服务器的需求不断增加。此外,对具有高级计算能力的AI处理服务器的需求也呈增长趋势,预计未来将会持续增长。由于这些服务器需要 24小时不间断运转(始终通电),因此电源单元中使用的多个MOSFET的导通电阻造成的导通损耗,会对系统整体性能和能效产生很大影响。特别是在AC-DC转换电路中,其导通损耗占比较高,因此需要使用导通电阻低的MOSFET。另外,服务器配备了热插拔功能,可以在通电状态下更换和维护内部的板卡和存储设备,在更换等情况下,服务器内部会产生较大的浪涌电流*⁵。因此,更大的安全工作区范围(宽SOA范围)对于保护服务器内部和MOSFET而言至关重要。对此,ROHM新开发出一种DFN5060-8S封装,与以往封装形式相比,封装内部的芯片可用面积增加,从而开发出实现业界超低导通电阻和宽SOA范围的功率 MOSFET。新产品非常有助于提高服务器电源电路的效率和可靠性。  新产品均采用新开发的DFN5060-8S(5.0mm×6.0mm)封装,与以往的HSOP8(5.0mm×6.0mm)封装相比,封装内的芯片可用面积增加了约65%。这使得新产品能够以5.0mm×6.0mm的封装尺寸实现业界超低导通电阻,30V产品“RS7E200BG”的导通电阻仅为0.53mΩ(Typ.),80V产品“RS7N200BH”仅为1.7mΩ(Typ.),非常有助于提高服务器电源电路的效率。  另外,通过优化封装内部的夹片形状设计,提高了散热性能,同时提高了有助于确保应用产品可靠性的SOA范围。尤其是30V产品“RS7E200BG”,其SOA范围达70A以上(条件:脉冲宽度=1ms、VDS=12V时),与以往的HSOP8封装产品相比,在相同条件下SOA范围提高了一倍,从而以5.0mm×6.0mm的封装尺寸实现了业界超高的SOA范围。  新产品已经暂以月产100万个的规模投入量产(样品价格:710日元/个,不含税)。前道工序的生产基地为ROHM Co., Ltd.(日本滋贺工厂),后道工序的生产基地为OSAT(泰国)。另外,新产品已经开始通过电商进行销售。  ROHM计划在2025年内逐步实现也支持AI服务器热插拔控制器电路应用的功率MOSFET的量产。未来, ROHM将继续扩大相关产品阵容,为应用产品的高效运行和可靠性提升贡献力量。  <产品阵容>  <关于EcoMOS™品牌>  EcoMOS™是ROHM开发的Si功率MOSFET品牌,非常适用于功率元器件领域对节能要求高的应用。 EcoMOS™产品阵容丰富,已被广泛用于家用电器、工业设备和车载等领域。客户可根据应用需求,通过噪声性能和开关性能等各种参数从产品阵容中选择产品。  ・EcoMOS™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。  <应用示例>  企业级高性能服务器12V系统电源的AC-DC转换电路和HSC电路  AI(人工智能)服务器48V系统电源的AC-DC转换电路  工业设备48V系统电源(风扇电机等)  <电商销售信息>  开始销售时间:2025年2月起  产品型号:RS7E200BG、RS7N200BH、RS7N160BH  <术语解说>  *1)导通电阻(RDS(on))  MOSFET启动时漏极与源极之间的电阻值。该值越小,运行时的损耗(电力损耗)越少。  *2)SOA(Safe Operating Area)范围  元器件不损坏且可安全工作的电压和电流范围。超出该安全工作区工作可能会导致热失控或损坏,特别是在会发生浪涌电流和过电流的应用中,需要考虑SOA范围。  *3)功率MOSFET  适用于功率转换和开关应用的一种MOSFET。目前,通过给栅极施加相对于源极的正电压而导通的Nch MOSFET是主流产品,相比Pch MOSFET,具有导通电阻小、效率高的特点。因其可实现低损耗和高速开关而被广泛用于电源电路、电机驱动电路和逆变器等应用。  *4)热插拔控制器(HSC:Hot Swap Controller)  可在设备的供电系统运转状态下插入或拆卸元器件的、具有热插拔功能的专用IC(集成电路),发挥着控制插入元器件时产生的浪涌电流,并保护系统和所连接元器件的重要作用。  *5)浪涌电流(Inrush Current)  在电子设备接通电源时,瞬间流过的超过额定电流值的大电流。因其会给电源电路中的元器件造成负荷,所以通过控制浪涌电流,可防止设备损坏并提高系统稳定性。
2025-03-06 14:24 reading:315
罗姆入选“CDP气候变化”与“CDP水安全”管理“A级”榜单企业
  ~“气候变化”领域为首次入选,“水安全”领域已连续四年入选~  全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)被主要对企业等的环境相关战略及举措进行评估和认证的国际非营利组织CDP(总部位于英国)评为“CDP气候变化领域A级榜单企业”、“CDP水安全领域A级榜单企业”。  在最高级“A级榜单企业”的评定中,罗姆在气候变化领域为首次入选,在水安全领域已经连续第四年入选。  CDP是环保领域的国际非营利组织,运营针对企业和地方政府的全球环境信息披露系统,实施“气候变化”和“水安全”等环境信息调查并公布相应的调查结果。  本调查与TCFD框架完全一致,其评分被广泛用于面向可持续且有韧性的净零经济相关投资和采购决策。2024年,有700多家金融机构申请通过CDP平台披露其有关环境影响、风险和机遇相关的数据;约有24,800家企业填报的调查问卷,创历史新高。调查问卷从“披露的全面性”、“环境风险的认知和管理”和“设定远大目标”等角度,分领导力等级(A、A-)、管理等级(B、B-)、认知等级(C、C-)和披露等级(D、D-)共8个等级进行评估。  <环保举措>  罗姆在“2050环境愿景”中宣布,将致力于实现“温室气体净零排放”和旨在消除对有限资源的浪费的“更大程度地循环利用资源”。  ・关于水资源管理  罗姆制定“2030年水回收再利用率比2019年实绩提高5.5%以上”的目标,管理全球旗下企业的取水量、排水量和用水量,致力于水资源再利用和削减取水量。另外,针对洪水等风险,罗姆还建立了业务持续性 管理体系,并实施了一系列相关措施,比如为每个基地实施风险评估并制定生产持续性计划;建设考虑到防洪措施的新厂房等。从2024年开始,为了确保公开数据的透明性和准确性,罗姆还开始接受针对取水量和排水量的第三方验证审查。  ・关于气候变化对策  罗姆制定“到2030年度,温室气体排放量(范围1和2)较2018年度降低50.5%以上”的目标,致力于 通过在全球旗下企业引进环保型设备和能源转换来削减使用量。从2024年开始,扩大了第三方验证的范围,将本公司计算的温室气体排放量范围1和2的验证率设定为100%,并引进内部碳定价(ICP)机制,推进脱碳经营。  另外,罗姆还宣布,计划到2050年,国内外所有业务活动中使用的电力,将100%来自可再生能源。包括海外主要生产工厂在内的多个罗姆基地,已经100%采用可再生能源运营。截至2023年,可再生能源占比已达43%,计划到2030年将该数据提高到65%。  今后,罗姆将再接再厉,为实现可持续发展的社会,继续致力于推进CSR活动并解决社会问题,努力成为能够满足利益相关者期望的企业。  了解罗姆可持续发展相关的更多信息,请点击这里
2025-02-27 15:01 reading:371
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