纳芯微单通道智能隔离式栅极驱动器NSi68515,专为驱动高达2121V直流母线电压下的SiC MOSFET,IGBT而设计,可广泛应用于工业变频器、伺服、机器人,空调压缩机,新能源汽车主驱,光伏逆变器、储能、UPS、高功率电源等领域。
NSi68515输入方式兼容光耦输入,且输入端与输出端采用双电容增强隔离技术,基于纳芯微Adaptive OOK编码技术, 支持150kV/μs的最小共模瞬变抗扰度(CMTI),提高系统鲁棒性。
NSi68515产品特性
- 具备超强驱动能力,可以提供最大5A的拉灌电流
- 提供轨到轨输出和非轨到轨输出两个版本
- 输入侧电源电压VCC:3V至5.5V
- 输入方式兼容光耦电流型输入,可耐-6.5V反向电压
- 驱动器侧电源正压轨VCC2:高达35V
- 驱动器侧电源负压轨VEE2:高达-17.5V
- 超高的最小共模抗扰能力(CMTI):150 kV/us
- 提供完善的保护功能
◇ 快速过流和短路保护,DESAT阈值电压6.5V
◇ 集成故障时的软关断功能,软关断电流140mA
◇ 集成米勒钳位功能,钳位电流高达:4.5A
◇ 高压侧和低压侧均有独立的供电欠压保护功能UVLO
◇ 故障报警 (FLT / ULVO引脚指示)
◇ 可支持故障自动复位版本选择
- 典型传播延时:100ns
- 工作环境温度:-40℃ ~ 125℃
- 符合 RoHS 标准的封装类型:SOW16, 爬电距离>8mm
NSi68515 CMTI 高,领先行业水平,提高了系统的抗干扰能力
行业内常见的带保护的光耦隔离驱动IC,CMTI 一般在35KV/us。随着系统的开关频率和母线电压的提高,以及SiC MOSFET的普及使用, 系统的dv/dt 急剧上升,这对隔离驱动的抗干扰能力(CMTI)提出了更高的要求。如果隔离驱动IC 的CMTI只有35KV/us,显然已经很难满足系统的要求。而NSi68515 CMTI 大于150KV/us,能够有效提高系统的抗干扰能力。纳芯微基于NSi68515做了静态CMTI和动态CMTI 摸底实验,实验结果是218KV/us均PASS;而同样的测试条件下,普通的光耦隔离驱动在30KV/us左右便已经Fail。
NSi68515 短路保护时间快,提高了管子的鲁棒性
当IGBT 和 SiC MOSFET正常开通时,是在饱和区进行工作的;但当IGBT 和 SiC MOSFET在开通过程中,发生过流或者上下管短路的时候,电流便会急剧增大,就会退出饱和区,VCE也随之增大,如果不及时关断IGBT 和 SiC MOSFET,则会导致管子损坏或者使用寿命变短。NSi68515 通过DESAT 引脚检测管子的VCE 电压来判断管子短路和过流,当检测到管子异常后,能够快速关断管子,防止管子损坏。此外,NSi68515 DESAT引脚内部还做了滤波处理,防止系统误触发。
下面是NSi68515触发保护时的时序图,保护时间比行业内常见的带保护功能的光耦隔离驱动IC快一倍,可以大大提高管子的鲁棒性。
NSi68515产品选型表
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型号 | 品牌 | 询价 |
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RB751G-40T2R | ROHM Semiconductor | |
CDZVT2R20B | ROHM Semiconductor | |
MC33074DR2G | onsemi | |
TL431ACLPR | Texas Instruments | |
BD71847AMWV-E2 | ROHM Semiconductor |
型号 | 品牌 | 抢购 |
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BU33JA2MNVX-CTL | ROHM Semiconductor | |
BP3621 | ROHM Semiconductor | |
ESR03EZPJ151 | ROHM Semiconductor | |
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 | Infineon Technologies | |
TPS63050YFFR | Texas Instruments | |
STM32F429IGT6 | STMicroelectronics |
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