佰维获批设立博士后创新基地

发布时间：2023-02-28 11:55
作者：Ameya360
来源：网络
阅读量：2203

　　近日，深圳市人力资源和社会保障局发布2022年度关于批准74家单位设立博士后创新实践基地的通知。佰维存储凭借行业领先的科研实力及先进创新技术，成功入选该名单。此次获批意味着，佰维可独立或联合高校、科研院所博士后科研流动站招收博士后研究人员。佰维诚邀优秀博士后入驻基地开展研究工作，聚天下群英创共赢未来！

佰维获批设立博士后创新基地

　　深圳博士后创新实践基地的设立，旨在为贯彻落实“鹏城英才计划”，进一步强化博士后“高层次人才战略储备库”功能，加快推进粤港澳大湾区和社会主义先行示范区建设，此举将有助于提升部分高新科技企业的自身科研实力与人才队伍建设水平。获批企业须在经济投入、科研能力、研发机构建设及研发团队打造等方面具备突出的硬实力，评审要求可谓严苛。

　　“博士后创新实践基地”获批牌匾

　　佰维存储坚持技术立业，目前已设立了深圳、成都、惠州、杭州四大研发中心，围绕研发封测一体化战略积极对存储芯片设计、存储解决方案研发、先进封测、芯片测试设备开发等领域进行技术布局，持续提升自身竞争优势，助力客户取得商业成功。

　　除了不断强化自身研发封测一体化全栈技术能力的构建外，佰维亦大力推动研发成果的转化与在研项目储备。公司先后承担了“3D立体封装先进技术研究实验室”“集成电路SiP封装技术研发”等深圳市级科研项目，并于2019年通过“广东省复杂存储芯片研发及封装测试工程技术中心”认定。

　　此次获批设立深圳市博士后创新实践基地，对于佰维建设研发团队与强化研发能力，促进高质量发展具有重大意义。以技术创新为动力，公司将进一步完善人才引进、培养机制，加强与高校、科研院所的合作，提升高端人才储备，在深化产学研融合、开放协同创新等方面发挥公司的积极作用，与人才共赢、与产业共赢！


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　　近日，由证券之星主办的2024资本力量年度品牌活动评选结果揭晓，深圳佰维存储科技股份有限公司(证券代码：688525)荣获“优秀上市公司奖”、“卓越董秘奖”两项殊荣。　　优秀上市公司奖　　佰维存储聚焦半导体存储器的研发设计、封装测试、生产和销售，于2022年12月成功登陆科创板，并已被纳入“科创50”指数成分股。公司作为国内存储解决方案领域的领先企业，通过构建并不断深化研发封测一体化经营模式，形成了覆盖嵌入式存储、PC存储、工车规存储、企业级存储和移动存储丰富产品线，积累了深厚的市场和产业链资源，全面强化产品力、渠道力、品牌力，展现出了强劲的发展韧性和硬科技实力。　　2024年，公司紧抓行业上行机遇，大力拓展国内外一线客户，产品销售量及销售额大幅提升，实现了市场与业绩的双突破。2024年前三季度公司营业收入达到50.25亿元，同比增长136%;剔除股份支付费用后，归母净利润为5.25亿元，同比增长200%。　　公司坚持以技术创新驱动高质量发展，围绕解决方案研发、芯片设计、先进封测和测试设备等领域持续加大研发投入，2024年前三季度公司研发投入达3.4亿元，同比增长123.6%。目前，公司自主研发的国产主控芯片已通过头部厂商的初步选型并获得广泛好评，有力支持了公司在QLC手机存储、智能穿戴、工车规领域的市场拓展。同时，公司先进封装工艺水平从以16层为主的多层叠Die迈向32层叠Die，存储器封测产能进一步提升;公司位于东莞松山湖的晶圆级先进封测制造项目正稳健建设中，开展了2.5D/3D等高端封测技术的研发，致力于打造大湾区封测产业的标杆。　　卓越董秘奖　　佰维存储董秘黄炎烽获得“卓越董秘奖”，彰显了公司为股东和广大投资者负责的积极态度与严谨作风。公司建立了高效透明的沟通机制，通过业绩说明会、实地调研、接听投资者电话与互动平台等方式，持续提升信息披露质量，充分展示公司资本市场形象，不断增进投资者对佰维的了解、理解和认同。　　公司屡获证券市场周刊、财联社、科创板日报等主流媒体的深度报道，并与监管机构保持良好沟通，维护公司在资本市场积极形象，助力公司价值的提升。2024年6月14日，公司正式成为“科创50”指数成分股，并在“科创板开市五周年峰会”上荣获“2024最具价值科创板上市公司”奖项，彰显了公司在科技创新领域的领导地位和市场对其价值的认可。
2024-11-15 13:47 阅读量：194
佰维企业级存储矩阵，赋能AI+时代的数智化升级
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佰维企业级存储矩阵，赋能AI+时代的数智化升级

　　在数字经济的框架下，存力、算力、运力三者构成了核心支撑体系，存储是发挥高性能算力的前提与基础。随着大模型参数规模向万亿级迈进，带动企业大型数据中心、超算中心等高算力场景不断扩大，千行百业对于存储应对高并发高吞吐能力、功耗优化和运营成本的要求越来越高。采用更高配置的存储解决方案，企业可提高运营效率，实现更高的经济效益。　　近日，2024中国数据与存储峰会在北京圆满落幕，佰维存储携多款高能效eSSD与CXL内存模组亮相，为云计算等前沿应用提供存力支撑。会议同期揭晓了闪存风云榜，佰维存储的SP506/516系列PCIe5.0 SSD荣获了“2024年度企业级固态盘产品金奖”，彰显公司在企业级存储领域的创新技术实力与硬核产品力。　　1、服务器内存+企业级SSD全覆盖，兼顾性能与RAS特性　　为满足先进算力建设场景对数据存储的高标准需求，佰维存储依托自身在存储解决方案领域的技术积累与创新能力，成立北京子公司专注于企业级存储的研发与销售，围绕云计算、数据中心、AI服务器、智算中心等应用场景需求打造了系统的存储解决方案。目前，佰维已推出包括企业级PCIe 4.0/5.0 NVMe SSD、企业级SATA SSD、企业级RDIMM、CXL 2.0内存扩展模块在内的多款性能出色、高稳定和高安全性的产品，覆盖 2.5inch, U.2, E1.S, E3.S 等产品形态，以及PCIe、SATA两大主流接口，实现技术创新与产品品类的双重突破。　　创新CXL2.0内存拓展模块　　赋能高性能算力，释放AI创新潜力　　随着AI应用爆发，“内存墙”成为制约计算系统性能的主要因素之一。佰维成功自主研发完成了支持CXL2.0规范的CXL内存扩展卡，同时可向下兼容CXL1.1规范，可为AI/ML的深度学习模型训练、HPC的科学计算，以及云计算等数据密集型应用等领域提供强大的内存扩展能力和高带宽支持，满足高性能CPU/GPU的算力需求。　　佰维CXL内存扩展卡可支持AIC以及E3.S两种不同的接口规范，适应不同服务器架构的需求，其中AIC类型内存容量最高可扩展至2TB，E3.S类型最大容量可支持128GB，物理层采用PCIe 5.0标准，支持8条通道，峰值带宽可达30GB/s。支持DDR5 6400MT/s的内存速度，显著提升系统性能。此外，CXL2.0内存拓展模块集成SMBUS/I3C/I2C/SPI等多种低速通信接口，便于获取DIMM内存的基本信息。具备强大的RAS(Reliability, Availability, Serviceability)特性，包括SECDED、SDDC ECC、CXL链路CRC、自动错误修复等功能，确保系统的稳定性和可靠性。　　SP406/416系列企业级PCle 4.0 SSD　　超低延迟、优秀能效比　　佰维SP406/416系列企业级PCle SSD产品，最大顺序读/写速度高达7050MB/s、4200MB/s，覆盖1 DWPD读取密集型和3 DWPD读写混合型两种不同类型应用，凭借优异的主控芯片架构，可实现超低延迟与优秀能效比，适合用于超大型的数据中心、云计算、计算型服务器、AI服务器等应用场合。同时，该系列企业级PCle SSD支持现代化的数据中心的各种特性，包括AES256加密、Sanitize高级格式化、Internal RAlD、Secure Boot安全启动、TCG Opal 2.0等高级特性。　　SS621系列2.5" SATA SSD　　构建强大的企业级数据中心　　针对构建强大的企业级数据中心的需求，佰维存储推出了SS621系列2.5" SATA SSD，具有出色的稳定性和可靠性，最大顺序读取速度达560MB/s，最大顺序写入速度为535MB/s，4K随机读取/写入(IOPS)最高可至100K/45K，提供多种容量选择(480GB~7.68TB)，长达1DWPD的寿命保障。　　02、创新存储解决方案，成功打造高端PCIe 5.0企业级SSD标杆产品　　在会议同期揭晓的DOIT AWARD 2024存储风云榜上，汇集存储产业具有突破性和代表性的优秀产品与解决方案。佰维SP506/516系列企业级PCle5.0 SSD产品荣获“2024年度企业级固态盘产品金奖”。　　面向AI时代的数据存储需求，佰维通过实施研发封测一体化战略，显著提升了企业级存储产品的存储密度、性能与能效比。公司拥有资深的介质研究团队、主控IC设计与固件算法开发团队，针对企业级应用场景进行深入的介质特性分析与架构设计，并通过算法优化提升存储系统整体性能，如通过高效的磨损均衡算法、垃圾回收机制和ECC，延长存储设备的使用寿命，减少数据丢失的风险，并提高数据读写的效率。在先进封装和测试环节，公司应用前沿的封装技术和严格的测试流程，提高存储的集成度和散热性能，确保了每一款产品在出厂前都经过了全面的质量检验，包括功能测试、性能测试、可靠性测试和环境适应性测试，为客户提供高性能、高可靠的企业级存储产品。　　佰维SP506/516系列企业级PCle5.0 SSD产品则是公司在企业级领域推出的高端代表产品之一，基于PCle5.0x4接口，最大带宽较Gen4产品增长两倍，容量覆盖2T~16T，可满足EDSFF新型服务器、传统服务器、工作站等不同硬件平台的部署需求。此外，该系列产品采用创新的SSD控制器芯片架构，可实现超低且一致的读写延迟，具备优秀的能效比表现，为客户提供业界领先的IOPS/Watt 综合性能，助力客户降低TCO。产品覆盖了1 DWPD读取密集型和3 DWPD读写混合型两种不同类型应用，并支持现代化的数据中心的各种特性，包括AES256加密、Sanitize高级格式化、Data-path E2E Protection、Internal RAlD、Secure Boot、TCG Opal 2.0等高级特性。　　/ 结语 /　　通过持续的存储解决方案研发与升级，佰维企业级产品在性能、安全可靠性和能效比方面持续进阶。随着数字化转型的不断深入，佰维存储始终致力于为企业客户提供强大、高效、灵活且安全的存储解决方案，助力企业激发数据潜力，推动业务发展迈向AI+的新篇章。
2024-11-15 13:37 阅读量：284
佰维特存推出工业级ECC DDR4 SODIMM内存条，守护极端环境下的工业存储需求
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佰维特存推出工业级ECC DDR4 SODIMM内存条，守护极端环境下的工业存储需求

　　为应对严苛环境下的数据存储挑战，近日，佰维特存推出工业宽温级ECC SODIMM内存条，精选宽温颗粒，数据速率达3200Mbps，容量覆盖4GB～16GB。产品通过抗硫化与稳定性测试，从容应对高温、低温、高湿度、强震动等恶劣环境，满足电力设备、电信设备、工控机、轨道交通、自助终端、医疗设备等场景对数据可靠、稳定存储的需求。　　【工业级宽温标准，严苛环境的可靠之选 】　　-严选宽温颗粒，4 corner全方位测试评估，耐受-40°C至85°C的极端温度;　　-通过ANSI/ISA-71.04-2013抗硫化认证，适应恶劣高污染环境;　　-产品经过TC、THB、HTOL、LTOL等严苛测试，确保长时间稳定运行。　　【ECC护航，构筑持久稳定存算系统】　　-先进ECC纠错技术，智能检测并修复数据错误，有效保障数据完整性;　　-严格遵循JEDEC设计规范，确保高可靠性;　　-助力存储系统稳定性和持久性，提升系统生命周期。　　【高效内存架构，释放强劲算力】　　-多容量可选(4GB、8GB、16GB)，满足不同应用场景;　　-数据速率高达3200Mbps，保障工业自动化数据高速传输;　　-多架构支持(1R×16，1R×8)　　【稳定内核，构建智能制造基石】　　-专为智能制造与AI领域设计，助力工业自动化高效落地;　　-内置温度传感器，实时监控温度，提升系统稳定性;　　-30μ"金手指镀金层厚度，高抗振抗冲击性能，满足工业设备严苛标准。
2024-11-15 13:31 阅读量：189
佰维存储推出新一代高效能LPDDR5X内存，加速高性能终端设备AI应用
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佰维存储推出新一代高效能LPDDR5X内存，加速高性能终端设备AI应用

　　根据IDC预测，到2024年底，全球内置GenAI功能的智能手机出货量将达2.342亿部，同比增长363.6%，占整体出货量的19%;到2028年，这一数字预计将增长至9.12亿部，2024年至2028年的年复合增长率将达到78.4%。这种快速增长反映了市场对智能化服务和用户体验升级的强烈需求。GenAI功能不仅提供更个性化和智能的服务，还对智能手机硬件提出了更高要求，包括高算力SoC和高速可靠的嵌入式存储器，以确保手机流畅运行。　　近日，佰维存储推出了新一代高效能内存——LPDDR5X，产品采用了1bnm制程工艺，与上一代产品相比，数据传输速率提高33%至8533Mbps，功耗降低25%，容量为8GB、12GB、16GB(ES阶段)，为旗舰智能手机等终端设备提供卓越的性能与节能优势。　　01速率提升33%，加速高性能移动设备AI应用　　佰维LPDDR5X的数据传输速率高达8533Mbps，较上代产品提升33%。这一提升主要得益于LPDDR5X采用了更先进的时钟技术和电路设计，支持更高的时钟频率，从而实现更快的数据传输。同时，为了在更高的频率下保持信号的稳定性和可靠性，LPDDR5X引入了更先进的信号完整性和抗干扰技术。　　此外，LPDDR5X通过降低电压摆幅和采用更高效的驱动器和接收器设计，提高了信号的驱动能力和接收灵敏度，从而支持更高的数据传输速率。LPDDR5X还优化了内部时序参数，降低了CAS Latency，减少了数据访问等待时间，并通过改进行激活时间和行预充电时间，提高了整体效率，确保在高频率下仍能保持稳定和高效的数据传输，助力高性能移动设备AI应用。　　02功耗降低25%，更高能效提升设备续航能力　　佰维LPDDR5X采用了先进的1bnm制程工艺和创新的电路设计。产品通过降低辅助电源电压(VDD2)，减少了整体功耗。产品还进一步优化了动态电压和频率调节技术(DVFS)，可根据实际负载情况动态调整工作电压和频率，在低负载时降低电压和频率，从而显著减少功耗;在空闲时进入深度睡眠模式(Deep-sleep mode)，大幅降低功耗，延长电池寿命。　　此外，LPDDR5X引入了自适应刷新技术，可根据实际工作条件动态调整刷新周期。这使得内存可以在保持数据完整性的同时，减少不必要的刷新操作，从而降低功耗。这些技术改进共同确保了LPDDR5X在高性能移动设备和计算平台中的高效能和长续航能力。　　03先进测试能力加持，打造高品质与一致性　　DRAM芯片产品的核心技术之一在于测试。佰维存储基于对半导体存储器的全维度深入理解，采用了行业领先的半导体测试机台Advantest T5503HS2，并结合自研的自动化测试设备，以及自研测试软件平台、核心测试算法，覆盖了从设计验证到量产测试的全过程。通过先进的测试技术和严格的品质控制流程，佰维存储能够有效识别和排除潜在的质量问题，确保每一颗LPDDR5X芯片在性能、可靠性和稳定性方面均符合严苛标准，打造产品的高品质和一致性。　　/ 结语 /　　佰维存储LPDDR5X内存凭借其显著提升的数据传输速率和更低的功耗，可为高端智能手机、笔记本电脑、5G设备等高性能设备提供卓越的操作体验，并助力其实现更长的电池续航和更高的整体性能。展望未来，随着端侧AI应用的不断普及和发展，本地实现流畅运行大模型对终端设备的存储能力带来更高要求，驱动存储提速、扩容。佰维存储将继续发挥其研发封测一体化布局优势，通过在存储芯片设计、解决方案研发、封测制造等领域的持续研发投入和技术创新，不断满足智能终端市场对更高性能、更低功耗、更高可靠性的存储解决方案的需求，助力客户提升产品竞争力。
2024-11-12 10:38 阅读量：300
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