德国汽车半导体企业英飞凌科技近日宣布,推出业内首款 LPDDR 闪存芯片——Infineon SEMPER X1,以满足下一代汽车 E/E 架构的新需求。据了解,该存储芯片性能大幅提高,相比 NOR 闪存可达 8 倍,通过 LPDDR 接口可提供 3.2GB/秒的吞吐量,同时随机读取速度提高了 20 倍,可实现实时应用的高效存储和处理。目前,该产品正在进行采样,预计将于 2024 年上市。
当前汽车市场火爆,汽车存储行业也得到了结构性增长,为了提高系统的智能性、连接性和复杂性,对于片外存储的需求越来越高。另外,越来越多的应用场景要基于高性能的处理单元,驱动类MCU、GPU、MPU、SoC等对程序和参数的存储需求,FPGA对结构化数据的存储需求都在提高。因此,传统的xSPI NOR闪存已无法满足用户的需求。
据介绍,为了满足汽车区域架构的新需求,英飞凌借鉴了已有10年历史的LPDRR4 DRAM的LPDDR接口方案,并将其应用于闪存当中。
半导体市场研究公司Objective Analysis总经理Jim Handy表示:“随着半自动驾驶汽车的发展,汽车中的区域控制器越来越多,这些区域控制器对于实时计算有更高的需求,可以提高车辆的可靠性和安全性。英飞凌的LPDDR闪存可以很好地满足下一代汽车的这些需求,实现了比xSPI NOR闪存更高的性能。”
在线留言询价
型号 | 品牌 | 询价 |
---|---|---|
MC33074DR2G | onsemi | |
CDZVT2R20B | ROHM Semiconductor | |
RB751G-40T2R | ROHM Semiconductor | |
TL431ACLPR | Texas Instruments | |
BD71847AMWV-E2 | ROHM Semiconductor |
型号 | 品牌 | 抢购 |
---|---|---|
BP3621 | ROHM Semiconductor | |
ESR03EZPJ151 | ROHM Semiconductor | |
STM32F429IGT6 | STMicroelectronics | |
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 | Infineon Technologies | |
TPS63050YFFR | Texas Instruments | |
BU33JA2MNVX-CTL | ROHM Semiconductor |
AMEYA360公众号二维码
识别二维码,即可关注