ROHM Semiconductor GNP1 EcoGaN™650V E模式氮化镓(GaN)FET采用低导通电阻和高速开关来提高电源转换效率和减小尺寸。该款高度可靠的GNP1 FET具有内置ESD保护和出色的散热性能,方便安装。应用包括高开关频率和高密度转换器。
特性
》650V E模式GaN FET
》低导通电阻
》高速开关
》内置ESD保护
》高度可靠的设计
》帮助减少电源转换效率和尺寸
》出色的散热性能
》符合RoHS标准
应用
》高开关频率转换器
》高密度转换器
规范
》GNP1070TC-Z
》DFN8080K封装类型
》连续漏极电流范围:7.3A至20A
》脉冲漏极电流范围:24A至66A
》漏源电压:650V
》瞬态漏源电压:750V
》栅源电压范围:-10VDC 至+6VDC
》瞬态栅源电压:8.5V
》+25℃时功耗:56W
》栅极输入电阻:0.86Ω(典型值)
》输入电容:200pF(典型值)
》输出电容:50pF(典型值)
》输出电荷:44nC
》总栅极电荷:5.2nC(典型值)
》典型接通延迟时间:5.9ns
》典型上升时间:6.9ns
》典型关闭延迟时间:8.0ns
》典型下降时间:8.7ns
》GNP1150TCA-Z
》DFN8080AK封装样式
》连续漏极电流范围:5A至11A
》脉冲漏极电流范围:17A至35A
》漏源电压:650V
》瞬态漏源电压:750V
》栅源电压范围:-10VDC 至+6VDC
》瞬态栅源电压:8.5V
》+25℃时功耗:62.5W
》栅极输入电阻:2.6Ω(典型值)
》输入电容:112pF(典型值)
》输出电容:19pF(典型值)
》输出电荷:18.5nC
》典型总栅极电荷:2.7nC
》典型接通延迟时间:4.7ns
》典型上升时间:5.3ns
》典型关闭延迟时间:6.2ns
》典型下降时间:8.3ns
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