<span style='color:red'>ROHM</span> PLECS Simulator上线！实现电力电子电路的快速验证
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ROHM PLECS Simulator上线！实现电力电子电路的快速验证

　　中国上海，2026年4月23日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布，在ROHM官网上发布了基于仿真软件PLECS® *开发的仿真工具“ROHM PLECS Simulator”，该工具可在Web上高速仿真ROHM功率器件的工作情况，非常适合电力电子电路的设计人员和系统设计人员使用。　　“ROHM PLECS Simulator”可以通过从官网的列表中选择电力电子电路的拓扑以及ROHM提供的各种功率器件，在数秒到数分钟内即可完成损耗和温升等参数的仿真。在电路设计的初期阶段，该工具可大幅减少理想器件选型所需的工时。ROHM官网上目前已发布20种拓扑，并且计划未来将进一步扩充SiC器件、IGBT和功率模块等产品的器件模型及拓扑。　　本仿真工具只需在ROHM官网上完成用户注册，即可免费使用。另外，在专题页面上，除了该仿真工具的访问入口外，还发布了用户使用时所需的资料(用户操作手册、电路工作说明应用指南)。　　在电路设计时，尤其是在电力电子电路中，通常会采用仿真来代替成本高又耗时长的硬件试制。ROHM于2020年发布了可一次性验证功率器件产品和IC产品的“ROHM Solution Simulator”，并致力于不断扩充拓扑和器件模型。通过ROHM提供的高精度SPICE模型，用户能够以高度的复现性确认接近实际设备的波形，这一点获得了广泛好评。另一方面，用户还希望在开发初期阶段，能够基于损耗和发热验证，在短时间内选出理想的功率器件。　　针对这一需求，ROHM推出了“ROHM PLECS Simulator”，专门用于损耗和热计算。用户可以利用PLECS®进行快速的初期探讨，运用“ROHM Solution Simulator”的优势进行详细且高精度的验证，并根据不同的开发阶段进行区分使用，进而实现从设计的损耗和发热验证到波形检查的一体化仿真。　　<术语解说>　　*) PLECS®　　为了在虚拟空间中对含有控制的复杂电气与电力系统进行建模和仿真而开发的电力电子电路及系统的仿真工具。擅长进行损耗等参数的高速计算，能够在开发的上游阶段快速验证整个系统的响应性能。　　PLECS® 是 Plexim,Inc.的注册商标。
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发布时间：2026-04-23 16:21 阅读量：446 继续阅读>>
<span style='color:red'>ROHM</span>开发出第5代SiC MOSFET，高温下导通电阻可降低约30%！
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ROHM开发出第5代SiC MOSFET，高温下导通电阻可降低约30%！

　　中国上海，2026年4月21日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布，开发出新一代EcoSiC™——“第5代SiC MOSFET”，该产品非常适用于xEV(电动汽车)用牵引逆变器*等汽车电动动力总成系统以及AI服务器电源和数据中心等工业设备的电源。　　ROHM在开发第5代SiC MOSFET的过程中，通过改进器件结构并优化制造工艺，与以往的第4代产品相比，成功地将功率电子电路实际使用环境中备受重视的高温工作时(Tj=175℃)的导通电阻降低约30%(相同耐压、相同芯片尺寸条件下比较)。在xEV用牵引逆变器等需要在高温环境下使用的应用中，该产品有助于缩小单元体积，提高输出功率。　　第5代SiC MOSFET已于2025年起先行提供裸芯片样品，并于2026年3月完成开发。　　另外，ROHM计划从2026年7月起开始提供配有第5代SiC MOSFET的分立器件和模块的样品。未来，ROHM将进一步扩大产品阵容，同时完善设计工具，并强化针对应用产品设计的支持体系。　　<开发背景>　　近年来，在工业设备领域，随着生成式AI和大规模数据处理技术的普及，用于AI处理等的高性能服务器的引进速度不断加快。由于这类应用的功率密度不断提高，引发了业界对电力系统负荷加重以及局部供需紧张的担忧。作为解决这一难题的对策，将太阳能等可再生能源与供电网络等相结合的智能电网备受关注，但能源转换和蓄电过程中的损耗降低仍是一大挑战。在车载领域的下一代电动汽车中，除了延长续航里程和提升充电速度之外，还要求进一步降低逆变器损耗、提升OBC(车载充电器)性能。因此，在上述数千瓦到数百千瓦级大功率应用中，能够实现损耗降低与高效化兼顾的SiC器件正在加速普及。　　ROHM于2010年在全球率先开始量产SiC MOSFET，并很早就推出了符合车规级可靠性标准(AEC-Q101)的产品群，通过将SiC广泛应用于各种大功率应用中，助力降低能源损耗。此外，第4代SiC MOSFET于2020年6月开始提供样品，并在SiC的普及阶段就推出了分立器件和模块等丰富多样的产品阵容，目前已在全球车载设备和工业设备领域得到了广泛应用。此次ROHM开发出的第5代SiC MOSFET实现了业界超低损耗，将进一步扩大SiC的应用领域。　　未来，ROHM计划进一步扩充第5代SiC MOSFET的耐压和封装阵容，同时，通过推动已进入普及阶段的SiC在各个领域的实际应用，为提高各种大功率应用的电能利用效率持续贡献力量。　　<应用示例>　　车载设备：xEV用牵引逆变器、车载充电器(OBC)、DC-DC转换器、电动压缩机　　工业设备：AI服务器及数据中心等的电源、PV逆变器、ESS(储能系统)、UPS(不间断电源)　　eVTOL、AC伺服　　<关于“EcoSiC™”品牌>　　EcoSiC™是采用了因性能优于硅(Si)而在功率元器件领域备受关注的碳化硅(SiC)的元器件品牌。从晶圆生产到制造工艺、封装和品质管理方法，ROHM一直在自主开发SiC产品升级所必需的技术。另外，ROHM在制造过程中采用的是一贯制生产体系，目前已经确立了SiC领域先进企业的地位。　　EcoSiC™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。　　<术语解说>　　*) 牵引逆变器　　电动汽车的驱动电机采用的是相位差为120度的三相交流电驱动。将来自电池的直流电转换为交流电以实现这种三相交流电的逆变器即牵引逆变器。
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发布时间：2026-04-22 09:07 阅读量：378 继续阅读>>
<span style='color:red'>ROHM</span>课堂 | 欧姆定律：电压、电流及电阻之间的关系
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ROHM课堂 | 欧姆定律：电压、电流及电阻之间的关系

　　欧姆定律是电路的基本原理，用“电流=电压÷电阻”的公式来表述电流、电压与电阻三者之间的关系。电压越高电流越大，而电阻越大则电流越小。例如，在将干电池与灯泡串联连接的电路中，电池的电压和灯泡的电阻共同决定了流过灯泡的电流量。本文将从基础内容出发，利用计算工具和公式等，介绍欧姆定律在简单电路设计中的实际应用方法。　　欧姆定律的基本原理(直流)　　欧姆定律在现代物理学和电子工程学领域发挥着核心作用，被广泛应用于电路分析和设计等众多场景。其主要涉及电压V、电流I和电阻R三个变量。本节会先介绍在实际测量电流或分析电路时实用的“计算工具”，然后探讨电压、电流、电阻各要素之间的相互作用机制，其后介绍相关方程式及单位的定义。最后会提到“VRI三角形”和“VRIP轮盘”等可视化工具，通过这些直观的图表清晰地展示电阻电路的基本关系。　　串联电路和并联电路中的欧姆定律　　串联电路是指电子元器件以串联方式连接的电路，电流流经同一路径。而并联电路则是电子元器件并联连接、电流分流通过各并联支路的电路。串联电路的特性之一是电阻相加后的总电阻较高。并联电路通过计算各电阻的倒数之和即可求出总电阻。　　串联电路　　在串联电路中，电阻等元器件按顺序连接，共享同一通路。其特点如下：　　・电流：串联电路中所有元器件流过的电流相同。　　・分压：电压被分配给各元器件。根据欧姆定律，在串联电路中，由于所有元器件流过相同电流，因此各元器件的电压降遵循=关系式，与电阻值成正比。高电阻元器件需要分配较高电压。　　・总电阻计算：串联电路中各元器件的电阻值相加即为总电阻。也就是说，合成电阻只是各元器件电阻值相加得到的总和。　　欧姆定律在电路中的作用　　欧姆定律绝非单纯的理论，通过将电路分解为线性和稳态区间，便可借助欧姆定律对电压降和损耗等参数进行概算。通过明确电压、电流及电阻之间的相互关系，能够正确操作电路元器件，准确地掌握流过的电流和电压降等情况。本节将通过由电阻器和导线构成的电路实例，讲解如何求解相关参数。　　电阻器和导体实例　　电子设备中存在各种元器件，其中仅含电阻分量的电阻器可以说是最简单易懂的实例。电阻器上标有10Ω、1kΩ、100kΩ等色环标示值或印刷的标称值，这些电阻器在直流电路等应用场景中能通过多少电流，可通过公式“V=IR”立即计算得出。　　在电源电压恒定且电阻保持定值R的理想条件下，电流I也将保持恒定。然而，由于导线及其他元器件本身也存在非常微小的电阻，在高精度应用和大功率应用场景，需要考虑到这些“残余电阻”。例如，在驱动远端设备的长距离布线电路中，导线自身的电阻往往会成为不可忽视的电流损耗源。
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发布时间：2026-04-16 09:52 阅读量：442 继续阅读>>
<span style='color:red'>ROHM</span>课堂 | 什么是分流定律（分流电路）？
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ROHM课堂 | 什么是分流定律（分流电路）？

　　分流定律是定量表示在并联连接的电路(分流电路)中电流如何分配的基本原理。分流定律根据各路径的电阻或负载决定电流量，因此有助于提高设计精度，并防止出现过热和超出元器件额定值等问题。　　例如，当多个电阻并联连接时，该定律也有助于确定电流集中在部分路径的原因。与分流定律成对的分压定律，处理的是串联电路中的电压分配。通过将两者结合起来理解，可以系统地梳理出“并联时的电流、串联时的电压”是如何决定的，并有助于提高复杂电路的工作分析和电路仿真的精度。　　本文将以分流定律为出发点，详细介绍分流电路的原理、具体的计算方法以及设计上的注意事项等内容。　　分流定律(分流电路)的基础知识　　要了解分流定律，首先需要掌握分流电路(并联电路)的特点。在分流电路中，施加在各路径两端的电压相同，并且各电流的总和等于电源电流，这正符合基尔霍夫电流定律(KCL)。分流定律正是对“电流被分流”这一性质的简洁表达。　　了解分流定律　　分流定律是计算并联电路中各路径电流的便捷规则。该规则阐述了“如何计算分流电路中各电阻的电流”，是电路设计中的重要指南。　　分流定律中的反比关系　　在分流电路中，从公式中解读出“电阻值越小，电流越大”这一特性非常重要。在并联电路中，由于各路径上施加的电压相同，因此电阻值越小的路径流过的电流越大。这可以通过欧姆定律直接推导出来。　　为什么是反比关系　　在并联电路中，由于各路径上施加的电压相同，将欧姆定律V=I×R变形为RtI=V/R后可知，R越小，I越大。例如，当R1<R2时，i1大于i2，并且以i1+i2=It的形式与总电流保持一致。　　合成电阻变小的原因　　并联连接的电阻数量越多，电流的流通路径越多，电流就越容易流过整个电路，因此合成电阻会变得更小。这与水路分成多条支流后水流增加的情形类似，对于流通大电流时的设计和应用有很大帮助。
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发布时间：2026-04-10 10:32 阅读量：648 继续阅读>>
<span style='color:red'>ROHM</span>课堂 | 光传感器：光电二极管和光电晶体管介绍
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ROHM课堂 | 光传感器：光电二极管和光电晶体管介绍

　　关键要点　　・光传感器本质上是将感光器件接收到的光转换为电能，并利用其电流的传感器的总称。　　・光电二极管是比较简单的光电转换元件。　　・光电晶体管采用光电二极管与晶体管的一体化结构，是通过晶体管将光电二极管的输出电流(光电流)放大后再输出的元件。　　利用光检测的传感器种类繁多。此前介绍过的照度传感器和接近传感器以及利用光电容积脉搏波法的脉搏传感器也属于光传感器的范畴。本文将介绍光传感器中比较基础的光电二极管和光电晶体管。　　01什么是光传感器　　光传感器本质上是将感光元件接收到的光转换为电能，并利用其电流的传感器的总称。其功能多样，既可简单地检测光的有无与强弱，也能识别颜色等，并且可以适配自然光和发光二极管等多种光源。光传感器的核心是感光元件，其中比较基础的元件是光电二极管和光电晶体管。它们的应用场景丰富多样，覆盖范围非常广泛。　　02什么是光电二极管　　光电二极管是比较简单的光电转换元件。其结构由p型半导体和n型半导体组成的pn结构成，与普通的pn结整流二极管基本相同。其V-I特性在无光条件下与普通二极管相同(下图中的蓝色曲线)，但当pn结受光时，光电二极管的V-I特性会向下偏移(下图中的红色曲线)。此时，从阴极流向阳极的反向电流称为“光电流”。光电流基本与照度(入射光量)成正比(见下图)。由于以反向电流作为输出，因此通常在反向偏置中使用。　　光电二极管的输出电流(光电流)通常为微安(μA)级，数值较小，因此一般需要先通过晶体管或运算放大器等接收并放大后再利用。另外，光电二极管具有照度(入射光量)与输出电流之间的线性度较高、响应速度快等特点。　　03什么是光电晶体管　　光电晶体管采用光电二极管与晶体管的一体化结构，是通过晶体管将光电二极管的输出电流(光电流)放大后再输出的元件(见下图)。光电二极管的光电流为μA级，由于通常很难直接处理如此微小的电流，因此光电晶体管会将其放大至mA级再输出。另外，通过放大，即使在照度较低(即光电流较小)的情况下也能获得足够的输出，从而提升灵敏度。　　在图中，NPN晶体管的集电极-基极之间似乎连接了光电二极管，但实际上是NPN晶体管的基极(p型)和集电极(n型)之间的pn结起到了光电二极管的作用。此处产生的光电流成为晶体管的基极电流，经晶体管放大hFE倍后，形成集电极电流Ic(输出电流)流过。输出电流基本与照度成正比。由于结构和工作原理的差异，光电晶体管的响应速度比光电二极管慢。
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发布时间：2026-04-10 09:45 阅读量：485 继续阅读>>
4月研讨会报名中！<span style='color:red'>ROHM</span> Nch LV MOSFET：赋能AI服务器，解锁高效电源新方案
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4月研讨会报名中！ROHM Nch LV MOSFET：赋能AI服务器，解锁高效电源新方案

　　随着AI服务器等应用对功率密度和能效的要求不断提升，低压MOSFET的导通损耗与开关损耗成为设计关键。ROHM长期深耕于此领域，致力于相关产品和技术的持续创新，其中多个产品系列已广泛应用于AI服务器电源、工业电源管理等对能效与可靠性要求严苛的场景，为客户提供领先的导通电阻性能和灵活的封装解决方案。　　本次研讨会将介绍ROHM的N沟道低压MOSFET产品，涵盖工艺、封装技术、产品阵容等，并会重点介绍ROHM面向服务器应用提出的解决方案。扫描海报二维码，即可报名，参与还有机会赢取精美礼品!　　一、研讨会概要　　1. ROHM LV MOSFET的目标市场和应用　　2. ROHM LV MOSFET的结构和封装工艺　　3. ROHM LV MOSFET的技术路线图和产品/封装阵容　　4. 面向服务器应用的解决方案和新产品介绍　　二、研讨会主题　　ROHM Nch LV MOSFET产品介绍　　三、研讨会时间　　2026年4月22日上午10点　　四、研讨会讲师洪梓昕(工程师)　　负责面向包括工控、民生、车载等各领域的分立器件产品的推广，涉及功率器件和小信号器件等产品，为客户进行选型指导和技术支持。　　五、官方技术论坛　　不仅是Webinar相关内容，所有ROHM的产品和技术都可以在“ROHM官方技术论坛(ESH)”向ROHM的工程师直接提问。期待您的使用!　　点击下方链接查看：https://app.jingsocial.com/track/generalLink/linkcode/71dd37d853a951ef7605e86fdf3faab0/mid/858　　相关产品页面　　· 适用于AI服务器48V电源热插拔电路的100V功率MOSFET： https://ameya360.com/hangye/113949.html　　· 适用于AI服务器等高性能服务器电源的MOSFET：　　https://ameya360.com/hangye/113215.html　　· 安装可靠性高的10种型号、3种封装的车载Nch MOSFET：　　https://ameya360.com/hangye/112418.html　　相关产品资料　　适用于AI服务器的兼具业界超宽SOA范围和超低导通电阻的MOSFET：　　https://qiniu-static.geomatrixpr.com/rohmpointmall/public/static/uploads/log/20250606/bcb29836697daa064cd22046dae6f566.pdf　　ROHM面向AI服务器800VDC构成解决方案：　　https://qiniu-static.geomatrixpr.com/rohmpointmall/public/static/uploads/log/20260323/072cee71ab4d82fd1e5462220f70c8ee.pdf　　低导通电阻Nch 功率MOSFET(铜夹片型)RS6xxxx系列/RH6xxxx系列：　　https://qiniu-static.geomatrixpr.com/rohmpointmall/public/static/uploads/log/20230626/fda088792d480a97f7768835115ff87f.pdf　　好礼来袭　　互动礼　　观看研讨会并参与提问即有机会获取U型枕1个，共计15份。　　宣传礼　　转发研讨会文章/海报，同时将截图私信至罗姆微信公众号即有机会获取精美礼品1份。　　专业微信群　　拓展坞(30份)　　微信朋友圈　　桌面风扇(20份)　　邀约礼　　分享本次研讨会，邀请5位好友报名，并将好友报名手机号分享至罗姆公众号后台，即有机会获取30元京东卡1份，共计20份。　　注意事项　　1. 请注意，想获得以上好礼都需要报名研讨会并关注“罗姆半导体集团”微信公众号(微信号：rohmsemi)。　　2. 每位用户仅可领取一种奖品，报名信息须真实有效。　　3. 活动最终解释权归罗姆半导体集团所有。
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发布时间：2026-04-10 09:29 阅读量：425 继续阅读>>
<span style='color:red'>ROHM</span>推出支持10Gbps以上高速I/F的ESD保护二极管
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ROHM推出支持10Gbps以上高速I/F的ESD保护二极管

　　2026年4月2日,全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)宣布，推出兼具业界超低动态电阻(Rdyn)*1和超低电容特性的ESD(静电放电)保护二极管*2“RESDxVx系列”。该系列产品适用于需要高速数据传输的众多应用领域。　　近年来，在工业设备和车载市场，高速信号传输的普及与电子设备的小型化、高性能化趋势日益显著。相应地，系统(电路板、模块)层面对所需的ESD防护措施要求越来越严苛。另一方面，随着多功能化、高性能化、微细化技术的发展，IC对电气过载(EOS)和静电放电(ESD)的耐受能力呈下降趋势。因此，对于兼具“低电容(抑制高速通信时的信号劣化)”和“凭借低动态电阻实现出色IC保护性能”的外置ESD保护器件的需求与日俱增。尤其是在10Gbps以上的下一代通信中，微小的寄生电容差异都会对通信波形产生重大影响。然而，降低寄生电容与动态电阻之间存在此消彼长的权衡关系，因此如何兼顾通信质量和IC保护，成为亟待解决的课题。　　对此，ROHM推出了能够解决这一课题、并支持更高速通信的RESDxVx系列产品，新产品不仅实现更低电容，还实现更低的动态电阻。超过10Gbps的高速通信接口，需要可将信号劣化控制在更低且具备出色IC保护性能的ESD保护二极管。新产品实现引脚间电容*3仅为0.24pF(双向)和0.48pF(单向)的超低电容特性。同时，与该特性存在权衡关系的动态电阻也降低至0.28Ω。与普通产品相比，其钳位电压*4降低了约40%，确保了优异的IC保护性能。　　这些优势有助于提高各种高速数据通信设备(例如AI服务器和5G/6G通信设备等工业设备，笔记本电脑和游戏机等消费电子产品)的可靠性。另外，DFN1006-2W封装的“RESDxVxBASAFH”和“RESDxVxUASAFH”符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101的要求，还适用于采用SerDes*5通信的ADAS(高级驾驶辅助系统)、AD(自动驾驶)摄像头以及ECU(电子控制单元)等应用。　　新产品已于2026年3月开始量产(样品价格70日元/个，不含税)，并已经开始网售，可通过AMEYA360商城购买，如有需要请联系AMEYA客服。　　ROHM今后将继续扩充低电容ESD保护二极管和TVS二极管的产品阵容，助力AI服务器、通信基础设施、自动驾驶系统等电子技术的发展，为实现安全、安心且舒适的数字社会贡献力量。　　<产品阵容>　　<应用示例>　　适用于支持USB4、USB3.x、Thunderbolt 4、HDMI、DisplayPort、PCI Express、LVDS、MIPI D-PHY/C-PHY、车载SerDes以及车载以太网(10/100/1000Mbps)等各种接口的设备。　　◆工业设备：AI服务器、数据中心、路由器、光模块、5G/6G通信基站、FA设备用摄像头等　　◆消费电子：PC、服务器、USB加密狗、智能手机、平板电脑、游戏机、影音设备、通信天线等　　◆车载设备：ADAS(高级驾驶辅助系统)/AD(自动驾驶)/全景影像系统/倒车影像系统用的摄像头、车载信息娱乐系统、车身控制ECU、中控台(影音系统、显示屏)等。　　<网售信息>　　开始销售时间：2026年3月起　　新产品在AMEYA360商城将逐步发售。　　<术语解说>　　*1) 动态电阻(Dynamic Resistance)　　表示ESD保护二极管在保护IC时，其电压随电流变化的增量程度的指标，又称“交流电阻”。该值越小，表示即使流过相同的放电电流时，也能将引脚电压的上升幅度控制得越低，从而减轻IC承受的电气应力，提高保护性能。　　*2) ESD保护二极管　　用来保护电路免受过电压、浪涌和ESD(Electro-Static Discharge：静电放电)影响的半导体器件。通过吸收突发的电压和电流尖峰(浪涌)，来防止电路损坏和误动作。在车载环境中，对于电气方面发生严重波动时的保护至关重要。　　*3) 引脚间电容(Capacitance Between Terminals)　　电子元器件中产生的不必要的电容分量。如果引脚间电容较大，高速通信时信号就会劣化，因此在车载通信应用中降低引脚间电容非常重要。　　*4) 钳位电压　　ESD保护二极管抑制浪涌等引起的过电压时电路内维持的电压。该电压越低，越可以有效地保护电路和设备，从而提高车载设备的可靠性。　　*5) SerDes　　成对使用IC实现大容量数据高速传输的通信方式。信息发送端的串行器(Serializer)将多个数字信号数据转换为一个高速串行信号发出，信息接收端的解串器(Deserializer)则将其还原为原始数据。因其能以数Gbps至数十Gbps的速度高速传输大量数据，而被广泛应用于PC、服务器及车载摄像头系统等的高速接口。
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发布时间：2026-04-02 15:58 阅读量：558 继续阅读>>
报名开启丨<span style='color:red'>ROHM</span> AI服务器解决方案解读，参会赢好礼！
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报名开启丨ROHM AI服务器解决方案解读，参会赢好礼！

　　随着AI服务器等应用对功率密度和能效的要求不断提升，低压MOSFET的导通损耗与开关损耗成为设计关键。ROHM长期深耕于此领域，致力于相关产品和技术的持续创新，其中多个产品系列已广泛应用于AI服务器电源、工业电源管理等对能效与可靠性要求严苛的场景，为客户提供领先的导通电阻性能和灵活的封装解决方案。　　本次研讨会将介绍ROHM的N沟道低压MOSFET产品，涵盖工艺、封装技术、产品阵容等，并会重点介绍ROHM面向服务器应用提出的解决方案。扫描海报二维码，即可报名，参与还有机会赢取精美礼品!　　一、研讨会概要　　1. ROHM LV MOSFET的目标市场和应用　　2. ROHM LV MOSFET的结构和封装工艺　　3. ROHM LV MOSFET的技术路线图和产品/封装阵容　　4. 面向服务器应用的解决方案和新产品介绍　　二、研讨会主题　　ROHM Nch LV MOSFET产品介绍　　三、研讨会时间　　2026年4月22日上午10点　　四、研讨会讲师洪梓昕(工程师)　　负责面向包括工控、民生、车载等各领域的分立器件产品的推广，涉及功率器件和小信号器件等产品，为客户进行选型指导和技术支持。　　五、官方技术论坛　　不仅是Webinar相关内容，所有ROHM的产品和技术都可以在“ROHM官方技术论坛(ESH)”向ROHM的工程师直接提问。期待您的使用!　　点击下方链接查看：https://app.jingsocial.com/track/generalLink/linkcode/71dd37d853a951ef7605e86fdf3faab0/mid/858　　相关产品页面　　· 适用于AI服务器48V电源热插拔电路的100V功率MOSFET： https://ameya360.com/hangye/113949.html　　· 适用于AI服务器等高性能服务器电源的MOSFET：https://ameya360.com/hangye/113215.html　　· 安装可靠性高的10种型号、3种封装的车载Nch MOSFET：https://ameya360.com/hangye/112418.html　　相关产品资料　　适用于AI服务器的兼具业界超宽SOA范围和超低导通电阻的MOSFET：　　 　　https://qiniu-static.geomatrixpr.com/rohmpointmall/public/static/uploads/log/20250606/bcb29836697daa064cd22046dae6f566.pdf　　ROHM面向AI服务器800VDC构成解决方案：　　https://qiniu-static.geomatrixpr.com/rohmpointmall/public/static/uploads/log/20260323/072cee71ab4d82fd1e5462220f70c8ee.pdf　　低导通电阻Nch 功率MOSFET(铜夹片型)RS6xxxx系列/RH6xxxx系列：　　https://qiniu-static.geomatrixpr.com/rohmpointmall/public/static/uploads/log/20230626/fda088792d480a97f7768835115ff87f.pdf　　好礼来袭　　互动礼　　观看研讨会并参与提问即有机会获取U型枕1个，共计15份。　　宣传礼　　转发研讨会文章/海报，同时将截图私信至罗姆微信公众号即有机会获取精美礼品1份。　　专业微信群　　拓展坞(30份)　　微信朋友圈　　桌面风扇(20份)　　邀约礼　　分享本次研讨会，邀请5位好友报名，并将好友报名手机号分享至罗姆公众号后台，即有机会获取30元京东卡1份，共计20份。　　注意事项　　1. 请注意，想获得以上好礼都需要报名研讨会并关注“罗姆半导体集团”微信公众号(微信号：rohmsemi)。　　2. 每位用户仅可领取一种奖品，报名信息须真实有效。　　3. 活动最终解释权归罗姆半导体集团所有。
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发布时间：2026-04-01 14:12 阅读量：590 继续阅读>>
<span style='color:red'>ROHM</span>推出超小型无线供电芯片组
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ROHM推出超小型无线供电芯片组

　　2026年3月17日,全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)宣布，针对智能戒指、智能手环等小型可穿戴设备以及智能笔等小型外围设备应用，推出支持近场通信技术(NFC，近距离非接触式无线通信技术)的无线供电IC芯片组“ML7670(接收端)”和“ML7671(发射端)”。　　近年来，以医疗保健和健身用途为核心的智能戒指市场发展迅速。但挑战在于对佩戴在手指上的环形超小设备而言，很难进行有线供电;而且常用的Qi标准*1无线充电技术也因线圈尺寸等因素的限制而难以运用。因此，业内将目光投向能在小型设备上实现可靠充电的近场供电方式。在这种背景下，采用可实现天线小型化的13.56MHz高频段的NFC供电技术备受瞩目，其在下一代可穿戴设备中的应用正在加速普及。ROHM已推出支持1W供电的ML7660/ML7661芯片组，此次又开发出针对小型设备优化的新芯片组ML7670/ML7671，助力可穿戴设备的升级和使用便利性提升。　　新芯片组是基于广受好评、最高可提供1W供电的“ML7660(接收端)”和“ML7661(发射端)”系列开发出来的衍生型号。新产品将供电量限制在最大250mW，同时内置了向充电IC供电所需的开关MOSFET等外部器件。因此，在安装面积和供电效率两方面均针对小型可穿戴设备(尤其是智能戒指)所需的功率等级进行了优化。　　接收端IC“ML7670”不仅保持2.28mm×2.56mm×0.48mm这一业界超小尺寸，在供电量250mW的低输出功率范围内工作时还实现高达45%的供电效率。新芯片组的一大优势是通过优化线圈匹配、整流电路以及降低开关器件损耗等要素，实现了超越同等产品效率水准的性能。　　而且，IC内部已经集成无线供电所需的固件，无需再外置主控MCU，这可大大节省所开发设备的空间并大幅减少开发工时。　　另外，由于符合NFC Forum*2标准(WLC 2.0)，因此可在保持与现有设备兼容性的同时实现供电，在日益普及的NFC无线充电系统中发挥着核心器件作用。　　新芯片组已投入量产。并且，日本自主研发并销售睡眠管理智能戒指“SOXAI RING”的SOXAI. Inc公司已在2025年12月10日发售的最新款“SOXAI RING 2”中采用了该芯片组。此外，为便于用户轻松评估产品性能，ROHM还提供评估板和参考设计。如有需求，欢迎联系AMEYA360垂询。　　未来，ROHM将继续利用可穿戴设备所需的小型化和低功耗技术优势推进产品开发，致力于提升用户体验并为可穿戴市场的发展贡献力量。　　<产品规格>　　<应用案例>　　SOXAI RING 2 应用案例页面　　“SOXAI RING”是日本国内唯一能够准确采集并分析睡眠数据的睡眠管理智能戒指。该戒指中搭载了光学生命体征传感器、温度传感器、加速度传感器、Bluetooth® Low Energy通信功能、NFC无线充电功能等先进技术。新推出的“SOXAI RING 2”智能戒指，通过搭载自主研发的光电容积脉搏波(PPG)传感器“Deep Sensing™”(深度监测技术)，大大提高了检测精度，能够在更深层面将身体状态的变化可视化。Bluetooth®是美国Bluetooth SIG, Inc.的注册商标。Deep Sensing™是SOXAI. Inc的商标或注册商标。　　<应用示例>　　・智能戒指　　・智能手环　　・智能笔　　・无线耳机　　・其他(可穿戴设备等小型电子设备)　　<术语解说>　　*1)Qi标准　　无线充电联盟制定的无线充电国际标准。是智能手机无线充电所采用的技术。　　*2)NFC Forum　　非接触式近场通信的国际标准化组织。对采用了13.56MHz高频段近场无线通信标准“Near Field Communication(NFC)” 的通信和供电方式进行了标准化规范。　　<照片>
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发布时间：2026-03-18 10:19 阅读量：831 继续阅读>>
<span style='color:red'>ROHM</span>一举推出17款高性能运算放大器，提升设计灵活性
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ROHM一举推出17款高性能运算放大器，提升设计灵活性

　　中国上海，2026年3月10日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布，推出适用于车载设备、工业设备及消费电子设备等众多领域的CMOS运算放大器“TLRx728系列”和“BD728x系列”产品。作为高性能运算放大器，新产品出色地兼顾了低输入失调电压*1、低噪声及高压摆率*2，通过丰富的产品阵容可为用户提供便捷的选型体验。另外，新产品支持轨到轨输入输出，能够充分利用电源电压范围，因此可确保更宽的动态范围。　　近年来，随着汽车领域车载系统的迭代升级以及工业设备中机器人技术等对感测精度的要求不断提升，市场对能够精确处理微小电压信号的运算放大器需求正快速增长。尤其是在需要精确放大传感器输出的应用场景中，将信号误差和延迟控制在最低限度是必不可缺的功能，这就要求运算放大器具备输入失调电压、噪声、压摆率等主要特性的均衡表现。针对这样的市场需求，ROHM推出了可满足需求的新系列产品——不仅这些特性均表现优异，而且具备支持更广泛应用领域的通用性。利用新产品，可在众多领域实现高精度且稳定的信号处理。　　新产品系列适用于对精度要求高的传感器信号处理、电流检测电路、电机驱动控制及电源监控系统等众多应用领域。采用的是不局限于特定用途、同时注重通用性和高性能的设计理念。另外，除单通道、双通道、4通道结构外，还提供多样化的封装形式，用户可根据具体应用场景和电路板尺寸选择合适的产品。　　目前，新产品已逐步投入量产(样品价格：单通道产品280日元/个，双通道产品350日元/个，4通道产品480日元/个，不含税)。此外，新产品已经开始通过电商进行销售。　　今后，ROHM将继续致力于开发满足市场需求的高性能模拟产品，助力提升客户的设计灵活性。　　<应用示例>　　车载设备、工业设备、消费电子等领域均适用　　应用示例：传感器信号处理、电流检测电路、电机驱动控制、电源监控系统等　　<术语解说>　　*1) 输入失调电压　　运算放大器输入引脚间产生的误差电压。　　*2) 压摆率　　表示运算放大器的输出电压在单位时间内变化程度的性能指标。该数值越高，在输入矩形波和高速信号时，输出越能快速跟上输入的变化，可防止削波现象和波形失真问题。
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发布时间：2026-03-12 13:20 阅读量：572 继续阅读>>

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