安森美 NCV8415自保护低侧MOSFET驱动器是三端保护的智能分立FET,适用于严苛的汽车环境。NCV8415元件具有各种保护特性,包括用于Delta热关断、过电流、过温、ESD和用于过压保护的集成漏极-栅极钳位。该器件还通过栅极引脚提供故障指示。下面AMEYA360电子元器件采购网详细介绍:
特性
》具有涌浪电流管理的短路保护
》Delta热关断
》带自动重启的热关断
》过压保护
》用于过压保护和感应开关的集成钳位
》静电防护
》dV/dt鲁棒性
》N沟道极性
》增强模式
》模拟驱动能力(逻辑级输入)
》TO-252-4或SOT-223-4封装形式
》AEC−Q101 1级合格且具备PPAP能力
》无铅且符合RoHS指令
应用
》可切换各种电阻、电感和电容负载
》可替代机电继电器和分立电路
》汽车
》工业
规范
》漏极-源极击穿电压:42V或46V
》连续漏极电流:1A或11A
》漏极-源极电阻:120mΩ或185mΩ
》栅极-源极电压:±14V
》栅极阈值电压:1.6V或2V
》工作温度范围:-40°C至+150°C
》2.2W或2.99W功耗
》29ns下降时间
9ns上升时间
》典型延迟时间
关断:70µs
开启:13µs或43µs
框图
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CDZVT2R20B | ROHM Semiconductor | |
TL431ACLPR | Texas Instruments | |
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MC33074DR2G | onsemi |
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