ROHM Semiconductor 650V GaN HEMT功率级IC设计用于要求苛刻的电子设备系统。 ROHM Semiconductor IC巧妙地综合了大功率密度和效率。 该器件集成650V增强型GaN HEMT和硅驱动器。
特性
*Nano CAP™集成输出可选5V LDO
*为工业应用提供长期支持产品
*V DD引脚电压工作范围宽
*IN引脚压电的宽工作范围
*低V DD静态和工作电流
*低传播延迟
*高dv/dt抗扰度
*可调栅极驱动器强度
*电源良好信号输出
*VDD UVLO保护
*热关断保护
应用
*工业设备
*电源与大功率密度
*高效需求
*桥拓扑结构如图腾柱PFC
*LLC电源
*适配器
典型应用电路
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型号 | 品牌 | 询价 |
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RB751G-40T2R | ROHM Semiconductor | |
BD71847AMWV-E2 | ROHM Semiconductor | |
MC33074DR2G | onsemi | |
TL431ACLPR | Texas Instruments | |
CDZVT2R20B | ROHM Semiconductor |
型号 | 品牌 | 抢购 |
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BU33JA2MNVX-CTL | ROHM Semiconductor | |
BP3621 | ROHM Semiconductor | |
ESR03EZPJ151 | ROHM Semiconductor | |
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 | Infineon Technologies | |
STM32F429IGT6 | STMicroelectronics | |
TPS63050YFFR | Texas Instruments |
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