瑞萨电子:扩充车载32位MCU核心RH850/F1x系列产品阵容

Release time:2023-08-11
author:AMEYA360
source:网络
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  近年来,在RH850/F1x系列产品的主要应用——汽车执行器ECU市场中,提升传统产品设计资产以应对E/E架构发展需求的情形逐渐增多。其中的关键一环就是产品阵容多样化,比如“小内存同空间高性能”和“内存选择多样化”之类。

瑞萨电子:扩充车载32位MCU核心RH850/F1x系列产品阵容

  为了满足这些市场需求,我们推出介于RH850/F1K系列和RH850/F1KM-S4系列之间的RH850/F1KM-S2系列产品,以期拓展客户的选择面。

瑞萨电子:扩充车载32位MCU核心RH850/F1x系列产品阵容

  在这里,我们介绍一下RH850/F1KM-S2的应用案例。

  案例1 程序大小缩容方便

  在RH850/F1KM-S4开发中的要求规范内,删除了OTA要求。

  OTA支持2MB+2MB,因此需要将程序大小更改为2MB。

  在这种情况下,如果使用RH850/F1KM-S2,就可以在最小范围内变更软硬件后进行开发。

  案例2 轻松应对增强的安全请求

  在RH850/F1KM-S1开发中的项目内,安全请求得到强化,要求支持Evita-Mid。

  由于1MB的ROM空间已用尽,因此有必要添加安全固件并且更新HSM(Hardware Security Module)以支持Evita-Mid。

  在这种情况下,如果使用RH850/F1KM-S2,就可以在最小范围内变更软硬件后进行开发。

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瑞萨电子荣获全球电子成就奖“年度最佳电子企业”荣誉
  11月5日-6日,国际集成电路展览会暨研讨会(IIC Shenzhen 2024)于深圳福田会展中心7号馆举行。大会同期举办了“全球CEO峰会”与“2024年度全球电子成就奖”颁奖典礼,瑞萨电子凭借强大的技术实力和卓越的市场表现,被授予“年度最佳电子企业”荣誉。  全球电子成就奖  年度最佳电子企业  全球电子成就奖旨在评选并表彰对推动全球电子产业创新做出杰出贡献的企业和管理者。作为中国电子行业中最具声望的奖项之一,瑞萨对此次获评“年度最佳电子企业”殊荣深感荣幸。这不仅是业界对于瑞萨技术实力与市场成就的双重认证,更是对其在全球电子产业中所作贡献的高度表彰。  在11月5日举办的全球CEO峰会中,瑞萨电子全球销售与市场副总裁赖长青受邀参会,并发表《瑞萨边缘AI全景图》主题演讲,介绍了瑞萨在边缘AI领域的产品布局和进展。  他表示:“就人工智能开发的生态系统而言,真正重要的是提供易用的开发平台。瑞萨将人工智能开发工具与e2studio开发环境集成在一起,可在其中创建一个具有上下文感知的模型,并将模型导入到客户的嵌入式项目中。除此之外,瑞萨可提供多种解决方案资源,包含了丰富的视觉应用示例,涵盖安全检测应用,工业控制等。不仅如此,瑞萨还与许多合作伙伴携手,推出各具特色的嵌入式AI产品,致力于为客户提供一流的硬件产品及开发平台。”  演讲最后,赖长青强调:“这是一个充满机会和挑战的时代,人工智能正在和各种应用相互融合。为了帮助开发人员提升AI相关的经验,加速开发这些应用程序,瑞萨提供了一系列人工智能工具,旨在帮助客户开发出高度优化的模型。同时,瑞萨期待成为您的合作伙伴,为您的产品创造更多价值。”  未来,瑞萨电子将继续加大研发投入、不断推动产品与技术创新升级。在智能时代全面到来的关键时期,瑞萨也将通过更多高“智”量产品,帮助客户以更好的姿态顺利完成智能化转型,为行业的发展注入新的活力。
2024-11-12 10:58 reading:376
瑞萨电子推出全新RA8入门级MCU产品群,提供极具性价比的高性能Arm Cortex-M85处理器
  全球半导体解决方案供应商瑞萨电子(TSE:6723)宣布,推出RA8E1和RA8E2微控制器(MCU)产品群,进一步扩展其业界卓越和广受欢迎的MCU系列。2023年推出的RA8系列MCU是首批采用Arm® Cortex®-M85处理器的MCU,实现市场领先的6.39 CoreMark/MHz(注)性能。新款RA8E1和RA8E2 MCU在保持同等性能的同时,通过精简功能集降低成本,成为工业和家居自动化、办公设备、医疗保健和消费品等大批量应用的理想之选。  RA8E1和RA8E2 MCU采用Arm Helium™技术,即Arm的M-Profile矢量扩展,与基于Arm Cortex-M7处理器的MCU相比,在数字信号处理器(DSP)和机器学习(ML)应用层面实现高达4倍的性能提升,使得快速增长的AIoT领域应用成为可能——在这一领域,高性能对于AI模型的执行至关重要。  RA8系列产品集成低功耗特性和多种低功耗模式,在提供业界卓越性能的同时,可进一步提高能效。低功耗模式、独立电源域、更低的电压范围、快速唤醒时间,以及较低的典型工作和待机电流组合,使得系统整体功耗更低。帮助客户降低整体系统功耗并满足相关法规要求。新款Arm Cortex-M85内核还能以更低的功耗执行各种DSP/ML任务。  RA8系列MCU由瑞萨灵活配置软件包(FSP)提供支持。FSP带来所需的所有基础架构软件,包括多个RTOS、BSP、外设驱动程序、中间件、连接、网络和TrustZone支持,以及用于构建复杂AI、电机控制和云解决方案的参考软件,从而加快应用开发速度。它允许客户将自己的既有代码和所选的RTOS与FSP集成,为应用开发打造充分的灵活性。借助FSP,可轻松将现有设计迁移至新的RA8系列产品。  Daryl Khoo, Vice President of Embedded Processing 1st Business Division at Renesas表示:“我们的客户对RA8 MCU的卓越性能赞不绝口,现在他们期望获得性能更高且功能更优化的版本,以满足其成本敏感的工业、视觉AI和中端图形应用需求。RA8E1和RA8E2为这些市场打造了性能和功能的完美平衡,并且借助FSP实现了在RA8系列内部或从RA6 MCU的轻松迁移。”  RA8E1 MCU的关键特性  - 内核:360MHz Arm Cortex-M85,包含Helium和TrustZone技术  - 存储:集成1MB闪存、544KB SRAM(包括带ECC的32KB TCM、带奇偶校验保护的512KB用户SRAM)、1KB待机SRAM、32KB I/D缓存  - 外设:以太网、XSPI(八线SPI)、SPI、I2C、USBFS、CAN-FD、SSI、12位ADC、12位DAC、HSCOMP、温度传感器、8位CEU、GPT、LP-GPT、WDT、RTC  - 封装:100/144引脚LQFP  RA8E2 MCU的关键特性  - 内核:480MHz Arm Cortex-M85,包含Helium和TrustZone技术  - 存储:集成1MB闪存、672KB SRAM(包括带ECC的32KB TCM、带奇偶校验保护的512KB用户SRAM+额外128KB用户SRAM)、1KB待机SRAM、32KB I/D缓存  - 外设:16位外部存储器接口、XSPI(八线SPI)、SPI、I2C、USBFS、CAN-FD、SSI、12位ADC、12位DAC、HSCOMP、温度传感器、GLCDC、2DRW、GPT、LP-GPT、WDT、RTC  - 封装:224引脚BGA  成功产品组合  瑞萨将全新RA8E1和RA8E2产品群MCU与其产品组合中的众多兼容器件相结合,创建了广泛的“成功产品组合”,包括入门级语音和视觉人工智能系统以及家用电器人机界面(HMI)。这些“成功产品组合”基于相互兼容且可无缝协作的产品,具备经技术验证的系统架构,带来优化的低风险设计,以加快产品上市速度。瑞萨现已基于其产品阵容中的各类产品,推出超过400款“成功产品组合”,使客户能够加速设计过程,更快地将产品推向市场。
2024-11-12 10:55 reading:166
瑞萨电子与航盛电子达成合作共识,签订合作伙伴协议
解决方案 | 瑞萨三合一驱动单元方案,助力电动车轻盈启航
  如今,电动汽车驱动器正在从传统的分布式系统过渡到集中式架构。  在传统的电动汽车设计中,逆变器、车载充电器、DC/DC转换器等关键部件往往采用分布式布局,各自独立工作,通过复杂的线束相互连接。这种设计方式不仅繁杂笨重,且维护起来也异常复杂。在这种情况下,X-in-1技术应用而生。X-in-1技术是一种动力传动系统的集成技术,‌旨在将多个动力传动组件集成到单一的系统中,‌以提高整体性能、‌减少体积和重量。‌  基于X-in-1技术,瑞萨推出三合一电动汽车单元解决方案,该方案将多个分布式系统集成到一个实体中,包括车载充电器,牵引电机控制,以及DC/DC转换器。这种集成极大简化了车辆组装难度,同时也降低了系统成本。  该方案采用适用于HEV/EV电机控制的高端车载微控制器RH850/C1M作为核心控制。RH850/C1M的内部旋转变压器/数字转换器(RDC2)和增强电机控制单元(EMU2)可降低CPU负载,只需与CPU进行少量交互即可有效控制电机。在MCU供电方面,方案采用RAA270000KFT电源管理IC。其包含两个集成的电流模式DC/DC转换器、四个低压差线性稳压器和两个线性跟踪器,实现了稳压器的过压、欠压检测等多种检测和诊断功能。  在负载电源转换的设计中,本方案采用PFC+LLC架构,并搭载TP65H035G4WS 650V 35mΩ氮化镓FET、RBA250N10CHPF-4UA02 MOSFET、ISL28214运算放大器以及ISL81802双通道同步降压控制器。  其中,ISL81802是一款双通道同步降压控制器,采用峰值电流模式控制,两个输出具有相位交错功能。每个输出都有配备了电压调节器、电流监视器和平均电流调节器,以提供独立的平均电压和电流控制。内部锁相环(PLL)振荡器可确保100kHz至1MHz的精确频率设置,并且振荡器可与外部时钟信号同步,以实现频率同步和相位交错并联应用。  在牵引逆变器的设计上,本方案采用RBA250N10CHPF-4UA02 MOSFET和ISL78434半桥NMOS FET驱动器。ISL78434半桥NMOS FET驱动器具有双独立输入,可分别用于控制高侧和低侧驱动器,能够为每个栅极驱动器提供独立的拉电流和灌电流引脚。  随着电动汽车市场竞争的加剧,X-in-1技术的应用将变得更加广泛。在这一背景下,瑞萨将继续凭借其在微控制器(MCU)、电源管理IC、模拟与混合信号IC以及连接等领域的深厚积累,积极应对市场挑战,为电动汽车制造商提供全面的技术支持与产品服务。
2024-09-27 13:52 reading:725
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