碳化硅器件是电动汽车(EV)、能源基础设施和大功率EV充电桩中进行功率转换的关键器件。市场对这些产品的需求迅速增长,使得对SiC芯片的需求激增。
近日,安森美宣布,其位于韩国富川的先进碳化硅(SiC)超大型制造工厂的扩建工程已经完工。全负荷生产时,该晶圆厂每年将能生产超过一百万片200 mm SiC晶圆。
安森美表示,在可预见的未来,SiC芯片将供不应求,而富川晶圆厂的扩建解决了市场对增产的迫切需求,使其能够持续为客户提供供应保证。为了支持 SiC 产能的提升,安森美计划在未来三年内雇佣多达 1,000 名当地员工来填补大部分高技术职位;相比目前的约 2,300 名员工,人数将增加 40% 以上。
据悉,安森美已经累计签订不少于6项的长期供货协议,包括在6月份与纬湃科技(Vitesco)的19亿美元为期10年的SiC器件供货协议,与博格华纳(BorgWarner)至少10亿美元的长期供货协议,以及与8家光伏逆变器厂商的19.5亿美元长期供货协议。
为了满足市场需求,该公司于5月份宣布将投资20亿美元,以扩大其现有工厂规模,目标是在2027年占据全球汽车SiC芯片市场40%的市场份额。
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