纳芯微:数字隔离器选型,从读懂Datasheet开始

Release time:2023-10-31
author:AMEYA360
source:纳芯微
reading:1378

  相比光耦,数字隔离器如今越来越流行,那么你真的会选数字隔离器吗?由于数字隔离器和光耦的功能基本相同,因此很多参数和光耦类似。但还有很多不一样之处,今天我们就结合Datasheet,来讲一讲数字隔离器的选型。

  从看Datasheet到提出问题

  既然谈到选型,就离不开Datasheet。Datasheet是芯片的说明书,每个产品的说明书都是循序渐进的,从概述到详细参数再到注意事项,Datasheet亦如此,它也有着固有格式,包括产品介绍、关键参数、通过的安规认证(隔离器关系到安全问题必须要有这项)、应用领域、器件基本信息(封装、尺寸)以及产品框图。

  那么,我们也应该循序渐进地逐步确定需求并缩小选型范围。

  拿到Datasheet第一步,就是先看第一页概述,这是对产品的总结,一般包括了参数和介绍等,让我们在短时间内得以迅速了解芯片的性能指标。选型和原型验证往往是系统设计时最花时间的,因此详细阅读并了解非常有助于我们前期筛选。

  然后,从应用角度出发,清晰了解应用具体需求及演进路线,一般Datasheet中都会具体列出适合的应用,比如汽车、光伏、电机、工业自动化等等。

  通过上述介绍,我们已经基本了解产品大致情况,对于应用而言,还需要有一些更为详细的参考,这就是我们接下来要聊的,数字隔离器都要看哪些参数?

  细数藏在参数里的门道

  对于数字隔离器来说,哪些参数值得关注?为了避免纸上谈兵,我们请教了纳芯微产品线总监叶健,深耕隔离器领域多年的他,完整见证了从光耦到数字隔离器的替代过程,提供了很多知识总结。他以纳芯微的NSI82xx-Q1SWWR系列高可靠性多通道超宽体数字隔离器为例,具体解读了数字隔离器的Datasheet。

  虽然Datasheet上存在隔离电压、CMTI、封装、速度、功耗、ESD等大量参数,让人眼花缭乱,但叶健也总结了应当重点观察的参数项。叶健结合纳芯微的产品列出了以下七个主要参数,不分先后。

纳芯微:数字隔离器选型,从读懂Datasheet开始

  首先是隔离电压。隔离产品是一个安规器件,因此一定是围绕着安全进行选型,其中最主要的就是隔离电压的能力。比如纳芯微通过基本隔离、增强隔离等多种产品,覆盖了不同耐压范围,以满足客户不同的系统需求选型。

  其二是ESD。它是隔离芯片高可靠性的重要保证,对绝大多数芯片而言,ESD都是必须的,但也分强弱,而隔离芯片由于所处高压环境中,在系统中通常是处于高低压的接口处,因此ESD同样极为重要。纳芯微实现了8kV的HBM耐压能力,属于芯片级HBM ESD中最高等级。

  第三是CMTI。它是隔离产品另外一个重要指标,用以衡量芯片的抗瞬态干扰能力,也就是芯片在系统应用中的鲁棒性表现。CMTI具体是是指短时间电压上升或下降到可以破坏驱动器输出状态的值,瞬态干扰是由开关节点上的高 DV/DT 引起的,如果CMTI能力不够,可能会导致输出错误,甚至出现电路短路,影响系统安全。纳芯微隔离器的CMTI主要为±200kV/μs,部分型号甚至可达到±250kV/μs。

  第四是封装。这里的封装不止体现在尺寸上,而是与耐压或安规爬电间距等指标相关,也会根据客户的要求或系统要求提供不同芯片选型,但最终目标一定会是在更小尺寸、更高集成度情况下,同时能够满足安规要求。比如纳芯微就提供了包括SOP、SOW、SOWW等不同封装种类,满足不同安规要求,这点之后会细说。

  五是传输速率和延迟。它是数字隔离器高性能的体现,最高可以支持数百Mbps甚至达到Gbps的传输速率。不同通信标准和接口对于数据传输率要求不同,需要仔细审阅。但叶健也强调,无论是1Mbps还是150Mbps,对成本影响并不大,也正因此纳芯微的产品并没有根据传输速率设置更多的产品类别,而是基本都是一步到位做到了150Mbps,可以满足绝大部分应用需求。另外除了传输速率,在Datasheet中也会有时序相关的各类详细参数,这也是系统设计时需要考虑的。

  六是功耗。不过叶健表示,数字隔离器相对光耦而言,功耗已经实现极大降低,因此对于功耗的诉求相对不大,但Datasheet中还是会详细列出各种状况下的功耗指标。

  七是工作温度。工作温度与应用场景强相关,比如车规产品分了Grade 0到Grade 3四个等级,对应不同的温度要求,Grade 0需要覆盖的温度范围是-40℃~150℃,工规则根据不同的应用场景对温度有不同的要求,通常最高要求是-40℃~125℃等,这些都在Datasheet中有详细说明。

  封装的学问

  叶健强调,仅对隔离器而言,封装的影响很大,主要原因是封装的大小直接影响器件的耐压能力,因此这也是需要特别注意的地方。谁都愿意将产品小型化,但更高规格的隔离电压需要更宽的封装。也正因此,纳芯微推出包括普通、宽体以及超宽体的封装,超宽体封装的优势主要体现在两个指标上,一个是15mm爬电距离,另一个是8 kVrms的隔离耐压,增强型隔离器可以提供与两个串联的基本隔离器相当的绝缘水平,这可以满足一些特殊的应用需求,比如光伏逆变器等等。

纳芯微:数字隔离器选型,从读懂Datasheet开始

  纳芯微不同种封装方式及详细指标都在Datasheet中列出

  简而言之,更大封装将允许更高的隔离电压规格。如果您可以选择更小的封装来满足系统的监管要求,那么更小的封装当然有助于节省板空间和成本。此外,您还需要考虑通信接口需要多少个隔离通道,因为通道数越高,封装类型就越重要。

  电气间隙(Clearance)和爬电距离(Creepage)是两个不同指标,电气间隙是两个导电零部件之间或导电零部件与设备界面之间测得的最短空间距离,爬电距离则是指沿绝缘表面测得的两个导电零部件之间或导电零部件与设备界面之间的最短距离。

  电气间隙和爬电距离受环境污染等级、海拔、CTI等影响,尤其是光伏、风电等野外恶劣环境下持续工作场景中,海拔和污染的影响很高。如何尽可能满足电气间隙和爬电距离的要求同时还能减少整体尺寸?纳芯微产品的CTI达到了600V,可以使得系统对爬电距离的要求降到最低,从而减少系统尺寸。

  安全标准至关重要

  光是满足参数标准,并不意味着选型结束,隔离器还要关注安全认证指标,作为安全相关产品,认证往往都会放在最醒目位置,比如纳芯微Datasheet第一页中就给出了其满足的安规认证标准,包括UL1577、CQC、CSA、VDE等不同认证体系。认证标准之所以重要,是因为制造商在选择带有认证标志的产品后,就可以很容易拿到系统的安规证书,使得产品放心地在全球范围内的使用和销售。

  UL1577标准是数字隔离器的关键元件级认证要求,适用于光隔离器、磁隔离器以及电容隔离器。为通过该标准的认证,器件必须承受隔离电压Viso(由制造商规定,通常为2.5kVrms或5kVrms)达1分钟。该规范还规定隔离器需要采用120%隔离电压进行100%生产测试,持续时间为1秒钟。

  另外,数字隔离器还需要参考CQC、CSA、VDE等地区性认证标准。

  安规认证背后,是严格的测试流程。需要经过包括老化测试,耐高压测试,抽样测试,宽温测试,寿命测试等各类测试,尤其是寿命测试,甚至需要半年以上才算一次完整的测试周期。

  通过机构认证并不意味结束,在产品量产时,还需要对每颗芯片进行测试。比如,纳芯微的每颗隔离器在出厂时都通过了高压测试,并且每季度还要进行批次性抽样测试。以完整的测试流程确保了隔离器件的安全可靠。

  写在最后

  Datasheet后半部分基本就是芯片的具体引脚布局图,特性指标,细节介绍,详细实测结果,应用指南,封装尺寸图,认证指南等等,为工程师在不同阶段的系统设计提供参考。

  由于隔离器件并不属于主芯片,因此使用过程中需要特别注意的事项不多,如果是主处理器等产品,Datasheet可能会有数百页之多。但隔离牵扯到至关重要的安全,因此还是需要工程师仔细完整的阅读所有相关信息。

  从分析纳芯微的Datasheet中,我们不光了解到数字隔离器的关键参数在选型中的作用,也包括安全标准介绍等基础知识,更是明显看到纳芯微乃至国产器件的进步,这一方面来自纳芯微对于研发的不断投入,也得益于其一直凭借贴近应用、贴近市场的方法论进行产品开发。

  总而言之,想要用好一款产品或技术,首先需要的是了解他,而了解的最好方式就是阅读Datasheet。

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纳芯微电子:CAN SIC知多少——新一代车载网络协议你用了没?
  日前,纳芯微宣布推出基于其自研创新型振铃抑制专利的车规级CAN SIC(信号改善功能,Signal Improvement Capability)NCA1462-Q1。  NCA1462-Q1在满足ISO 11898-2:2016标准的前提下,进一步兼容CiA 601-4标准,可实现8Mbps的传输速率,比当前主流的CAN FD车载通信方案有着显著优势。  此次,趁纳芯微新品发布之际,我们邀请到了纳芯微技术市场经理陈章杰,围绕CAN SIC的相关话题进行了探讨。  为什么要开发CAN SIC?  随着自动驾驶和区域控制概念的兴起,ECU彼此间进行了大量的整合与集成,这意味着更高的集成度,更多的节点数,更复杂的星型拓扑,以及更高的传输速率。  这给CAN FD总线带来了巨大挑战——即在更复杂的星型拓扑网络中,由于高传输率及复杂的拓扑的转变下,会出现严重的振铃,从而带来误码率的提高,影响信号传输。  目前CAN FD标准号称定义到5Mbps,但在实际应用中很难达到2Mbps以上。尽管客户希望提速,但是为了信号完整性,往往要牺牲速率,缩小节点规模,以减少振铃带来的影响。  CAN SIC则可轻松解决这一矛盾。  CAN SIC如何降低振铃?  要看CAN SIC的原理,首先要看振铃的形成原因。  振铃是指在CAN总线的通信过程中,由于阻抗不匹配导致的信号反射等原因,使得信号在传输线上多次反射,进而产生的一种振荡现象。更高的通讯速率意味着更窄的位宽时间,当前CAN FD的2Mbps相比以前HS CAN的500kbps位宽时间由2000ns缩短为500ns。同样强度的振铃干扰,在更高的通讯速率下,由于位宽时间过短不足以使其衰减到隐性差分电压的判定阈值以下,从而更容易导致通讯错误。  为了解决这一问题,2019年,CAN FD SIC (Signal Improvement Capability)信号增强版标准CiA (CAN in Automation) 601-4发布,通过抑制振铃,从而匹配现代域控和高速通信系统的要求。  与CAN FD相比,CAN SIC的优化主要体现在驱动电路上,其增加了一个强驱电路。如上所述振铃往往发生在从显性到隐形状态,因此,可以在该转换过程中增加一个额外的强驱电路,以控制总线电平的切换斜率,从而确保数据不出错。  CAN SIC或将成为主流标准之一  “无论哪项标准的制定,都是为了符合当时的需求,每一代都有自己的使命,也都会在演进过程中不断完善。”陈章杰说道。  CAN总线经历了多个标准。最早由德国博世于1980年代发明,第一个使用CAN总线通讯协议的量产车型是1991年的奔驰S级轿车,至今CAN总线依旧是车内主要的通讯总线。随着汽车电子智能化加速,CAN总线也进一步升级,2003年CAN总线升级为HS CAN,但还是基于第一代技术。2011年第二代CAN总线CAN FD开始研发,2015年CAN FD标准即ISO11898发布,2019年,CAN FD SIC (Signal Improvement Capability)信号增强版标准CiA (CAN in Automation)601-4发布,2021年CAN FD的轻量级版本CAN FD Light 标准CiA 604-1发布。2021年12月,第三代CAN总线即CAN XL标准CiA 610-1发布,但还未完全落地。  陈章杰表示:“在当年情况下,对于CAN总线的需求是提速,并没有太多的复杂拓扑需求,因此并不存在振铃问题。而随着复杂拓扑与高速率的需求增长,CAN FD无法满足,因此CiA 601-4孕育而生。”  另外,对于下一代CAN XL而言,依然需要解决振铃问题,CAN SIC也可以为提速和多节点复杂通信做好提前铺垫。  CAN SIC除了要解决CAN FD目前的问题之外,还有一大使命,就是要应对以太网的竞争。如今车载骨干网络已经以太网化,但是控制端目前还没有落地,考虑到其成本和厂商在软件或其他方面的适配,CAN依然是未来的主导之一。  陈章杰强调,CAN SIC的演变比预想的还要快,“随着域控和区域架构概念的普及,CAN SIC的认可度不断提升,越来越多的主机厂开始逐渐接纳这一技术。相信在未来,CAN SIC将大有可为。”  纳芯微如何开发的CAN SIC  纳芯微的CAN SIC实测传输速率可达10Mbps,已经完全满足CiA 8Mbps的规范要求。  陈章杰表示,CAN SIC开发最大的挑战其实是驱动架构和EMI架构的兼容,单纯做好驱动电路并不难,但是会牺牲其他方面的性能,尤其是EMI这种非线性关系的处理。  “芯片设计本身就是一个权衡取舍的问题。”陈章杰补充道,除了要关注EMI之外,成本也是一大考量。纳芯微的产品性能不输于国外厂商,同时还要更有性价比,因此还需要在设计上不断优化,从而用更小的面积(更低的成本)实现更高的性能。“另外,产品本身是一方面,更重要的是应该从系统角度出发开发产品。”包括EMI、ESD等约束,以及成本的优化等等方方面面。  陈章杰还强调,纳芯微一直以来深耕IP的开发,在CAN SIC开发过程中诞生了诸多发明专利,并将其IP化,与其他产品组合共享,打通了底层研发的平台。“对于芯片而言,核心竞争力之一就是IP,纳芯微也正围绕这些核心IP进行持续开发与优化打磨,形成一套完整的路线图。”陈章杰补充道。  详解纳芯微的CAN SIC新品  纳芯微NCA1462-Q1基于创新的专利架构对EMI进行了优化设计,依照IEC62228-3标准进行测试,完全符合要求。  NCA1462-Q1通过优化电路结构及版图面积实现了超±8kV ESD性能,既能从容应对在汽车行驶过程中突发的静电放电威胁,提供更可靠的电路保护,又能实现器件成本的优化。凭借超高的EMC/ESD性能,NCA1462-Q1还可在部分设计中帮助工程师省去外围电路中的共模电感或TVS管。此外,更加灵活、低至1.8V的VIO设计可进一步节省系统中LDO或者电平转换的使用,帮助工程师降低整体成本。  NCA1462-Q1的总线故障保护电压在CAN Low和CAN High中都可以达到±58V,真正做到了高耐压,从而帮助客户降低击穿风险。  另外,值得一提的是,在CAN SIC中,EMI可以细分为显性EMI和隐性EMI,比如某些产品显性EMI做得好,某些产品的隐性EMI好,纳芯微则是通过取长补短的手段,实现了显性和隐性EMI的全面优化。  提前布局,做市场的引领者  CAN SIC市场前景相对明朗,但截止目前,无论是国际还是国内厂商,能够提供CAN SIC芯片的供应商都不多。  “就目前时间点而言,虽然CAN SIC的需求比较明确,但产品也不可能突然遍地开花,需要一个循序渐进的过程。”陈章杰说道。  陈章杰同时表示,无论是CAN收发器还是CAN SIC,纳芯微一直都是根据市场需求与预判进行提前布局,定义完整的产品及路线图。也正因此,纳芯微成为了最早一批量产CAN SIC的厂商。  另一方面,尽管CAN SIC还处于“蓝海”市场,但是前一代CAN收发器的市场竞争已经相当激烈,纳芯微为何还要杀入这一市场呢?陈章杰表示,作为汽车主要的总线技术,其市场容量非常之大,每辆车上就需要数十颗之多,市场始终处于高需求状态。而且,陈章杰说道:“CAN接口貌似简单,但是要做好确实有一定的门槛,作为通用物料而言,最能考验公司的能力,这其中会包括成本控制,市场覆盖,研发实力,供应链等等。”  也正因此,CAN接口是非常适合切入汽车市场的产品之一。“所以我们看到越来越多的友商进入这一市场,但是说实话如果要做到各方面性能指标都高标准,还是有一定门槛的。”陈章杰表示。  陈章杰表示,纳芯微既立足本土,同时也是面向全球的芯片供应商,随着国产芯片实力的加强,很多海外客户也在看中国的供应商,纳芯微的产品无论在性能、性价比、技术支持等方面都已经获得了全球主要客户的认可和采用。“我们既然面向全球市场,就必须要以更高的标准定义产品。”  面对激烈的市场竞争,“短期而言,价格决定一切,而从长远来看,客户更在乎的是合作伙伴持续降本,以及持续优化运营的能力,并不能单纯靠价格战取胜。”陈章杰强调道。  面向未来的CAN XL  作为CAN CiA的成员之一,纳芯微也在积极评估CAN XL的发展。但陈章杰也坦言,CAN XL还在规划中,尚无明确的时间节点,并且也依赖于目前CAN SIC的市场普及和认可度。  “一旦客户和市场完全认可CAN SIC的价值,并逐步应用于复杂星型拓扑与高速率场景中,一定会打消客户升级换代的顾虑。”陈章杰乐观地表示。
2024-09-19 09:24 reading:273
纳芯微电子:窄脉宽信号对驱动芯片的影响及解决方案
  01、窄脉宽的来源  驱动芯片在各种电力电子系统中有着广泛的应用,例如整流器、DC-DC变换器、逆变器和变频器等,其工作频率和占空比范围在不同系统中各不相同。  在常规整流器的PFC部分,根据输入电压的范围不同,其下管的占空比可以在0%到100%之间变化;  在常见的DC-DC变换器中,开机时通常会有缓启功能,其输出脉宽会从零开始逐步增大;另外,当输出负载或输入电压发生瞬态跳变时,输出会出现瞬态变化,系统环路会根据输出电压的变化来调整驱动器的输入脉宽,在调整过程中,可能出现极大或极小的输出脉宽;  在桥式逆变器中,当输出电压达到最大或最小峰值时,也可能出现极大和极小的输出脉宽。  图1 正负向窄脉宽  如果这些极大或极小脉宽没有得到有效限制,可能会影响驱动器的稳定工作;严重情况下甚至会导致驱动器或系统失效。  02、正负窄脉宽对驱动芯片的影响  下图2所示,是一种常见的MOSFET驱动电路,虚线框内为一个输出通道的结构示意图,其输出采用PMOS+NMOS结构。驱动器在控制功率管MOSFET M1开通和关断时,会对功率MOSFET M1的栅极拉出和灌入电流。在窄脉宽开通情况下,驱动器收到关断指令会将MOSFET M1关断,此时MOSFET M1的开通过程还没有完成,驱动器的输出仍然维持在较高的电流,当该电流突然变化,在PCB走线寄生电感和驱动器内部寄生电感的共同作用下,会在驱动器的输出引脚产生很大的电压应力,该应力可能导致芯片失效。  为了分析和验证,将MOSFET的门极输入电容采用电容C1来代替,如下图3所示。  考虑到PCB和芯片内部的寄生电感,其等效电路如下图4所示,其中L1、L4和L5为芯片内部寄生电感(Lbonding),L2和L3为PCB上的寄生电感(LPCB)。  ➱下面将对不同脉宽下驱动器的应力产生和影响进行简要介绍。  1)正向窄脉宽的状态分析  t0~t1期间,驱动芯片内部的NMOS M3导通,PMOS M2关断,OUT输出为低,此时驱动回路中的Isrc和Isnk电流均为零;  t1时刻,NMOS M3关断,PMOS M2导通,OUT输出拉高,给负载电容C1充电,Isnk电流为零;  t2时刻,PMOS M2关断,NMOS M3导通,OUT输出被拉低,此时驱动电流Isrc不为零。该电流在芯片内部寄生电感和PCB走线寄生电感的共同作用下,对PMOS M2和NMOS M3的寄生输出电容进行充放电,从而导致OUT出现负向过冲电压。驱动器内部输出Pad的电压应力可以用如下公式(1)进行估算。  其中各参数的定义如下:  VGate: MOSFET的栅极电压  Lbonding:IC内部的键合线产生的寄生电感,通常约为5nH  LPCB:驱动器输出引脚到栅极PCB引线的寄生电感  RG:MOSFET的栅极驱动电阻  2)正常脉宽的状态分析  t0~t1期间,驱动芯片内部NMOS M3导通,PMOS M2关断,OUT输出为低,驱动回路中Isrc和Isnk电流为零;  t1时刻,NMOS M3关断后,PMOS M2导通,OUT输出拉高,负载电容C1充电,当电容C1充满电后,Isrc恢复到0,Isnk电流保持为零;  t2时刻,PMOS M2关断后,NMOS M3开通,OUT输出被拉低,负载电容C1放电,当电容C1放电结束后,Isnk电流恢复到零;  OUT输出转换过程中,lsrc或Isnk都是由零上升或下降到峰值,然后恢复到零,OUT输出没有明显的正向或负向过冲电压。  3)负向窄脉宽的状态分析  t0~t1期间,驱动芯片内部PMOS M2导通,NMOS M3关断,OUT输出为高,驱动回路中Isrc和Isnk电流为零;  t1时刻,NMOS M3导通,OUT输出拉低,负载电容C1放电;  t2时刻,NMOS M3关断,PMOS3开通,OUT输出被拉高,此时驱动回路中电流Isnk不为零,该电流在芯片内部的寄生电感和PCB走线的寄生电感的共同作用下,对PMOS M2和NMOS M3的寄生输出电容进行充放电,导致OUT输出出现显著的正向过冲电压。  实际电路验证  为了验证窄脉宽的影响,本实验选择了一款最大额定电压为20V的驱动芯片,并按照上图3所示的实验电路进行测试。  实验中,芯片供电电压设置为15V,负载电容C1为27nF,输入信号频率为100kHz,脉冲宽度分别为20ns、2μs和9.98μs(对应20ns负向窄脉宽)。  在相同脉宽下,通过调整驱动电阻R1的大小,来改变开通和关断时的驱动电流和电流变化率,得到实验结果如下所示,图中黄色线条表示输入信号,绿色线条表示输出信号。  表2 实际电路验证结果  如上结果所示,当驱动电阻为1Ω时,20ns的正向窄脉宽会导致-9V的负向过冲;同样,20ns的负向脉宽会导致27.4V的正向过冲,超过了芯片的额定值,会存在失效风险。正常脉宽下,OUT输出没有正负过冲现象。此外,还可以看出,在相同脉宽输入时,驱动电流越大,输出脚的正向或负向电压应力越高;因此减小驱动电流可以有效减小窄脉宽产生的正负过冲电压。  03、解决方案和建议  通过上面的分析和验证可以看出窄脉宽下过大的驱动电流会对输出应力产生严重影响。系统应用中为了避免驱动器输出应力超标,建议客户从以下几个方面进行优化和解决。  PCB布局时尽量将驱动器与功率管就近放置,减小驱动器输出引脚到功率管门极之间的走线电感。  驱动器的供电电容尽可能靠近芯片的电源引脚,且同层放置,减小因过孔和走线产生的寄生电感。  在系统应用中,对最大和最小驱动输出脉宽进行限制,确保开通和关断前一刻驱动输出电流已降为零,避免输出出现过大的正向或负向过冲电压。  适当调整驱动电阻,减小窄脉宽驱动回路中的电流和电流变化率。
2024-09-18 17:04 reading:271
纳芯微出席第十四届电动汽车标准法规研讨会,以模拟芯片创新赋能汽车电气化
  2024年8月14-15日,由中国汽车技术研究中心有限公司中国汽车标准化研究院主办、东风汽车集团有限公司研发总院联合主办的第十四届电动汽车标准法规研讨会在武汉召开。来自国内外整车企业、零部件企业、检测机构、科研机构及高校等单位的近300位专家参加了本次会议。  纳芯微技术市场经理谭园应邀出席会议,并以“汽车电气化浪潮下模拟芯片的演进趋势”为话题发表演讲,向与会嘉宾分享了纳芯微模拟芯片技术创新如何赋能汽车电气化。  纳芯微技术市场经理谭园应邀出席会议并发表演讲  汽车电气化不仅改变了汽车的动力形式,也深刻影响了汽车的电子电气架构和功能。芯片作为汽车电气化的核心,其需求量正不断提升。据统计,一辆新能源汽车平均使用1500多颗芯片,是传统燃油车芯片用量的两倍;另一方面,越来越高压化的电驱动系统也对芯片性能提出了新的要求:更高的功率密度、更高的功能安全等级、更可靠的抗扰能力、更优化的系统成本…这些新的要求为汽车芯片发展带来挑战的同时,也创造了巨大的机遇。  纳芯微汽车电子解决方案总览  凭借在汽车领域的深耕细作,纳芯微已实现了全面的汽车芯片产品布局,可在新能源汽车主驱逆变器控制、车载充电机(OBC)、直流充电机(DC-DC)、电池管理系统(BMS)以及热管理系统中提供涵盖传感器、信号链、电源管理等完善的芯片产品,包括数字隔离器、隔离驱动、隔离采样、传感器、接口、高低边开关、电子保险丝、固态继电器、电机驱动、高集成度的SoC等,以一站式解决方案支持客户的系统创新。  此外,纳芯微还积极推动中国汽车芯片高质量发展。作为汽车芯片标准体系建设研究工作单位之一,纳芯微也积极参与《汽车芯片环境及可靠性通用规范》、《电动汽车用功率驱动芯片技术要求及试验方法》、《汽车LIN收发器芯片技术要求及试验方法》等多项国家标准、行业标准的起草和修订,与行业伙伴共同推动汽车电子等行业的质量提升和技术创新。面向国际,纳芯微也积极融入全球产业生态,加入AEC(Automotive Electronics Council)汽车电子委员会,成为AEC组件技术委员会成员,与国际权威标准组织的对接将助力纳芯微进一步提高车规级芯片研发和质量管控能力。  2024年上半年,纳芯微汽车电子领域收入占比33.51%,出货量达1.33亿颗,汽车客户覆盖所有主流新能源车企和Tier-1供应商。谭园表示,纳芯微致力于成为汽车产业首选的供应链合作伙伴,以系统级理解、整体解决方案、多年车规芯片量产经验和稳定的质量表现,助力汽车客户提升差异化竞争力,共赢市场机遇,共赴绿色可持续的电动化未来。
2024-08-23 13:01 reading:418
全链国产,全系覆盖,全面认证!纳芯微高边开关系列重磅发布!
  纳芯微今日宣布推出高边开关产品系列NSE34XXXS/D/Q和NSE35XXXS/D,其具备行业领先的带载能力和完善可靠的诊断保护功能,适用于驱动车身BCM等系统中各类传统的阻性、感性和卤素灯负载,同时也充分适配区域控制器ZCU中一/二级配电下常见的大容性负载。  产品亮点  •依托全国产化自主可控供应链设计和制造,在单车用量最大的汽车模拟芯片品类上,实现“全链国产”。  •提供1/2/4通道选择,提供同时兼容PSSO-16/PSSO-14的封装选择,导通电阻范围横跨8mΩ至140mΩ,满足“全系覆盖”。  •符合AEC-Q100-012短路可靠性能力Grade A、ISO7637/ISO16750、CISPR25-2021 Class 5等多种测试要求,完成“全面认证”。  产品能力详解  电流/通道/封装 — 灵活可选  纳芯微推出的高边开关系列提供1/2/4通道选择,导通电阻范围为8mΩ至140mΩ。客户可以根据不同负载大小灵活选择最适合的产品,从而优化系统性能和可靠性。  阻/容/感各类负载 — 轻松应对  ◆ 阻性负载:额定通流带载能力  高边开关应用中,芯片的额定通流能力是选型的最重要考量之一,其本质是考验高边开关芯片的自身阻抗大小及封装散热能力。阻性负载,如座椅加热中的电阻丝,对芯片的额定通流能力有明确的指标要求。以下汇总了纳芯微高边开关各产品型号的额定负载性能参数(测试环境:TA=85℃):  ◆ 容性/卤素灯负载:浪涌电流应对能力  在汽车系统中,启动容性负载和冷态卤素灯时常会面临高浪涌电流的严峻挑战。纳芯微高边开关系列凭借业内领先的过流保护能力,能够有效应对各种浪涌电流。以NSE35系列为例,以下是其能够稳定驱动的容性负载大小和卤素灯类型(TA=-40℃)  ◆ 感性负载:过压钳位保护能力  电磁阀、雨刮器、继电器等感性负载也是汽车电子系统中常见的负载类型。在感性负载关断时,由于路径上需要续流,高边开关的输出会出现几十伏、甚至更大的与感性负载退磁能量正相关的负电压,这会给内部功率MOSFET的漏-源极带来巨大的电应力。如果无过压保护措施,功率MOSFET可能会面临损坏的风险。因此,纳芯微高边开关全系集成了针对感性负载的过压钳位保护,以确保在各种应用场合下系统的稳定安全运行。  可靠性/电磁兼容性 — 饱和验证  纳芯微高边开关通过了一系列应用方面的测试,可确保该产品系列在各种场景下的稳定性和可靠性,包括但不限于:  •符合AEC-Q100标准的车规可靠性测试要求  •符合AEC-Q100-006标准的车规可靠性加严测试要求  •符合AEC-Q100-012标准的开关器件短路测试要求:短路寿命大于一百万次,达到Grade A  •符合ISO 7637/ISO 16750标准的电源瞬态抗干扰测试要求  •符合CISPR 25-2021 Class 5标准的EMI测试要求  车身域控制器应用的未来,纳芯微与您同行!在现代汽车的电气化和智能化进程中,车身域控制器作为核心模块,扮演着愈发重要的角色。  从供电管理到功率驱动,纳芯微可为客户提供包括高边开关在内的完整车身域控制器半导体解决方案,覆盖各个关键环节,实现了智能配电与功能整合,支持灵活的软件配置和整车智能诊断,助力汽车客户在智能化发展道路上稳步前行!
2024-08-19 14:59 reading:381
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AMEYA360 mall (www.ameya360.com) was launched in 2011. Now there are more than 3,500 high-quality suppliers, including 6 million product model data, and more than 1 million component stocks for purchase. Products cover MCU+ memory + power chip +IGBT+MOS tube + op amp + RF Bluetooth + sensor + resistor capacitance inductor + connector and other fields. main business of platform covers spot sales of electronic components, BOM distribution and product supporting materials, providing one-stop purchasing and sales services for our customers.