纳芯微:数字隔离器选型,从读懂Datasheet开始

Release time:2023-10-31
author:AMEYA360
source:纳芯微
reading:2738

  相比光耦,数字隔离器如今越来越流行,那么你真的会选数字隔离器吗?由于数字隔离器和光耦的功能基本相同,因此很多参数和光耦类似。但还有很多不一样之处,今天我们就结合Datasheet,来讲一讲数字隔离器的选型。

  从看Datasheet到提出问题

  既然谈到选型,就离不开Datasheet。Datasheet是芯片的说明书,每个产品的说明书都是循序渐进的,从概述到详细参数再到注意事项,Datasheet亦如此,它也有着固有格式,包括产品介绍、关键参数、通过的安规认证(隔离器关系到安全问题必须要有这项)、应用领域、器件基本信息(封装、尺寸)以及产品框图。

  那么,我们也应该循序渐进地逐步确定需求并缩小选型范围。

  拿到Datasheet第一步,就是先看第一页概述,这是对产品的总结,一般包括了参数和介绍等,让我们在短时间内得以迅速了解芯片的性能指标。选型和原型验证往往是系统设计时最花时间的,因此详细阅读并了解非常有助于我们前期筛选。

  然后,从应用角度出发,清晰了解应用具体需求及演进路线,一般Datasheet中都会具体列出适合的应用,比如汽车、光伏、电机、工业自动化等等。

  通过上述介绍,我们已经基本了解产品大致情况,对于应用而言,还需要有一些更为详细的参考,这就是我们接下来要聊的,数字隔离器都要看哪些参数?

  细数藏在参数里的门道

  对于数字隔离器来说,哪些参数值得关注?为了避免纸上谈兵,我们请教了纳芯微产品线总监叶健,深耕隔离器领域多年的他,完整见证了从光耦到数字隔离器的替代过程,提供了很多知识总结。他以纳芯微的NSI82xx-Q1SWWR系列高可靠性多通道超宽体数字隔离器为例,具体解读了数字隔离器的Datasheet。

  虽然Datasheet上存在隔离电压、CMTI、封装、速度、功耗、ESD等大量参数,让人眼花缭乱,但叶健也总结了应当重点观察的参数项。叶健结合纳芯微的产品列出了以下七个主要参数,不分先后。

纳芯微:数字隔离器选型,从读懂Datasheet开始

  首先是隔离电压。隔离产品是一个安规器件,因此一定是围绕着安全进行选型,其中最主要的就是隔离电压的能力。比如纳芯微通过基本隔离、增强隔离等多种产品,覆盖了不同耐压范围,以满足客户不同的系统需求选型。

  其二是ESD。它是隔离芯片高可靠性的重要保证,对绝大多数芯片而言,ESD都是必须的,但也分强弱,而隔离芯片由于所处高压环境中,在系统中通常是处于高低压的接口处,因此ESD同样极为重要。纳芯微实现了8kV的HBM耐压能力,属于芯片级HBM ESD中最高等级。

  第三是CMTI。它是隔离产品另外一个重要指标,用以衡量芯片的抗瞬态干扰能力,也就是芯片在系统应用中的鲁棒性表现。CMTI具体是是指短时间电压上升或下降到可以破坏驱动器输出状态的值,瞬态干扰是由开关节点上的高 DV/DT 引起的,如果CMTI能力不够,可能会导致输出错误,甚至出现电路短路,影响系统安全。纳芯微隔离器的CMTI主要为±200kV/μs,部分型号甚至可达到±250kV/μs。

  第四是封装。这里的封装不止体现在尺寸上,而是与耐压或安规爬电间距等指标相关,也会根据客户的要求或系统要求提供不同芯片选型,但最终目标一定会是在更小尺寸、更高集成度情况下,同时能够满足安规要求。比如纳芯微就提供了包括SOP、SOW、SOWW等不同封装种类,满足不同安规要求,这点之后会细说。

  五是传输速率和延迟。它是数字隔离器高性能的体现,最高可以支持数百Mbps甚至达到Gbps的传输速率。不同通信标准和接口对于数据传输率要求不同,需要仔细审阅。但叶健也强调,无论是1Mbps还是150Mbps,对成本影响并不大,也正因此纳芯微的产品并没有根据传输速率设置更多的产品类别,而是基本都是一步到位做到了150Mbps,可以满足绝大部分应用需求。另外除了传输速率,在Datasheet中也会有时序相关的各类详细参数,这也是系统设计时需要考虑的。

  六是功耗。不过叶健表示,数字隔离器相对光耦而言,功耗已经实现极大降低,因此对于功耗的诉求相对不大,但Datasheet中还是会详细列出各种状况下的功耗指标。

  七是工作温度。工作温度与应用场景强相关,比如车规产品分了Grade 0到Grade 3四个等级,对应不同的温度要求,Grade 0需要覆盖的温度范围是-40℃~150℃,工规则根据不同的应用场景对温度有不同的要求,通常最高要求是-40℃~125℃等,这些都在Datasheet中有详细说明。

  封装的学问

  叶健强调,仅对隔离器而言,封装的影响很大,主要原因是封装的大小直接影响器件的耐压能力,因此这也是需要特别注意的地方。谁都愿意将产品小型化,但更高规格的隔离电压需要更宽的封装。也正因此,纳芯微推出包括普通、宽体以及超宽体的封装,超宽体封装的优势主要体现在两个指标上,一个是15mm爬电距离,另一个是8 kVrms的隔离耐压,增强型隔离器可以提供与两个串联的基本隔离器相当的绝缘水平,这可以满足一些特殊的应用需求,比如光伏逆变器等等。

纳芯微:数字隔离器选型,从读懂Datasheet开始

  纳芯微不同种封装方式及详细指标都在Datasheet中列出

  简而言之,更大封装将允许更高的隔离电压规格。如果您可以选择更小的封装来满足系统的监管要求,那么更小的封装当然有助于节省板空间和成本。此外,您还需要考虑通信接口需要多少个隔离通道,因为通道数越高,封装类型就越重要。

  电气间隙(Clearance)和爬电距离(Creepage)是两个不同指标,电气间隙是两个导电零部件之间或导电零部件与设备界面之间测得的最短空间距离,爬电距离则是指沿绝缘表面测得的两个导电零部件之间或导电零部件与设备界面之间的最短距离。

  电气间隙和爬电距离受环境污染等级、海拔、CTI等影响,尤其是光伏、风电等野外恶劣环境下持续工作场景中,海拔和污染的影响很高。如何尽可能满足电气间隙和爬电距离的要求同时还能减少整体尺寸?纳芯微产品的CTI达到了600V,可以使得系统对爬电距离的要求降到最低,从而减少系统尺寸。

  安全标准至关重要

  光是满足参数标准,并不意味着选型结束,隔离器还要关注安全认证指标,作为安全相关产品,认证往往都会放在最醒目位置,比如纳芯微Datasheet第一页中就给出了其满足的安规认证标准,包括UL1577、CQC、CSA、VDE等不同认证体系。认证标准之所以重要,是因为制造商在选择带有认证标志的产品后,就可以很容易拿到系统的安规证书,使得产品放心地在全球范围内的使用和销售。

  UL1577标准是数字隔离器的关键元件级认证要求,适用于光隔离器、磁隔离器以及电容隔离器。为通过该标准的认证,器件必须承受隔离电压Viso(由制造商规定,通常为2.5kVrms或5kVrms)达1分钟。该规范还规定隔离器需要采用120%隔离电压进行100%生产测试,持续时间为1秒钟。

  另外,数字隔离器还需要参考CQC、CSA、VDE等地区性认证标准。

  安规认证背后,是严格的测试流程。需要经过包括老化测试,耐高压测试,抽样测试,宽温测试,寿命测试等各类测试,尤其是寿命测试,甚至需要半年以上才算一次完整的测试周期。

  通过机构认证并不意味结束,在产品量产时,还需要对每颗芯片进行测试。比如,纳芯微的每颗隔离器在出厂时都通过了高压测试,并且每季度还要进行批次性抽样测试。以完整的测试流程确保了隔离器件的安全可靠。

  写在最后

  Datasheet后半部分基本就是芯片的具体引脚布局图,特性指标,细节介绍,详细实测结果,应用指南,封装尺寸图,认证指南等等,为工程师在不同阶段的系统设计提供参考。

  由于隔离器件并不属于主芯片,因此使用过程中需要特别注意的事项不多,如果是主处理器等产品,Datasheet可能会有数百页之多。但隔离牵扯到至关重要的安全,因此还是需要工程师仔细完整的阅读所有相关信息。

  从分析纳芯微的Datasheet中,我们不光了解到数字隔离器的关键参数在选型中的作用,也包括安全标准介绍等基础知识,更是明显看到纳芯微乃至国产器件的进步,这一方面来自纳芯微对于研发的不断投入,也得益于其一直凭借贴近应用、贴近市场的方法论进行产品开发。

  总而言之,想要用好一款产品或技术,首先需要的是了解他,而了解的最好方式就是阅读Datasheet。

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2026-02-02 13:40 reading:201
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2026-01-29 09:39 reading:273
从隔离技术到功能安全,纳芯微栅极驱动构筑全场景应用护城河
  导读  从2020年初推出首款驱动芯片,短短数年时间,纳芯微在驱动芯片领域已实现了跨越式发展,核心依托自身在技术、产品、市场布局等多方面的核心竞争力。  在最近一次对外交流中,纳芯微技术市场经理庞家华就栅极驱动相关问题展开深度解读,既展现出纳芯微在产品端的创新实力,也清晰诠释了企业快速成长的底层逻辑。  锚定核心市场,打造核心优势  栅极驱动芯片是一种用于控制半导体功率器件(如 MOSFET、IGBT、SiC MOSFET、 GaN HEMT 等)开关速度和时间的集成电路。栅极驱动芯片可以放大控制器件的开关控制信号,提供足够的电流来对半导体功率器件的栅极进行快速充放电,从而实现高速开关,减少开关过程中的能量损失,并保护控制器件不受到过高电压或电流的损害。  庞家华表示,栅极驱动的核心应用市场高度集中,汽车电子、电源领域(含服务器电源、各类电源模块)、光伏领域、工业自动化领域(如变频器、伺服系统)四大场景,占据了整个市场份额的百分之七八十。这四大市场,恰好也是纳芯微深耕最多年的主力赛道。  他指出,这些核心应用场景的共性需求,是对产品可靠性的极致追求。无论是汽车电驱系统还是光伏逆变器,驱动芯片一旦出现故障,都可能引发终端应用的灾难性后果,因此客户往往将可靠性放在首位。特别是相较于马达驱动,栅极驱动往往都是大功率的应用,对于可靠性的需求不言而喻。在这一关键维度上,纳芯微的产品失效率小于1ppm(百万分之一失效率)。更重要的是,经过前几年的市场验证,纳芯微栅极驱动产品性能更稳定、不良率更低。  纳芯微作为专业的驱动及电源芯片供应商,持续投入核心资源打磨产品性能,同时立足客户多元化的功率器件应用需求,打造出可适配不同需求的栅极驱动产品,充分贴合实际应用中的器件搭配需求。  理解全场景,围绕应用构建一站式产品树  纳芯微始终以 “一站式产品树” 为核心布局逻辑,针对核心领域覆盖全应用场景,并对每个场景做深度技术耕耘,核心思路是精准把握场景痛点、实现全物料配套覆盖。  在栅极驱动核心应用领域,如电驱系统、车载充电机(OBC)、光伏逆变器、服务器电源等,纳芯微不仅提供驱动芯片,还配套采样芯片、电源芯片及各类传感器,实现不同功率等级应用场景的全覆盖。  庞家华表示,栅极驱动尽管在应用场景中作用大体相同,但由于应用本身也在不断发展演变并产生新的需求,纳芯微会将这些新需求列为解决的目标,并根据客户的产品规划来构建产品树,与客户共同成长。“我们会持续关注重点应用的发展趋势,紧跟客户的产品迭代节奏,从而不断完善产品树,这一逻辑不仅适用于栅极驱动产品,也适用于公司所有产品方向。”庞家华强调道。  纳芯微采用了“量产一代、研发一代、预研一代”的研发节奏,基本上每年都会有新产品推出。“前几年需要先完善产品种类,所以迭代节奏相对慢,后续我们希望能够保持一年一代的迭代路线图,未来当产品迭代到一定阶段后,会进入创新突破期,届时迭代周期可能会调整为2-3年一代,中间的间隔期主要用于研发创新型产品。”对于产品迭代节奏,庞家华如是说道。  目前,纳芯微已形成多系列核心产品矩阵:NSI6602 系列(半桥驱动)、NSI6801 系列(光耦替代型驱动)、NSI6611/6651 系列(智能保护功能驱动)构成核心老产品体系。  2024 年,多款迭代产品与全新产品陆续推出:  NSI6801 系列迭代至第三代 NSI6801E,在成本、售价及综合性能上实现全面提升;  NSI6602 系列升级至第三代 NSI6602ME,作为全球首款带米勒钳位功能的半桥驱动,有效抑制碳化硅(SiC)应用中的米勒震荡,在 OBC 及 SiC 应用客户中反响热烈;  NSI6611/6651 系列迭代至第二代 NSI67xx 系列,集成模拟信号采样或 ASC 保护功能,功能更丰富。  另外,纳芯微也推出了全新功能安全驱动 NSI6911F,作为国内首款应用于电驱系统的功能安全驱动芯片。  栅极驱动选型指南  栅极驱动的选型主要分为以下几个步骤:  第一步,先确定选择隔离驱动还是非隔离驱动。如需为了极致控制成本,且对性能、耐压要求不高,会选择非隔离驱动;如果应用场景对隔离、耐压有要求,则需要选择不同等级的隔离驱动。  第二步,根据驱动对象和功率等级选择合适的驱动电流和驱动电压,不同的功率器件(如氮化镓GaN、碳化硅SiC、绝缘栅双极型晶体管IGBT等)对驱动电流和电压的要求不同,需要根据具体的功率器件类型和功率等级来匹配。  第三步,选择额外的功能模块,包括保护功能,普通保护只有欠压保护、死区时间保护等;而智能栅极驱动集成了米勒钳位、退饱和保护、软关断电流、电源告警上报等复杂的保护功能。另外还有ADC采样、功能安全等等不同的需求。  另外,还可以根据拓扑结构进行选型,比如选择单管驱动(仅驱动一个功率管)或半桥驱动(驱动两个功率管)。  根据隔离、驱动种类、功能模块的区别,纳芯微有一系列独到的技术组合。庞家华特别强调,从隔离到驱动再到保护、采样和电源等功能,纳芯微多年的产品研发过程中积累了大量的成熟IP,可以支持驱动类产品的不断创新演进。  适配第三代半导体,栅极驱动定制化解决方案  随着第三代半导体的流行,纳芯微在栅极驱动方面做了非常多的工作,以适配不同的第三代半导体。  首先对于SiC而言,性能与IGBT相比差异不大,但SiC的开关速度更快,这要求驱动芯片具备更高的共模瞬变抗扰度(CMTI),以避免噪声导致器件误操作。  对于GaN而言,驱动则相对复杂,核心难点在于高频场景下的震荡抑制,需要优化驱动电流输出,同时GaN的栅极-源极(GS)电压耐受能力较弱,过压容易导致器件损坏,所以需要确保输出电压稳定。“这些技术难点无法通过一句话概括,核心还是“实践出真知”,需要不断测试、优化,才能让产品性能达到最优。因此,纳芯微选择与头部功率器件厂商联合开发,是我们做好GaN驱动的关键,也是我们的核心优势之一。”庞家华介绍道。  按照栅极特性差异,GaN分为常开的耗尽型(D-mode)和常关的增强型(E-mode)两种类型;按照应用场景差异,GaN需要隔离或非隔离、低边或自举、零伏或负压关断等多种驱动方式。针对不同类型的GaN和各种应用场景,纳芯微推出了一系列驱动IC解决方案,充分发挥GaN器件的性能优势。  其中耗尽型GaN内部集成了一个小的MOSFET,和传统的MOSFET驱动差异不大,因此使用常规驱动芯片就能够驱动。  去年9月,纳芯微、联合电子与英诺赛科共同签署战略合作协议,三方将聚焦新能源汽车功率电子系统,联合研发智能集成GaN相关产品。全新开发的智能GaN产品将依托三方技术积淀,提供更可靠的驱动及GaN保护集成方案,进一步提升系统功率密度。“GaN作为第三代半导体,目前仍处于技术探索阶段,无论是驱动芯片还是功率器件本身,都存在不少技术难点,要做好GaN驱动,需要进行联合开发,这将是一个不断摸索的过程。”庞家华强调道。  高功率场景 栅极驱动双核心保护技术解析  随着功率等级越来越高,保护电路越来越重要,选择一款合适的驱动器,可以显著提高系统的可靠性,简化系统设计,缩短研发成本。对于功率越来越大的器件,都可能因为误导通或dv/dt变化太快从而烧毁器件,因此目前保护功能中,退饱和保护(DESAT)和米勒钳位是值得注意的两项技术。  退饱和保护主要是短路保护功能,它通过集成恒流源和比较器,监测功率器件的VCE电压,当检测到短路时,会触发软关断功能,缓慢关断功率器件,避免器件因短路烧毁。关断过程不会瞬间完成,而是缓慢进行,防止关断过快导致过压损坏。  米勒钳位技术则主要是为了抑制米勒效应。米勒效应是在功率管开关过程中,功率管的集电极(C极)和栅极(G极)之间存在寄生电容CGD,在开关过程中会产生dv/dt变化,dv/dt与CGD的乘积会形成米勒电流,该电流会流向栅极,而栅极存在电阻Rg,电流通过电阻会产生电压,导致栅极-源极之间出现压差,从而使功率管被误打开,这就是米勒效应。  米勒钳位技术就是通过增加一条低阻抗的泄放路径,将米勒电流释放到地,避免栅极-源极电压被抬高,防止功率管误导通。  ASIL-D 功能安全驱动 构筑电驱系统安全核心  功能安全指的是,栅极驱动芯片可以通过对驱动芯片自身、功率模块以及驱动系统中的失效模式进行识别,结合内在安全机制和系统级安全控制逻辑,在故障容忍时间间隔(FTTI)内使系统进入安全状态,避免因故障导致严重的危害人身安全的事件发生。  采用满足功能安全标准的芯片来进行功能安全零部件的开发,可以大大简化系统开发流程,减少软硬件设计难度,降低失效风险,提高可靠性和鲁棒性。纳芯微的功能安全栅极驱动芯片集成了系统功能需求模块和诊断需求模块,可以有效降低系统成本。同时支持软件智能配置,可针对不同应用场景及功率模块的产品,实现差异化配置开发。“功能安全本质上是系统级的概念,即使不使用功能安全驱动芯片,也可以通过增加冗余设计、额外的保护电路等方式,实现较高的系统功能安全等级,只是这样会增加设计复杂度和成本。”庞家华介绍道。  庞家华表示,尽管目前行业内并没有强制功能安全的驱动,但中高端车型越来越注重性能和安全,通常会选择更高安全标准的产品,随着未来行业标准的不断演进,有可能推动功能安全驱动的强制性要求。  展望未来  庞家华表示,除功能安全,压摆率调节将成为栅极驱动的另外一个重要发展方向,该技术通过在轻载、重载等不同工况下动态调节驱动电流,优化 dv/dt 和功率损耗之间的权衡,从而实现全场景效率最大化,既契合绿色能源发展的行业共识,又能有效帮助客户降低电池、体积等核心成本,具备显著的技术价值与市场潜力。  实际上,在不久前出版的《节能与新能源汽车技术路线图3.0》上,纳芯微技术专家方舟介绍了栅极驱动的关键技术发展趋势,产品将向高性能、集成化、高可靠性与高安全性演进。比如,栅极驱动的关键技术趋势包括提升驱动电流能力,提供智能驱动电流调节和共模瞬变抗干扰度。此外,在工艺上还将攻关垂直MOS工艺、垂直BCD工艺及车规耐高压工艺等,预计到2040年通过设计与工艺优化实现桥驱与高边导通内阻进一步降低,全面支持48V系统。  另外值得一提的是未来的服务器市场,特别是AI算力中心的发展,对于功率的需求越来越大,给电源驱动带来了新的机会。庞家华认为,服务器电源追求极致的功率密度,要求体积越来越小,GaN能够充分发挥高频特性,是目前高功率密度的最优选择,纳芯微也将积极拓展该领域的布局。  “对于栅极驱动而言,功能的提升相对简单,更重要的是贴合应用场景进行技术升级。工艺优化也是同理,需要在抗干扰能力、压摆率调节功能、更大的驱动电流这些功能增加的同时,尽量缩小芯片面积,在功能和成本上达到平衡。”庞家华总结道。
2026-01-28 09:58 reading:295
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