英飞凌XENSIV™ 高精度无磁芯电流传感器

发布时间:2023-12-05 11:10
作者:AMEYA360
来源:英飞凌
阅读量:2147

  英飞凌 XENSIV™ 系列无磁芯开环传感器采用英飞凌精确、稳定的霍尔技术。其输出信号在整个温度范围和寿命范围内呈高度线性状态。由于不再使用铁芯,传感器信号既没有迟滞,也不会出现饱和状态。

  这些电流传感器可提供准确且稳定的电流测量(分别高达120A或31mT),具有针对低电流的集成电流轨,以及针对中高电流的外部电流轨。这些产品旨在用于48V以及高压应用,例如牵引逆变器、工业驱动器、光伏逆变器或电池断开系统。

  XENSIV™ - TLE4971 和 TLI4971

英飞凌XENSIV™ 高精度无磁芯电流传感器

  TLE4971 和 TLI4971

  XENSIV™ 系列的最新产品包括专为汽车和工业应用而设计的 TLE4971 高精度无芯电流传感器。这些微型传感器采用 8x8mm SMD 封装,以最小的外形尺寸提供最高的载流量,易于集成并节省电路板面积。

  作为值得信赖的工业电流传感器制造商,英飞凌的 XENSIV™ 产品组合还包括适用于各种工业应用的 UL 认证无芯磁传感器。TLE4971 和 TLI4971 的一些主要特性包括:

  采用创新的 TISON-8 封装和高电压隔离,在高电流下具有一流的热性能

  具有典型 220 µΩ 插入电阻和小于 1 nH 插入电感的集成电流轨,无需外部校准并可实现超低功耗

  双向交流和直流电流测量 IC,具有一个模拟接口和两个快速过流检测输出,支持电源电路保护

  基于磁传感原理的电流功能隔离

  在整个温度范围内具有非常低的灵敏度误差

  两个快速过流检测信号,反应时间为典型值 0.7 µs

  XENSIV™ - TLE4972

英飞凌XENSIV™ 高精度无磁芯电流传感器

  对于汽车市场,XENSIV™ TLE4972 系列提供 ±31 mT 的满量程测量范围,并且可以测量高达 2,000 安的电流。该系列避免了使用通量集中技术的开环传感器中常见的所有负面影响,例如饱和和迟滞。高带宽电流传感器提供低相位延迟和快速响应时间,而两个独立的过流检测引脚 (OCD) 可在测量电流超过配置阈值(典型值 0.7 µs)的情况下提供快速输出信号。

  这些传感器通过其传感结构实现了非常低的功率损耗,是平台设计人员的理想选择。此外,高精度电流传感器已通过 ISO 26262 认证,满足 ASIL B 级安全要求,并配备内部自诊断功能。高精度电流传感器有两种封装,可支持各种不同的系统集成场景。

  英飞凌 TLE4973 系列高精度无芯电流传感器可单向或双向测量 0 A 至 2.000 A 的交流和直流电流,非常适合车载充电器 (OBC) 或 BMS 等汽车应用,而且也适合电力驱动等工业领域。

  所有型号均具有模拟输出以及单独的快速输出,以指示过流事件或故障。这些传感器根据 ISO 26262 开发并归类为 ASIL B 产品,适用于汽车应用。所有型号都具有用于内部错误监控的自诊断功能。外部诊断模式可以通过基于 UART 的数字控制和诊断接口 (DCDI) 触发。

  为了覆盖较大的测量范围,该系列提供了不同的方案:对于最高 132A 的低电流应用,传感器采用 TISON-8 封装进行全面校准,并带有电阻仅为 220 µΩ 的集成电流导体,对于使用厚铜层 PCB 或母线的中等到大电流应用,提供两种 0 级封装选项(PG-TDSO-16 和 PG-VSON-6),可在 Tamb 最高 150 °C 条件下工作。

(备注:文章来源于网络,信息仅供参考,不代表本网站观点,如有侵权请联系删除!)

在线留言询价

相关阅读
英飞凌:光伏混合逆变器用Easy模块
英飞凌600 V CoolMOS™ 8 新一代硅基MOSFET技术助力电力电子行业变革
  在日新月异的电力电子行业,对更高效、更强大、更紧凑元器件的需求持续存在。对于新一代硅基MOSFET,英飞凌进行了巨大的研发投入,以重新定义系统集成标准,使其在广泛的电力电子应用中能够实现更高功率密度和效率。  在英飞凌,CoolMOS™ 8的推出意味着这些投入已经取得了成效。它是一项先进的MOSFET技术,集成快速体二极管,能够让设计人员和工程师前所未有地获益。该技术是对英飞凌现有宽禁带半导体技术的有力补充,将对数据中心、可再生能源和消费电子等行业产生深远影响。  在了解关键特性和益处之前,我们先来看看CoolMOS™ 8的起源。CoolMOS™ 8是英飞凌新一代硅基MOSFET技术,旨在取代现有的高/低功率开关电源(SMPS)的CoolMOS™ 7产品系列。它是CoolGaN™和CoolSiC™宽禁带半导体技术的有力补充。该产品组合将使设计人员能够满足不同类型的电力电子应用需求。CoolMOS™ 8主要面向消费和工业终端市场;这意味着,该系列并未包含适用于汽车应用的器件。汽车应用的设计人员可以继续使用现有的车规级CoolMOS™ 7器件。  CoolMOS™ 8的创新之处在于,该系列所有器件中都集成了快速体二极管,使得设计人员能将该系列产品用于目标应用中的所有主要拓扑。600 V CoolMOS™ 8产品系列具有完善的产品组合,英飞凌最先将供应直插封装、表面贴装和顶部冷却(TSC)器件。CoolMOS™ 8 MOSFET还比同类竞品具有更高的电流处理能力,且拥有最小的导通电阻(RDS(on))与面积乘积。  但这对设计人员和工程师意味着什么呢?CoolMOS™ 8在最终面向消费和工业市场推出后,将大大简化英飞凌客户的产品选型;因为相比已有的CoolMOS™ 7产品系列,它的产品数量减少了50%以上。在CoolMOS™ 7产品系列下,拥有快速体二极管的器件通过在产品名称中包含“FD”来进行区分。CoolMOS™ 8系列下的所有产品都拥有快速体二极管(无论导通电阻(RDS(on))值为何),这意味着它无需再遵循之前的命名规则。  当前供应的600 V CoolMOS™ 8产品组合(2024年)  CoolMOS™ 8 的关键特性  上面我们回顾了一些产品开发背景和原理,现在我们来看看CoolMOS™ 8的一些关键特性。这包括用于谐振拓扑的最佳快速体二极管性能,先进芯片焊接技术,以及创新的顶部冷却(TSC)封装技术。  相比CoolMOS™ 7系列同类器件,CoolMOS™ 8技术的关断损耗(Eoss)降低10%,输出电容(Coss)降低50%。CoolMOS™ 8器件相比CoolMOS™ 7还将热阻降低至少14%,大大改进了热性能。能够实现这一改进,是因为使用了英飞凌专有的互连技术(.XT),该技术提高了将硅芯片连接至引线框架时的热导率。这些性能优势使得CoolMOS™ 8比CoolMOS™ 7 具有更高效率。  (3.3 kW)LLC级与(2.5 kW)PFC级之间的相对效率比较  CoolMOS™ 8 MOSFET采用的创新ThinTOLL 8 × 8封装,相比ThinPAK 8 × 8封装具有更优的性能,有助于保持引脚兼容性。ThinTOLL 8 × 8封装占板面积小,有助于实现高功率密度;且充分利用了英飞凌先进的互连技术,提高了热性能。ThinTOLL封装尽管尺寸小巧,但在电路板温度循环试验中的故障率与采用TOLL封装的器件非常接近,且二者具有几乎相同的性能因数。  新ThinTOLL 8 × 8封装与ThinPAK 8 × 8封装的尺寸比较  封装的升级不仅有助于实现大批量组装和改进电路板设计,还通过帮助实现高引脚数器件的全自动处理,使得在成本高昂的组装工厂进行光学焊接检测更容易。凭借在最近七年里累计交付的超过67亿颗器件中,仅有过5次现场故障,CoolMOS™ 8无疑巩固了英飞凌在可靠性方面的卓越声誉。  对系统集成的益处  CoolMOS™ 8对系统集成的益处,可通过英飞凌利用该系列器件进行的参考设计来证明。例如,一台3.3 kW高频率和超紧凑整流器可达到97.5%的效率,以及95 W/in3的功率密度,尺寸为1U时也是如此。能达到如此高的工作效率和功率密度,是因为在设计中联合使用了CoolMOS™ 8、CoolSiC™及CoolGaN™ 技术;它采用了创新的集成式平面磁性结构,并对图腾柱功率因数校正(PFC)级和半桥GaN LLC DC/DC功率变换级进行完全数字化控制。  单独提供的2.7 kW配套评估板展示了利用无桥图腾柱PFC和LLC DC/DC功率变换级构建的高效率(>96%)电源装置(PSU)。这一高功率密度的设计联合使用了650 V CoolSiC™和600 V CoolMOS™ 8开关技术。该PSU可利用XMC1404控制器(控制PFC级)和XMC4200控制器(控制LLC级)进行数字化控制,使得可以控制和调整PFC开关频率,以进一步减小电感器尺寸,和/或降低功耗。试验表明,该PSU在高负载条件下的效率提高了0.1%,使其相比利用CoolMOS™ 7 MOSFET构建的类似设计,拥有更低功耗和更好的散热性能。  当前供应的评估板(2.7-kW PSU和3.3-kW HD/HF SMPS)  主要应用  CoolMOS™ 8器件是工业和消费市场中不同SMPS应用的理想选择。但它们仍然尤其适用于数据中心和可再生能源等重要终端市场。在数据中心应用领域,CoolMOS™ 8通过实现利用硅器件可能达到的、尽可能最高的系统级功率密度,来帮助设计人员达成能源效率和总拥有成本目标。在可再生能源应用领域,采用顶部冷却(TSC)封装的CoolMOS™ 8器件,可帮助减小系统尺寸和降低解决方案成本。  面向目标应用的DDPAK和QDPAK封装产品  由于600 V CoolMOS™ 8还拥有极低的导通电阻(RDS(on))值(7 mΩ),因此在日益壮大的固态继电器应用(S4)市场,它适合作为替代CoolSiC™ 的、更具性价比的技术。相比机械继电器,固态继电器拥有更快开关速度,不产生触点拱起或弹跳,因而能够延长系统寿命。它们还具有良好的抗冲击、抗振动能力,以及低噪声。  另外,通过将CoolMOS™ 8与CoolSiC™ 器件结合使用,设计人员还可优化系统级性价比。对于2型壁挂式充电盒、轻型电动交通工具、无线充电器、电动叉车、电动自行车和专业工具充电,CoolMOS™ 8还可帮助实现更具成本竞争力的设计。在更宽泛的消费类应用领域,CoolMOS™ 8可让终端产品更容易满足静电放电要求,并助力实现更灵活的系统设计。与此同时,顶部冷却(TSC)封装还有助于进一步降低组装成本,并提高功率密度。  与先进MOSFET设计有关的  下一步计划  我们不久就会推出用于驱动CoolMOS™ 8 MOSFET的新一代栅极驱动器,使其能够在开关应用中实现最优的RDS(on)性能。这些EiceDRIVER™栅极驱动器将具有单极驱动能力,以及封装共模瞬变抗扰度(@600 V),能够帮助简化系统认证与合规。由于厚度减小,CoolMOS™ 8器件非常适合使用QDPAK TSC封装,甚至可被置于散热片的下面。英飞凌还计划在未来几年内推出采用多种不同封装的CoolMOS™ 8 MOSFET。  600 V CoolMOS™ 8新一代硅基MOSFET技术的推出,推动电力电子领域取得了一次重大进展。集成快速体二极管、先进芯片焊接技术以及创新封装技术等重要配置,凸显出英飞凌致力于提供先进解决方案以满足设计人员和工程师的更高需求的坚定决心。通过极低的现场故障率可以证明,这项技术还具有良好的热性能及可靠性。  随着CoolMOS™ 8器件逐渐出现在不同的SMPS应用中,尤其是数据中心和可再生能源等应用领域,它们将帮助实现更节能、更紧凑和更具性价比的设计。未来,通过充分发挥CoolMOS™ 8 MOSFET与即将推出的新一代栅极驱动器之间的协同作用,英飞凌将采取一体化方法来推进MOSFET的设计和应用。这一旅程将帮助巩固英飞凌的半导体技术领先地位,并为未来的发展奠定坚实基础。
2024-08-08 09:16 阅读量:452
英飞凌推出可直接驱动的单端反激式辅助电源用 1700V CoolSiC™ MOSFET
2024-08-07 11:07 阅读量:481
英飞凌:650V高速半桥栅极驱动器2ED2388S06F
  • 一周热料
  • 紧缺物料秒杀
型号 品牌 询价
MC33074DR2G onsemi
RB751G-40T2R ROHM Semiconductor
TL431ACLPR Texas Instruments
BD71847AMWV-E2 ROHM Semiconductor
CDZVT2R20B ROHM Semiconductor
型号 品牌 抢购
BP3621 ROHM Semiconductor
TPS63050YFFR Texas Instruments
ESR03EZPJ151 ROHM Semiconductor
STM32F429IGT6 STMicroelectronics
BU33JA2MNVX-CTL ROHM Semiconductor
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 Infineon Technologies
热门标签
ROHM
Aavid
Averlogic
开发板
SUSUMU
NXP
PCB
传感器
半导体
相关百科
关于我们
AMEYA360微信服务号 AMEYA360微信服务号
AMEYA360商城(www.ameya360.com)上线于2011年,现 有超过3500家优质供应商,收录600万种产品型号数据,100 多万种元器件库存可供选购,产品覆盖MCU+存储器+电源芯 片+IGBT+MOS管+运放+射频蓝牙+传感器+电阻电容电感+ 连接器等多个领域,平台主营业务涵盖电子元器件现货销售、 BOM配单及提供产品配套资料等,为广大客户提供一站式购 销服务。