英特尔实现3D先进封装技术实现大规模量产

发布时间:2024-01-26 09:39
作者:AMEYA360
来源:英特尔
阅读量:1550

  英特尔官微宣布,已实现基于业界领先的半导体封装解决方案的大规模生产,其中包括英特尔突破性的3D封装技术Foveros。该技术为多种芯片的组合提供了灵活的选择,带来更佳的功耗、性能和成本优化。

英特尔实现3D先进封装技术实现大规模量产

  这一技术是在英特尔最新完成升级的美国新墨西哥州Fab 9投产的。英特尔公司执行副总裁兼首席全球运营官 Keyvan Esfarjani 表示:“先进封装技术让英特尔脱颖而出,帮助我们的客户在芯片产品的性能、尺寸,以及设计应用的灵活性方面获得竞争优势。”

  随着整个半导体行业进入在单个封装中集成多个“芯粒”的异构时代,英特尔的 Foveros 和 EMIB(嵌入式多芯片互连桥接)等先进封装技术号称可以实现在单个封装中集成一万亿个晶体管,并在 2030 年后继续推进摩尔定律。

  据介绍,英特尔的 3D 先进封装技术 Foveros 在处理器的制造过程中,能够以垂直而非水平方式堆叠计算模块。此外,Foveros 让英特尔及其代工客户能够集成不同的计算芯片,优化成本和能效。

  该公司曾表示,规划到 2025 年时,其 3D Foveros 封装的产能将增加四倍。

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