英飞凌推出高密度功率模块降低AI数据中心成本

发布时间：2024-03-05 09:18
作者：AMEYA360
来源：英飞凌
阅读量：1680

　　人工智能(AI)正推动全球数据生成量成倍增长，促使支持这一数据增长的芯片对能源的需求日益增加。英飞凌科技股份公司近日推出TDM2254xD系列双相功率模块，为AI数据中心提供更佳的功率密度、质量和总体成本(TCO)。TDM2254xD系列产品融合了强大的OptiMOSTM MOSFET技术创新与新型封装和专有磁性结构，通过稳健的机械设计提供业界领先的电气和热性能。它能提高数据中心的运行效率，在满足AI GPU(图形处理器单元)平台高功率需求的同时，显著降低总体拥有成本。

英飞凌推出高密度功率模块降低AI数据中心成本

　　鉴于AI服务器的能耗比传统服务器高出3倍，而且数据中心的能耗已超过全球能源供应量的 2%，因此需要找到创新的功率解决方案和架构设计来进一步推动低碳化。英飞凌的TDM2254xD双相功率模块结合XDPTM控制器技术，具有卓越电气、散热和机械运行性能的高性能计算平台带来高效的电压调节，为绿色AI工厂奠定了基础。

　　英飞凌在美国国际电力电子应用展览会(APEC)上正式推出TDM2254xD系列。该系列模块设计独到，可通过专为传递电流和热量而优化的新型电感器设计，实现从功率级到散热器的高效热量传递，从而使模块在满载时的效率较行业平均水平高出 2%。提高GPU核心的能效可以实现规模化的显著节能效果。这将为计算生成式AI的数据中心节省数兆瓦的电力，进而减少二氧化碳排放量并在整个系统生命周期内节省数百万美元的运营成本。

　　英飞凌科技电源与传感系统事业部高级副总裁Athar Zaidi表示：“通过将这款独特的半导体产品到系统解决方案与我们的前沿制造技术相结合，英飞凌能够大规模提供具有差异化性能和质量的解决方案，大幅降低客户的总体拥有成本。我们很高兴推出这项解决方案，它将优化计算性能并进一步帮助我们完成数字化和低碳化的使命。"

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　　新品可直接驱动的单端反激式辅助电源用　　1700V CoolSiC™ MOSFET　　CoolSiC™ MOSFET 1700V G1 450mΩ、650mΩ和1000mΩ，采用TO247-3-HCC封装，适用于单端反激式辅助电源，主要应用如太阳能逆变器、电动汽车充电器、UPS和通用电机驱动器。主要特点包括：可由反激式控制器直接驱动，无需栅极驱动器IC、高耐压且损耗小、.XT互连技术可实现出色的散热性能，大爬电距离和电气间隙封装可提高可靠性。　　产品型号：　　 ·IMWH170R1K0M1　　 ·IMWH170R650M1　　 ·IMWH170R450M1　　产品特点：　　·针对反激式拓扑结构进行了优化　　·开关损耗极低　　·12V/0V驱动电压　　·与反激式控制器兼容　　·栅极阈值电压，VGS(th)=4.5V　　·.XT互联技术　　应用价值：　　·为辅助电源开发的产品　　·效率高　　·更好的热性能和耐热性　　·TO247封装，便于绝缘设计　　·无需栅极驱动器　　·更高的功率密度　　竞争优势：　　·与D2PAK-7L相比，TO247-3-HCC封装更具优势：　　·更低的热阻确保了更大的输出功率　　·TO247封装实现轻松绝缘设计　　·大爬电距离适应环境污染　　应用领域：　　·组串逆变器　　·电动汽车充电　　·通用电机驱动　　·工业电机驱动和控制
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