3月21日消息,据报道,华为正在研发一种前沿的“磁电”存储技术,该技术将彻底改变数据存储行业的格局!
据悉,这种新型“磁电磁盘”(MED)技术不仅在速度上远超现有的SSD等存储设备,更在能效和容量上实现了前所未有的突破。在能耗方面,新型“磁电”存储每PB耗电仅为71W,相比传统的磁性硬盘驱动器(HDD)节能高达90%,这无疑为数据中心和大型企业节省了大量的能源成本。
在性能方面,华为预计每机架的MED性能将达到惊人的8GB/s,这一速度比档案磁带装置的最高性能提升了2.5倍。这将极大地提升数据中心的数据迁移速度,使其在处理大规模数据时更加高效。此外,新型“磁电”存储技术还在容量上实现了突破。第一代MED设备预计每个“磁盘”可提供约24TB的容量,使得一个机架系统能够积累超过10PB的数据。
而令人惊讶的是,在提供如此巨大容量的同时,该系统的功耗仅为2千瓦。该解决方案将于2025年推出。
对于华为即将发布的磁电存储产品,行业分析人士表示,此次华为推出的新型产品,可能是利用磁电耦合效应实现电场驱动磁翻转来构筑超低能耗产品。
“主流的半导体存储产业已被三星电子、SK海力士、美光等海外龙头主导,而新型存储器暂未有公司占据行业绝对优势,此次华为发布磁电存储产品是我国在存储产业换道竞争的契机。”分析师表示。
据报道, 基于磁电耦合效应的电控磁研究,展示出在未来超低能耗器件应用的可能,但面向器件化的道路仍然面临众多障碍。目前只有电压调控磁各向异性(VCMA)技术开始在磁存储产业得到初步推广,用于降低磁存储器件能耗。
“磁电存储”作为新提出的技术方案,暂不是行业统一规范,其涉及华为磁电存储产品的具体内涵与外延尚待进一步明确。
需要一提的是,上述存储技术与我国算力发展与存力建设息息相关,目前国内磁存储还主要依赖进口,所以包括运营商、金融、广电、科研高校等单位和关键行业急需国产新型存储解决方案。
在线留言询价
型号 | 品牌 | 询价 |
---|---|---|
TL431ACLPR | Texas Instruments | |
RB751G-40T2R | ROHM Semiconductor | |
CDZVT2R20B | ROHM Semiconductor | |
MC33074DR2G | onsemi | |
BD71847AMWV-E2 | ROHM Semiconductor |
型号 | 品牌 | 抢购 |
---|---|---|
BU33JA2MNVX-CTL | ROHM Semiconductor | |
TPS63050YFFR | Texas Instruments | |
STM32F429IGT6 | STMicroelectronics | |
BP3621 | ROHM Semiconductor | |
ESR03EZPJ151 | ROHM Semiconductor | |
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 | Infineon Technologies |
AMEYA360公众号二维码
识别二维码,即可关注