解决方案 | 英飞凌主驱逆变器助力电动汽车跑得快跑得远

发布时间：2024-03-27 15:56
作者：AMEYA360
来源：英飞凌
阅读量：498

　　电动汽车越来越受欢迎。如今电动汽车的发展趋势是，电机功率越来越大，但为了保证续航里程，行驶中的电耗也要越来越低。这看似不可能完成的任务，背后的最大功臣正是主驱逆变器。

　　市面上众多热门车型采用了英飞凌的主驱逆变器方案，那么英飞凌逆变器方案有哪些优点，它又是怎么让电动汽车性能提高的同时还保证续航里程?

　　英飞凌主驱方案核心优点

　　英飞凌做为全球领先的汽车半导体供应商为新能源汽车电控系统提供完解决方案。

　　电控方案可分解为两部分：

解决方案 | 英飞凌主驱逆变器助力电动汽车跑得快跑得远

　　功率逆变执行部分

　　该部分也被称为power stack, 功率砖，包含了功率模块，域驱芯片，电流传感器。

　　功率模块实现电力变换，为新能源汽车开发的EDT系列IGBT芯片提高了逆变器转换效率，确保汽车安全行驶。Zero defect (0失效)一直是我们追求的目标。HybridPACK™ Drive功率模块自2017年量产以来已经为超5百万电动汽车提供驱动电力。搭配高可靠的驱动芯片及高精度的电流传感器保证系统性能及可靠性。

　　控制与功能安全部分

　　该部分包含了MCU/PMIC/Driver等器件。

　　在控制部分，AURIX™ 系列MCU与TLF35584系列PMIC 搭配EiceDrive™ 实现系统级ASIL-D级功能安全，保证汽车行驶指令准备无误的传递给各个系统。AURIX™ 已经累积出货超5亿片。

　　英飞凌解决方案如何助力电动车

　　具有强大的性能，同时又有超长续航?

　　电动汽车的很重要的两个核心参数就是续航里程和加速度。这两个参数都和功率模块有非常强的关联性。

　　同样的电池电量在不同的车上会有不同的续航表现，功率模块的损耗决定了系统的转换效率，英飞凌的车规级功率模块致力于调节性能与可靠性之间的平衡关系，包括：

　　英飞凌优化了EDT2代 IGBT芯片的设计与生产工艺，使得损耗远低于其他同类产品

　　未来还有EDT3代IGBT芯片推出

　　第三代半导体的重要成员SiC 也是英飞凌产品开发的重要方向，英飞凌坚持沟槽结构的SiC芯片研究，目前推出第二代沟槽工艺的芯片，用于HybridPACK™ Drive第二代功率模块。英飞凌SiC门极耐受电压高，门极开启电压一致性，易于使用，降低电控系统及售后成本。

　　加速度的快慢就需要看功率模块的电流输出能力了，模块可提供的峰值电流越大，加速度越快。基于英飞凌Si 和SiC芯片开发的功率模块可以提供高压1000A的峰值电流，使用户用十分之一甚至更低的价格享受超跑的驾使体验。

　　英飞凌主驱逆变器一站式解决方案

　　除了功率逆变执行和控制与功能安全两部分产品组合外，英飞凌可提供电控系统的完整解决方案。

　　英飞凌最新的无磁芯电流传器可以解决磁饱和问题，降低电流检测成本。搭配 HybridPACK™ Drive G2 模块还可以进一步节省空间提升功率密度。PMIC TLF35585 芯片为 MCU 稳定运行提供电源保证。EiceDRIVER™ 使得功率模块的控制变得更安全可靠。

（备注：文章来源于网络，信息仅供参考，不代表本网站观点，如有侵权请联系删除！）

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