三星电子正计划恢复位于平泽的新半导体工厂“P5”的基础建设。随着半导体行业的复苏正式开始,这被解读三星为扩大产能以应对需求增加的措施。
据韩媒报道,业界消息称,三星电子于上月30日召开了董事会内部管理委员会会议,提交并通过了有关P5基础建设的议程。管理委员会由首席执行官兼 DX 部门负责人 Jong-hee Han 担任主席,成员包括 MX 业务部门负责人 Noh Tae-moon、管理支持总监 Park Hak-gyu 和存储业务部门负责人 Lee Jeong-bae。
三星电子于1月底暂时停止了P5基础建设,投资时机也根据市场情况进行了调整。由于P5建设进度推迟,“一年一新晶圆厂”战略可能被打乱。然而,仅仅四个月后,管理委员会就决定继续进行地基建设。
三星电子的决定被认为是由于人工智能(AI)热潮导致对存储半导体的需求迅速增长。人工智能加速器中安装的HBM需求大增,需要扩大DRAM产线。HBM采用大量DRAM晶圆,因此需要比目前更多的产能。此外,由于设备端AI的普及,预计移动和PC中安装的通用DRAM的需求也将逐渐增加。
此外,随着生成的人工智能学习数据容量的增加,对 NAND 闪存的需求也在反弹。
三星电子在第一季度业绩简报中宣布,仅根据今年的比特增长,就将HBM供应量比去年增加三倍以上。如果通过了正在进行的NVIDIA质量测试,供货规模将会大得多。
据了解,P5是一座拥有8个洁净室的大型晶圆厂,而 P1 至 P4 则只有 4 个洁净室。这使得确保满足市场需求的大规模生产能力成为可能。虽然P5的具体用途尚未确定,但预计不仅能够满足存储器的需求,还能够满足系统半导体的需求。
P5基础工程预计最早将在第三季度开始。考虑到与三星物产和三星工程的施工合同,预计完工时间将是2027年4月。然而,根据市场情况,启动时间可能会大大提前。这是因为首先建立的生产线将能够优先量产。
在线留言询价
型号 | 品牌 | 询价 |
---|---|---|
TL431ACLPR | Texas Instruments | |
MC33074DR2G | onsemi | |
BD71847AMWV-E2 | ROHM Semiconductor | |
RB751G-40T2R | ROHM Semiconductor | |
CDZVT2R20B | ROHM Semiconductor |
型号 | 品牌 | 抢购 |
---|---|---|
STM32F429IGT6 | STMicroelectronics | |
BU33JA2MNVX-CTL | ROHM Semiconductor | |
TPS63050YFFR | Texas Instruments | |
ESR03EZPJ151 | ROHM Semiconductor | |
BP3621 | ROHM Semiconductor | |
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 | Infineon Technologies |
AMEYA360公众号二维码
识别二维码,即可关注