近年来,随着电动汽车的加速以及物联网在工业设备、消费电子设备领域的普及,应用产品中搭载的半导体数量也与日俱增。GaN作为比肩SiC的第三代半导体,虽然在耐压(650V)及大电流方面并无惊艳之处,但其在开关频率特性上,有着绝对量级上(200kHz以上)的优势。因此,在数据电源、基站电源、小型充电器等一般领域以及OBC、48V系统、激光雷达等车载领域中,可以充分发挥其低功耗、高工作频率的优势。
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研讨会时间
2024年7月31日 10:00
研讨会主题
ROHM’s EcoGaN™ & LSI Technology
研讨会提纲
1. GaN的介绍
2. 使用罗姆GaN的产品解决方案
3. 罗姆GaN产品开发路线
研讨会讲师
陆昀宏/经理
2010年加入ROHM。现任HighPowerSolution经理,负责面向包括车载,工业等各领域的SiC&GaN产品的推广和方案设计。在HighPower产品领域中有着丰富的产品知识面和经验,为客户进行选型指导和技术支持。
EcoGaN™ 介绍
Nano 介绍
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型号 | 品牌 | 询价 |
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RB751G-40T2R | ROHM Semiconductor | |
TL431ACLPR | Texas Instruments | |
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BD71847AMWV-E2 | ROHM Semiconductor | |
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STM32F429IGT6 | STMicroelectronics | |
BU33JA2MNVX-CTL | ROHM Semiconductor | |
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TPS63050YFFR | Texas Instruments | |
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 | Infineon Technologies | |
ESR03EZPJ151 | ROHM Semiconductor |
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