士兰微:新一代分体空调核心外机驱动系统硬件平台

Release time:2024-08-21
author:AMEYA360
source:士兰微
reading:1362

  围绕多元创新产品,士兰微电子为客户提供一站式的系统解决方案。以家用分体空调核心外机驱动系统为例,士兰微电子设计的“新一代分体空调核心外机驱动系统硬件平台”具有高集成度、高可靠性、小型化、高频化等特点。整体板面尺寸较上一代平台减小23%。基于新一代硬件平台更新的同时,我们还为客户提供先进且灵活的软件变频驱动算法设计服务,以及高效且全面的自动化系统测试评价服务。

士兰微:新一代分体空调核心外机驱动系统硬件平台

  新一代68160系列 / MCU

  芯片整体全新升级芯片引脚兼容国外友商产品;

  使用自主研发全新双核ARM Mstar处理器架构,支持浮点及三角函数运算;

  对比上一代58128系列产品,运算能力提升80%以上,为多电机和高载频控制提供充足的运算资源;

  更高的集成度与扩展性芯片提供更高的集成度,集成多路运放及比较器,充分简化外围电路;

  提供更高的扩展性,68160最多可同时控制三台三相电机和一个通道的两相交错PFC。

  新一代SDH8326BS / AC-DC

  全新的大功率Buck电源设计满足稳态450mA,峰值750mA输出;

  可适用于电子膨胀阀方案;

  小型化贴片SOP16封装设计,提升散热能力,满足自动化贴片生产需求。

  DIP26系列/DIP-2V系列 / IPM

  压机驱动——DIP26系列IPM模块有带DBC和全塑封两种方案可供选择,以便于设计优化。

  风机驱动——2V系列IPM模块提供3A/4A/6A等多种电流规格可选,封装外型有插件或贴片可供选择;

  模块内置欠压,过流,过温,温度输出等功能;

  对比上一代25系列模块外形尺寸减小30%;

  VB端子和VS端子在芯片同侧使电路版图设计更方便,实现小型化。

  PFC系统 / PFC

  PFC系统载波频率的高频化,有效降低PFC电感值50%,成套器件最高可以支持75KHz载波频率应用。

  全新IGBT——SGTP30V60FD2PU使用士兰第五代工艺制作,具有更低的导通损耗和开关损耗。

  最新高速栅极驱动电路——SDH21695内部集成了欠压、过流、使能等功能,保护响应传输时间从500ns缩减至200ns。

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士兰微电子总部研发测试生产基地项目顺利封顶!
  1月28日,士兰微电子迎来发展历程中的又一重要里程碑——士兰总部研发测试生产基地项目顺利封顶。项目封顶仪式在杭州市滨江区举行,项目总指挥、士兰微电子高级副总裁黄丽珍,项目负责人林开通,以及总承包单位中南集团、监理单位浙江省省直监理、设计单位浙江省省直建筑设计院等合作伙伴代表共同出席仪式,见证这一战略项目的阶段性成果。  该项目是士兰微电子为适应业务发展需要,在强化自主设计制造能力、完善全产业链布局战略道路上迈出的又一重要步伐,基地总建筑面积达9.6万平方米。项目建成后,这里将成为公司高端芯片的研发测试与验证中心,重点支撑下一代功率半导体、传感器及高端模拟集成电路的快速发展。  士兰微是国内集成电路产业领军企业,近年来不断加大产能与研发投入,已在杭州、成都、厦门等地布局多个制造基地,形成覆盖芯片设计、制造、封装测试的全产业链。此次总部研发测试生产基地建成后,将与各地制造基地深度联动,有效缩短产品从研发到市场化的周期,提升产品交付效率与核心竞争力,为全球客户提供更优质半导体产品与服务。  未来,这座现代化的研发测试生产基地将与士兰微电子位于杭州、成都、厦门等地的制造基地深度联动,进一步缩短公司产品从研发到市场的距离,为全球客户提供更高效、更可靠和更具竞争力的产品与服务。
2026-02-02 15:21 reading:213
士兰微电子迎来双线里程碑:8英寸碳化硅产线通线,12英寸高端模拟芯片产线同步开工
  2026年1月4日,杭州士兰微电子股份有限公司在厦门市海沧区隆重举行“8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线通线仪式暨12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线项目开工典礼”。士兰微电子董事长陈向东,副董事长、总裁郑少波,副董事长、制造事业总部总裁范伟宏分别致辞,中国半导体行业协会执行秘书长王俊杰致辞祝贺。来自全国各地的客户及嘉宾齐聚一堂,共同见证士兰微电子在第三代半导体和高端模拟芯片领域的能级跃升。  此次通线的8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线,是士兰微电子自主研发且规模化量产的8英寸碳化硅芯片生产线,成功突破了8英寸碳化硅晶圆在制造过程中的多项核心工艺难题,标志着士兰微电子在第三代半导体领域实现从技术突破到规模化交付的关键跨越。项目总投资120亿元人民币,分两期建设,全部达产后将形成年产72万片8英寸SiC芯片的生产能力。此次通线的一期项目计划于2026年至2028年逐步实现产能爬坡,达产后可形成年产42万片8英寸SiC功率器件芯片的生产能力。该产线将重点服务于新能源电动汽车、光伏、储能、充电桩、大型白电、AI服务器电源、工业电源等应用场景,助力客户提升系统能效与功率密度。  同步开工的12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线项目,规划投资100亿元人民币,聚焦汽车、大型算力服务器、机器人、风光储、工业、通讯等高端应用,计划于2027年四季度初步通线,并于2030年实现达产,届时将形成年产24万片12英寸模拟集成电路芯片的生产能力。项目的二期规划将在一期基础上再投资100亿元人民币,两期建设全部完成后,将共同形成年产54万片12英寸高端模拟集成电路芯片的生产能力。该项目的建设,将进一步强化士兰微电子在特色工艺与高端模拟芯片领域的自主制造能力。  士兰微电子董事长陈向东表示,两条产线的推进,不仅是产能的扩充,更是我们与客户构建技术协同、供应稳定、响应敏捷的合作体系的重要基础。士兰将持续投入研发,优化工艺,致力于成为客户值得信赖的“芯片伙伴”。  公司副董事长、制造事业总部总裁范伟宏在介绍项目进展时强调,8英寸碳化硅的通线和12英寸高端模拟集成电路产线的开工建设,是士兰发展历程中的重大里程碑,将进一步完善士兰在化合物半导体和高端模拟芯片领域的自主制造能力,更好地为各位客户在系统集成与性能优化方面提供坚实、灵活的解决方案。  公司副董事长、总裁郑少波在晚宴致辞中回顾了公司在碳化硅功率器件和高端模拟电路领域取得的成果,并重申公司将以“质量为先、技术为核、交付为诺”为核心,全力提升产品竞争力与客户满意度。他表示,面对汽车电动化、智能化与AI算力爆发的时代机遇,士兰愿与客户携手共创解决方案,推动产业高效、智能、绿色发展。  中国半导体行业协会执行秘书长王俊杰在致辞中表示,士兰微电子已经成长为国内在家电和车规电子应用领域的头部企业,此次8英寸碳化硅的通线和12英寸高端模拟集成电路产线的开工,是士兰微电子发展史上的重要里程碑,士兰微的宏大愿景与时代的发展及国家的战略是契合的。  活动期间,与会嘉宾还参观了位于海沧区的8英寸碳化硅芯片生产线与12英寸硅芯片生产线现场,并听取了士兰微电子在汽车主驱、OBC、域控制器及算力服务器等相关领域的最新技术和产品的汇报。  此次双线并举,是士兰微电子深耕半导体产业、强化自主制造能力的重要战略布局,也将为中国半导体产业链的自主化与高质量发展注入新的活力。
2026-01-05 16:05 reading:451
士兰微电子荣获“国产半导体领军品牌”
士兰微新品 | D6封装FS5+ IGBT 1400V600A INPC三电平模块
  新品  士兰微电子推出新一代组串电站逆变模块解决方案,采用与国际TOP友商最先进芯片技术对标的FS5+ IGBT芯片技术,最大化光伏电能转换效率;搭配士兰自主开发的D6封装,全面支持2000V系统应用需求。  产品型号  SGM600TL14D6TFD  产品拓扑  产品特点  采用FS5+ 1400V IGBT 技术,损耗低,效率高,降低系统成本  长时持续运行工况Tjop 175℃  集成1400V SiC SBD  1.1倍标称BV下限管控,适配于工业新能源应用  5000m海拔下,安规满足2kV系统电压要求,封装可兼容PV输入1500V系统和PV输入2000V系统  采用最优的封装技术及材料,满足长时175℃高可靠性要求  高功率密度,高效率,模块支持输出功率高  有一体焊接针和压接针两种方案可选,满足不同客户的安装要求  应用领域  光伏  储能  开发背景  光伏电站的BOS成本逐年下降,为降低光伏电站的BOS成本,行业主要围绕两大技术路径持续优化:一是提升逆变器单机功率,以减少设备数量、节约安装空间;二是增加组件串联数量,以提升直流侧电压、节省线缆并减少逆变器用量。在此趋势下,士兰微电子自主开发了新一代功率模块,具备高功率密度、低运行损耗和高可靠性等优势,可有效支持高电压、大功率逆变器的技术进阶,助力光伏产业持续降低BOS成本,推动行业向更高效、更经济的方向发展。
2025-12-19 11:02 reading:517
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