QDPAK&TOLT顶部散热封装，助推华润微SJ&SiC MOS进一步提升终端产品功率密度

发布时间：2025-04-15 16:06
作者：AMEYA360
来源：华润微
阅读量：223

　　随着高端科技的不断发展，现代工业、车业等高端应用领域对功率器件提出了更高功率密度、更低功耗、体积小、散热能力强等严苛的要求。为此，华润微电子功率器件事业群(以下简称PDBG)推出了基于QDPAK&TOLT顶部散热封装的SJ&SiC MOSFET产品，高度匹配OBC、AI服务器电源等高端应用领域需求。

　　QDPAK&TOLT是在华润微电子先进功率器件封装基地自主研发成功的新型封装，采用顶部散热创新理念，相较于传统封装方式，可以优化产品的热导率和电导率，允许更高的芯片温度、更高的功率密度并延长系统寿命，不仅克服了传统贴片封装只能通过PCB板散热的限制，还能使PCB设计具有高度的灵活性，扩大了产品的应用范围，提高了产品性能竞争力。

　　与此同时，QDPAK&TOLT封装方式允许更大的装片面积，可进一步提升产品的功率。该封装方式结合SJ&SiC MOSFET芯片，促使功率器件具有“体积小、重量轻、功率密度高、效率高”等诸多优点，满足高端应用场景需求，备受客户青睐。

　　QDPAK封装

　　一、封装外形

QDPAK&TOLT顶部散热封装，助推华润微SJ&SiC MOS进一步提升终端产品功率密度

　　二、应用特征

　　顶部散热，散热片面积>120mm²，具有高耗散能力

　　内置Kelvin源配置，低寄生电感

　　TCOB> 2000个循环

　　相比于JEDEC标准，增加了1mm的爬电距离，满足高压应用

　　鸥翼型引脚

　　三、应用优势

　　减少寄生电感，降低开关损耗，提高效率和易用性

　　提供更高功率密度解决方案

　　低RDS(ON)，高电流能力

　　将SMD封装概念扩展到高功率/高电流领域

　　灵活的PCB布局

　　焊点检测容易，焊点可靠性高

　　克服PCB散热限制，实现高度自动化

　　四、应用领域

　　OBC、充电桩、储能设备、AI服务器电源、通信设备等。

　　TOLT封装

　　一、封装外形

QDPAK&TOLT顶部散热封装，助推华润微SJ&SiC MOS进一步提升终端产品功率密度

　　二、应用特征

　　顶部散热，散热片面积大于45mm²

　　内置Kelvin源配置，低寄生电感

　　TCOB> 2000个循环

　　高额定电流>300A

　　鸥翼型引脚(较QDPAK体积更小，节约PCB面积)

　　三、应用优势

　　提高系统效率

　　高功率密度

　　低RDS(ON)，高电流能力

　　优异的热性能

　　节省冷却系统

　　大幅降低产品至散热片热阻

　　焊点检测容易，焊点可靠性高

　　大电流应用

　　改善温度循环寿命(相比于TOLL x2)

　　改善散热能力，提高电流处理能力(相比于TOLL提升36%)

　　四、应用领域

　　通信电源、服务器电源、工业电源等。

　　PDBG目前已有多颗SJ G4系列和SiC G2系列MOSFET采用了顶部散热封装，并推向市场应用。该系列产品兼顾了芯片低Rsp、开关损耗低、优异体二极管反向恢复特性、鲁棒性强的特点和QDPAK&TOLT封装高功率密度、低功耗、封装体积小、高散热的优越特性，是服务器电源、OBC、充电桩等领域的优选，得到客户高度认可。


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