媒体聚焦丨国产颗粒放量、云厂商定制化，瑞萨中国内存接口市场目标翻倍

　　内存接口芯片作为内存模组(RDIMM)的核心组件，在过去几年里也借势实现了高速增长。

　　DDR5如今已全面进入主流市场。回顾其商用进程，2022年下半年，DDR5率先在服务器领域启动部署;2023年，随着英特尔、AMD支持DDR5的服务器CPU大批量出货，主流数据中心厂商开始加速产品迭代;2024年至今，DDR5正式跃升为服务器内存市场的主流配置。

　　2025年下半年起，存储市场进入结构性缺货阶段。市调机构与从业者分析指出，相较于消费级市场，服务器领域对性能、带宽和可靠性的要求更为严苛，但服务器厂商对初期成本的敏感度相对较低。这一特性使得上游颗粒厂更愿意将有限产能向服务器端倾斜，从而导致消费级市场供给受限。在此背景下，业界普遍预测存储芯片的供需紧张态势或将延续至2028年之后。

　　与此同时，内存接口芯片作为内存模组(RDIMM)的核心组件，在过去几年里也借势实现了高速增长。瑞萨电子内存接口事业部业务拓展总监朱里(Elliot Zhu)指出，2026年AI服务器对DDR5的需求持续旺盛，进一步带动了内存接口芯片的市场增长。在CFMS | MemoryS 2026期间，他就内存接口芯片市场的最新动态，以及瑞萨电子在该领域的布局进行了解读。

　　DDR5代际演进：架构升级与技术连续性并行

　　如果观察DDR5的演进方式，不难发现该技术存在代际演进和每世代内部的演进。前者以JEDEC每隔几年发布的DDR标准为基准，比如，DDR4向DDR5的跨越、DDR5向DDR6的过渡，这种演进涉及架构层面的重大变化;后者以DDR5世代内部的演进为基准，这种演进则体现为‌RCD(寄存时钟驱动器)芯片迭代、制程工艺进步和信号架构优化‌为核心驱动力，持续实现速率跃升，被广泛提及的第一代(Gen1)、第二代(Gen2)等，都属于世代内部的演进。

　　DDR5核心组件RCD现已迭代到第六代(Gen6)，其数据传输速率从4800MT/s、6400MT/s、7200MT/s……提升到了9600MT/s‌，这种世代内的迭代在整体架构上保持高度连续。朱里透露称，9600MT/s速率将是DDR5时代RCD发展的收官之作，DDR5的后续演进将以工艺与功能层面的优化为主。目前，DDR6的协议还在行业讨论之中，其第一代RCD尚未最终定型，整个产业链正处于定义期。

　　产业迁移节奏受TCO与市场格局影响

　　尽管DDR技术代际不断向前推进，但实际的市场迁移速度受多重因素制约。到2026年上半年，DDR5在服务器领域的部署进程如何?从系统端看，市场上的服务器仍以DDR5第三代为主(支持‌6400MT/s‌速率)，第四代‌正开始逐步商用部署(支持‌7200MT/s‌速率);而从器件端看，DDR5 RCD已经迭代到第六代(支持9600MT/s)。

　　这也意味着，内存接口芯片厂商要比终端服务器厂商提前数年准备好相应的RCD产品。“内存接口芯片厂商是行业上游的核心参与者，”朱里介绍道，“我们比终端市场规模放量早5至6年启动研发与定义工作。”

　　实际上，瑞萨电子每一代内存接口芯片发布之前，都需要与业界合作伙伴共同确立技术方向和规格标准，再经反复验证后才能将内存接口芯片新品推向产业化。正是这种“先行者”模式，确保瑞萨在每一代内存技术切换时，均能占据行业先发优势。

　　除以上因素之外，DRAM颗粒和CPU持续涨价，推高了系统TCO(总拥有成本)。有导致8000MT/s及新一代产品的切换节奏普遍后延的可能，终端客户更倾向于“旧产品先用着”而推迟下一代产品的导入验证。这给整个产业链，尤其是DRAM颗粒厂商，带来了挑战。

　　再从市场共存格局来看，2026年6400MT/s产品的市场占比预计超过50%，5600MT/s约占30%。2027到2028年，8000MT/s有望超过50%份额，而9600MT/s预计在2028至2029年成为主流，届时DDR6也将逐步进入市场视野。朱里认为，这种渐进式的迁移节奏，为产业链各环节参与者提供了充裕的调整和收益空间。

　　从主流服务器到AI数据中心，全场景覆盖

　　在高频运行的服务器中，如果CPU的内存控制器直接连接多颗DRAM内存颗粒，容易出现两个大问题：一是信号传输距离长了容易“衰减失真”，二是连接的颗粒太多会让控制器“负载过重”。而RCD就像一个“智能中继站”，插在内存控制器和DRAM颗粒中间，把原本要直接传输的信号先接收下来，经过缓冲、放大后再转发出去，既解决了信号衰减的问题，又减轻了控制器的负担。

　　瑞萨电子DDR5内存接口方案

　　瑞萨电子提供各种符合JEDEC标准的RCD、数据缓冲器(DB)、电源管理IC、温度传感器和SPD(串行存在检测)集线器，满足DIMM及其他DRAM和NAND内存接口应用的时序要求。其内存接口芯片产品覆盖了从主流服务器到AI数据中心的全场景需求。

　　首先是RCD产品线。瑞萨DDR5第六代RCD的带宽较第五代提升了10%，同时还通过增强的DFE(决策反馈均衡)架构和DESTM系统级诊断功能，大幅提升了信号完整性和系统可靠性。目前，该产品已开始向所有主流DRAM供应商送样，预计2027年上半年启动量产。

　　其次是MRDIMM。MRDIMM是专为AI和HPC数据中心设计的新型内存模组技术，由瑞萨与英特尔及内存供应商共同推动。该芯片组采用“1+10”架构——1颗MRCD(寄存时钟驱动器)搭配10颗MDB(多路复用数据缓冲器)，通过双列内存同时存取数据，使内存带宽提高6%至33%，容量可扩展至256GB，远超标准RDIMM的96GB。

　　再次是I3C系列。这是DDR5时代全新推出的产品品类，旨在统一管理主板上RCD、PMIC等多个器件。瑞萨将该协议从SPD中独立出来，单独设计了一款芯片，以满足双CPU、多内存条及多SSD等一对多的管理需求。该产品现已通过英特尔和AMD的主板认证。

　　AI服务器驱动MRDIMM需求超出预期

　　在DRAM整体供应吃紧的宏观背景下，MRDIMM将成为瑞萨电子最值得期待的增量市场之一。据朱里透露，单套MRDIMM方案的价格约为标准RCD套件的数倍，在高价值密度的AI服务器领域，这种溢价更有可能被客户接受。

　　其原因在于，在DRAM颗粒价格快速上涨的环境下，BOM表中MRDIMM的成本占比被稀释，客户对价格的敏感度显著降低，转而更加关注速率和容量优势。AI服务器对内存带宽和容量的需求更为迫切，相较于传统RDIMM, MRDIMM能实现更高的容量和更大的带宽。

　　由此预测，MRDIMM的渗透率有望从2026年的低个位数攀升至2027年的8%至10%，超出此前的5%到8%的预期。AI服务器和视频流(例如，抖音、YouTube等)是目前需求最明确的两大应用场景。目前，国内已经有头部企业表现出对MRDIMM的明确兴趣。朱里坚信，随着AI资本支出持续高涨，MRDIMM有望在瑞萨电子的内存接口业务中占据日益重要的份额。

　　DDR5代际演进：架构升级与技术连续性并行

　　如今，瑞萨电子对中国内存接口市场保持长期投入和高度关注。从终端客户的需求特征来看，中国与美国呈现出显著差异。美国市场对CPU迭代的节奏相对较快且成熟，而中国云厂商正快速释放对定制化内存解决方案的需求。

　　朱里观察到，中国客户对技术响应速度和技术支持深度的要求远高于国外，国内DRAM模组能力正处于高速成长期。“虽然国产颗粒品质已接近一线水平，但模组设计和系统适配能力仍在快速爬坡，”他还补充说，瑞萨电子在中国建立了整建制的AE支持团队，分布在上海和成都，实现了客户需求零时差响应。

　　近年来，中国在内存接口芯片领域的增长潜力巨大，已成为增长最快的区域市场之一。“DDR5在服务器市场的主流地位至少会延续到2030年，我们中国市场内存接口芯片今年的营收目标是同比增长100%。”朱里称，“2026年瑞萨MID有信心在中国实现100%的增长。这主要得益于国产内存模组需求的快速提升，我们作为行业重要的参与者，业务量也随之高速增长。”

　　总而言之，瑞萨电子在中国市场采取了积极的供应链本土化策略，旨在为客户保障供应，并巩固在中国市场的竞争地位。