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士兰微<span style='color:red'>AI</span>服务器电源全链功率半导体解决方案亮相2026 Open <span style='color:red'>AI</span> Infra Summit

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士兰微AI服务器电源全链功率半导体解决方案亮相2026 Open AI Infra Summit

　　4月10日，2026 Open AI Infra Summit在北京举行。大会群英荟萃，来自行业的院士专家、领军企业共聚一堂，聚焦MW级算力系统以及GW级数据中心的核心热点议题，分享交流宝贵经验，共商算力集群部署的关键瓶颈，为AI算力发展贡献一份力量。　　士兰微受邀出席本次峰会，士兰微电子系统应用专家胡豆豆发表以《算力引擎·功率领航 | 士兰微AI服务器电源全链功率半导体解决方案》为题的讲演，向与会的专家学者、友商、用户们分享了士兰微AI数据中心供电的全链路功率半导体解决方案。　　针对当前50Vdc母线的AI数据中心的供电架构，士兰微提出了高度匹配的立体化产品矩阵：在前段高压的HVDC部分，士兰微提供业界领先的1200V、650V SiC MOSFET，助力高压高效转换;在PSU部分，士兰微针对5.5kW功率段推出的整套方案包含650V SiC MOSFET(料号为SCDP65R040NB2LB)、600V DPMOS(料号为SVSP60R022LBS5)、80V LVMOS(料号为SVGP081R8NL5-3HF)，该方案表现亮眼，已助力服务器电源客户实现97.5%效率，在LV IBC、VRM和热插拔等应用，士兰微推出各电压等级的低压MOSFET、宽SOA MOSFET、多相控制器、DrMOS、POL、eFuse方案。　　而随着AI数据中心供电向800Vdc母线演进，针对SST应用、HV IBC应用，士兰微的配套功率器件方案包含2300V、1200V SiC MOSFET、各电压等级的低压MOSFET。以上覆盖各应用场景的功率器件解决方案构成了“从电网到核心”的完整方案链条，保障数据中心能源供应的高效稳定。　　展望未来，AI日新月异，算力浪潮奔腾不息，士兰微将持续深耕数据中心供电领域，迭代推出更高性能的半导体集成电路产品与解决方案，与行业伙伴携手，共同为下一代算力基础设施提供强劲、高效、可靠的“芯”脏动力。

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士兰微

发布时间：2026-04-30 11:01 阅读量：374 继续阅读>>

4月23日，广和通携手珞博智能，以<span style='color:red'>AI</span>陪伴解决方案赋能座舱<span style='color:red'>AI</span>陪伴机器人「HAMOMO 哈蒙蒙」正式亮相。作为新一代<span style='color:red'>AI</span>陪伴形态，「HAMOMO 哈蒙蒙」可吸附于车机屏幕，实现多模态交互与实时响应，并支持随身携带，打破场景限制，在出行与日常陪伴场景中，提供更自然流畅的互动体验。

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4月23日，广和通携手珞博智能，以AI陪伴解决方案赋能座舱AI陪伴机器人「HAMOMO 哈蒙蒙」正式亮相。作为新一代AI陪伴形态，「HAMOMO 哈蒙蒙」可吸附于车机屏幕，实现多模态交互与实时响应，并支持随身携带，打破场景限制，在出行与日常陪伴场景中，提供更自然流畅的互动体验。

　　4月23日，广和通携手珞博智能，以AI陪伴解决方案赋能座舱AI陪伴机器人「HAMOMO 哈蒙蒙」正式亮相。作为新一代AI陪伴形态，「HAMOMO 哈蒙蒙」可吸附于车机屏幕，实现多模态交互与实时响应，并支持随身携带，打破场景限制，在出行与日常陪伴场景中，提供更自然流畅的互动体验。　　双方联创的AI陪伴解决方案，以低时延蜂窝连接、ANS音频降噪及VAD人声检测等能力，支撑移动环境下更稳定的语音识别与实时互动，将情感陪伴进一步延展至出行场景。

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广和通

发布时间：2026-04-29 09:48 阅读量：284 继续阅读>>

告别开发难题！芯讯通×涂鸦智能重磅联手，赋能全球<span style='color:red'>AI</span>+IoT商用

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告别开发难题！芯讯通×涂鸦智能重磅联手，赋能全球AI+IoT商用

　　2026年4月23日，AI云平台服务提供商涂鸦智能(纽交所代码：TUYA;港交所代码：2391)与无线通信模组及解决方案领域的先行者芯讯通(SIMCom)联合官宣，双方正式达成深度合作。依托各自核心优势，以“连接+AI+云”协同模式打破软硬件技术壁垒，联合打造AI+IoT一站式解决方案，聚焦全球商用AI+IoT核心场景，助力客户降本增效，携手推动全球AI+IoT商用领域创新突破，解锁万物智联全新可能。　　软硬协同优势共生　　4月23日，2026涂鸦全球开发者大会现场，涂鸦智能与芯讯通完成深度合作协议签署。涂鸦智能联席董事长兼总裁陈燎罕、芯讯通总经理原舒出席仪式，涂鸦智能出行事业部高级产品经理沈秀清、芯讯通总经理特助兼合作事业部总经理邓乾怀代表双方签署协议，共同向行业传递携手赋能全球AI+IoT商用的决心，引发全球开发者与伙伴广泛关注。　　涂鸦智能作为全球领先的AI云平台服务提供商，致力于将AI应用于生活，通过AI Agent开发平台、TuyaOpen开源开发框架等通用AI Agent引擎，集成多模态AI能力，降低AI开发门槛，高效推进AI生活实现，加速AI与物理世界的深度融合。　　芯讯通深耕无线通信领域20余年，是业内头部的无线通信模组及解决方案提供商。芯讯通构建的全制式全平台、工业级及车规级通信底座，搭配完善的全球认证与交付能力，已成为商用IoT设备规模化部署的关键硬件支撑。　　协同赋能加速商用　　此次双方合作是“硬件+软件+云服务”的深度协同：涂鸦智能负责提供“智能大脑”与“云端管家”即AI大模型和云平台，芯讯通负责提供物联网设备的“通信桥梁”即通信模组，双方提前完成技术适配与集成，让下游企业无需单独对接软件和硬件。这种联合模式，大幅降低开发部署成本与门槛，缩短产品上市周期，助力下游企业快速推出智能产品并实现全球落地。　　合作聚焦AI玩具、机器人、资产追踪、智慧能源、智慧穿戴等全球商用IoT核心场景，推动各场景智能化升级，让开发者可聚焦产品创新本身。未来双方将持续深化技术融合与生态共建，推动科技与实体经济深度融合，让智能设备更广泛地走进生产生活，便利大众、赋能产业。　　涂鸦智能首席硬件嵌入式架构师聂哲元表示：“生成式AI大模型的持续进化，正为AI硬件和智能家居设备带来更智能、更便捷的全新用户体验。依托涂鸦智能成熟稳定的全球化AI+IoT平台核心能力，结合芯讯通深耕无线通信20余年的产品技术积累，双方充分发挥各自领域积淀与核心竞争力实现强强联合，深化软硬件技术协同与生态融合，以更优质的一站式解决方案，携手推动全球AI+IoT产业的高质量创新与发展。”　　芯讯通总经理原舒表示：“当前AI需求爆发，客户迫切需要高效可靠的AIoT一体化解决方案。深耕无线通信20余年，芯讯通的全制式模组经过市场长期检验，是我们的核心硬实力。此次与涂鸦智能合作，我们期待依托双方技术优势，提前完成全链路适配，帮客户省去技术对接的麻烦，快速抓住AI机遇，高效推进产品智能化与全球化落地，长期协同创造更实在的客户价值。”　　此次深度合作及大会签约，是双方布局AI+IoT生态的重要举措。双方将发挥核心优势，深化软硬件与连接AI融合，催生创新场景，打破产业壁垒，加速万物智联落地，推动AI+IoT产业协同升级，为全球科技进步与物联网产业创新发展贡献力量。

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芯讯通

发布时间：2026-04-28 09:54 阅读量：305 继续阅读>>

昆仑芯全面支撑中国移动九天35B大模型，国产<span style='color:red'>AI</span>方案加速落地

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昆仑芯全面支撑中国移动九天35B大模型，国产AI方案加速落地

　　近日获悉，中国移动即将正式发布一款自主研发的九天35B通用大模型。作为央企自研大模型的标杆之作，九天35B凭借强大的语言理解、复杂推理与行业场景适配能力，为通信、政务、金融等行业数智化转型提供了坚实的AI底座。　　作为中国移动“AI能力联合舰队” 核心算力伙伴，昆仑芯在当前已完成对九天35B模型的全流程适配与推理验证。依托昆仑芯P800硬件加速能力及成熟的软件栈，模型得以在国产算力平台上实现高性能、低显存占用的稳定运行，为中移九天大模型的规模化部署提供了坚实支撑。中移九天大模型作为中国移动“九天”体系的核心基座产品，具备高安全、高可控、全自主的央企级能力，已通过生成式AI服务双备案及A级安全认证，并在多类数智化场景中实现广泛适配。此次完成九天35B模型的快速适配，不仅体现了昆仑芯在软件生态成熟度与工程化响应效率上的持续提升，也进一步构建起“国产算力 + 国产大模型”的全栈国产化解决方案。在关键技术层面，昆仑芯围绕注意力机制优化与长序列推理进行了深度适配，有效提升模型执行效率与稳定性，充分满足通信、政务、金融等行业对低时延、高可靠AI部署的实际需求。在软件生态方面，昆仑芯现已构建了覆盖底层驱动、SDK至专业库的全栈软件体系，高度兼容主流AI开发生态，有效降低开发门槛与模型迁移成本。目前，昆仑芯已实现国内外多款主流大模型的发布当日即适配，并持续完善模型部署能力，助力开发者以更低的适应成本、更短的部署周期完成AI应用开发。在基础设施层面，作为中国移动的重要生态伙伴，昆仑芯已深度参与中国移动云智算中心及万卡级集群建设，持续推动算力基础设施向规模化、体系化演进。未来，昆仑芯将持续深耕技术研发，强化软硬协同与生态共建。凭借开放兼容的软件生态与强劲高效的硬件底座，昆仑芯将与中国移动在模型训练、推理优化及行业场景适配等方向深化合作，推动国产算力与央企大模型深度融合，加速AI能力在真实产业场景中的规模化落地，赋能千行百业智能化升级。

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昆仑芯

发布时间：2026-04-27 09:57 阅读量：357 继续阅读>>

永铭47~100µF/35V聚合物钽电容：<span style='color:red'>AI</span>服务器SSD限高1.9mm/1.5mm下的PLP选型分析

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永铭47~100µF/35V聚合物钽电容：AI服务器SSD限高1.9mm/1.5mm下的PLP选型分析

　　前言：新一代SSD形态对电容选型提出更严苛要求　　以EDSFF(企业与数据中心存储形态)为代表的新一代SSD标准——E1.S、E3.S、E1.L、E3.L——正在高密度数据中心中快速取代传统2.5英寸U.2和M.2形态，每个服务器单元可实现2至5倍的存储密度提升。与此同时，U.2接口的超薄5mm SATA盘作为启动盘，在1U/2U服务器中也广泛应用，其整板高度限制更为严格。　　AI服务器的存储架构已从“通用可靠”跃迁至“AI极致性能”。新一代SSD必须在极端负载与高温环境下持续输出极致性能，同时面对PCB空间极度受限的现实。PLP(断电保护)电容的选型已从“保障基础可靠”升级为“决定性能上限”的关键元件。　　永铭针对不同SSD形态提供三款代表性聚合物钽电容选型方案，可分别满足E1.S/E3.S SSD(限高2.05 mm)与U.2超薄5mm SATA启动盘(限高1.6mm)的PLP需求。该系列进行核心结构升级，可替代原松下TQS系列薄型化产品(如35TQS47MEU，7343-1.4mm封装)，并在国产化供应与新型结构上形成显著优势。　　应用中的挑战　　2.1 物理尺寸约束：两种限高，两大痛点　　E1.S/E3.S SSD：单面布板，整板器件高度≤2.05mm。常规聚合物钽电容高度普遍超过2.0mm，选型受限。　　U.2超薄5mm SATA启动盘：盘体厚度仅5mm，PCB双面布板后器件限高通常≤1.6mm。常规钽电容高度难以满足，若强行降低容值或改用高ESR的小型化器件，会直接导致PLP性能不足。　　2.2 PLP性能不足引发数据丢失风险　　PLP电路核心原理：正常供电期间，电容通过RC回路充电储能;断电时放电为控制器和缓存提供毫秒级工作窗口，以完成最后的NAND写入。充电时间受RC时间常数及ESR影响，ESR越高则充电越慢、储能越少。在AI服务器频繁读写、异常断电概率较高的工况下，PLP电容若选型不当，可能造成数据丢失甚至文件系统损坏。　　2.3 供应链与成本压力　　进口品牌(如松下)交期通常长达12周以上，且价格持续波动，给项目量产爬坡带来不确定性，同时也难以满足整机厂商的国产化率指标要求。永铭作为国产电容厂家，在交期响应、成本控制及供应链安全方面具有明显优势。　　永铭技术解决方案　　3.1 推荐选型表(三款，按应用场景区分)　　TQW19 35V/100μF 7.3*6.0*1.9mm(底部端子封装)　　3.2 核心技术优势　　①高度精确适配：TQD19/TQW19系列高度1.9mm，直接满足E1.S/E3.S SSD单面布板限高;TQD15系列高度1.5mm，完美适配U.2超薄5mm SATA启动盘。　　②新型钽电容的核心结构升级：将端子设计在元件底部，大幅缩短电流回路，ESL(等效串联电感)比传统结构降低约50%，高频特性优异。针对ESR(120mΩ)略高于松下TQS系列(100mΩ)的情况，永铭通过底部端子设计强化了高频去耦能力，ESL更好，更适用于AI服务器SSD中高速开关瞬态响应场景。　　③高密度聚合物钽芯+薄型封装：在1.9mm/1.5mm极限高度下，依然实现68μF/100μF/47μF容量与35V耐压，性能不妥协。　　④全固态高可靠结构：工作温度-55℃~105℃，满足AI服务器7×24小时高温工况。　　3.3 供应与国产化优势　　作为国产电容厂商，永铭在该类应用中除满足产品选型需求外，还能够兼顾交付效率与成本控制：　　①交期响应更灵活(常规4~6周)，可紧密配合客户项目节奏;　　②全链路国产化，满足整机厂商供应链安全与国产化率指标;　　③相较进口方案，整体导入成本更低，助力客户BOM优化。　　场景化Q&A　　Q1：E1.S/E3.S SSD限高2.05mm，永铭能否提供1.9mm以下、容量不缩水的钽电容?　　A1：可以。永铭TQD19(68µF)和TQW19(100µF)高度均为1.9mm，耐压35V。采用高密度聚合物钽芯+薄型封装，不牺牲容量和耐压。底部端子设计使ESL降低约50%，高频特性优于传统结构。　　Q2：永铭TQW19的ESR为120mΩ，相比松下TQS系列(100mΩ)略高，是否影响PLP性能?　　A2：在实际PLP电路中，影响充电速度和断电保持时间的不仅是ESR，还包括回路总电阻和ESL。永铭底部端子设计大幅降低了ESL(降低约50%)，改善了高频瞬态响应;同时宽体封装有助于降低接触电阻。该方案已在多家AI服务器SSD客户中通过PLP功能验证。建议客户进行实际板级验证。　　Q3：U.2超薄5mm SATA启动盘限高仅1.6mm，永铭有对应产品吗?　　A3：有。永铭TQD15系列高度仅1.5mm，容量47µF，耐压35V，专门针对超薄盘体设计。同样采用底部端子结构，ESL低、可靠性高。　　Q4：永铭相比进口品牌在交期和成本上有多大优势?　　A4：永铭常规交期4~6周，远低于进口品牌的12周以上，且供应稳定性高。在相同性能等级下，可帮助客户优化综合导入成本，同时满足国产化率指标。　　总结　　在AI服务器SSD断电保护应用中，电容选型不仅要考虑板级空间限制，还要兼顾断电保护性能、项目导入效率以及供应稳定性。　　永铭聚合物钽电容针对不同场景提供精准选型：TQD19/TQW19系列(1.9mm高度)适用于E1.S/E3.S SSD(限高2.05mm);TQD15系列(1.5mm高度)适用于U.2超薄5mm SATA启动盘(限高1.6mm)。产品采用底部端子结构，ESL降低约50%，高频特性优异;全固态、宽温、长寿命;同时以国产化优势保障交期与成本。　　如您需进行实际测试，可联系我们申请样品，同时我们也将提供规格书、测试报告及选型表。

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永铭

发布时间：2026-04-27 09:46 阅读量：368 继续阅读>>

海康存储亮相神州数码ADA+大会多场景<span style='color:red'>AI</span>存储产品赋能产业新生态

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海康存储亮相神州数码ADA+大会多场景AI存储产品赋能产业新生态

　　2026年4月22日，以“有+更生态”为主题的2026神州数码ADA+生态伙伴大会在福州盛大启幕。本届大会汇聚上下游核心合作伙伴，聚焦AI技术爆发带来的产业变革机遇，围绕AI场景落地、生态协同共建、产业价值升级等核心方向展开深度交流，携手行业伙伴全面拥抱AI时代。　　海康存储作为神州数码重要合作伙伴参会，携企业级、消费级AI存储产品与解决方案亮相，全方位展示AI存储技术成果。　　AI技术的全维度渗透，正推动存储需求向云、边、端全场景延伸，不同AI应用场景对存储的性能、可靠性、适配性提出了差异化的严苛要求。海康存储基于多年行业深耕经验，打造了完整的存储产品体系。　　消费级产品：赋能AIGC创作、电竞娱乐与端侧AI　　在消费级领域，面向AIGC内容创作者、电竞玩家及影音发烧友，海康存储带来了C5000 PCIe Gen5×4固态硬盘、C4000 PCIe Gen4×4固态硬盘、DK4000 PCIe Gen4×4固态硬盘、U100 SWORD DDR5 UDIMM内存模组等多款高性能产品。　　作为海康存储旗舰级固态硬盘产品，C5000最大读取速度高达14800MB/s，DRAMLESS架构设计兼具强散热、低功耗的优异表现。　　卓越的读写性能可以轻松实现4K/8K视频素材的实时渲染，为内容生产效率带来飞跃式的提升。凭借高带宽、低延迟的特性，C5000还能满足人工智能、机器学习、数据分析等需要频繁读写大量数据的工作应用，进一步拓宽应用边界。　　除了高性能大容量存储产品，海康存储同时展出了商规级eMMC 5.1，其在提高数据传输效率的同时，能够更稳定地处理更多更快的任务，凭借小尺寸、低功耗、高可靠性的特点，成为穿戴设备、智能家电等端侧AI设备的理想存储解决方案。　　企业级产品：构筑AI数据中心与中小企业数据底座　　从消费端转向企业端，企业AI大模型训练、推理服务以及企业数据中台对存储提出了截然不同的要求——高带宽、低时延、数据安全与长期可靠性缺一不可。　　海康存储企业级SSD D300系列凭借卓越的性能与可靠性，吸引了众多与会嘉宾的关注。其采用3D TLC NAND与国产DDR4内存，搭配高性能双核ARM Cortex-R5 Processor企业级主控，顺序读写速度达到538/509MB/s，4K随机读写IOPS达到98/61K，适用于读取密集型及轻度混合型工作负载。　　同时，该产品还搭载了经过深度优化的磨损均衡算法，显著降低性能波动，进一步提升了数据安全性与产品可靠性。该产品已在电信、金融、网络安全等多个领域实现规模化部署，为行业客户提供高度定制化的解决方案。　　在企业级高端存储领域，现场同步展出F9A企业级全闪NAS。该产品搭载英特尔酷睿i3处理器，集成本地千问3.0 AI大模型，可实现多人协同办公、研发数据管理等功能，推动中小企业办公方式创新升级。　　有+更生态：携手生态伙伴共筑AI存储新生态　　当前，AI技术正以前所未有的速度重构千行百业，存储设备作为数字基础设施的关键组成部分，面临着新一轮的技术演进与需求升级。　　作为国内存储领域的核心厂商，海康存储始终坚持以技术创新为核心驱动力，凭借完整的产品体系、稳定的供应链保障与持续的研发投入，不断打磨适配AI场景的存储产品与解决方案。　　未来，海康存储将继续秉持开放共赢的理念，携手行业生态合作伙伴，深入业务场景，共同推动存储产业的高质量发展，为AI时代的数字基础设施建设提供坚实的存储底座。

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海康存储

发布时间：2026-04-23 09:16 阅读量：299 继续阅读>>

磁盘阵列R<span style='color:red'>AI</span>D写缓存掉电保护怎么做？永铭双电层超级电容模块SDM 8.0F/13.5V为服务器存储提供短时后备供电解决方案

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磁盘阵列RAID写缓存掉电保护怎么做？永铭双电层超级电容模块SDM 8.0F/13.5V为服务器存储提供短时后备供电解决方案

　　在企业级服务器、磁盘阵列、边缘存储等设备中，磁盘阵列RAID通常会将正在写入的数据和关键元数据暂存在Cache(高速缓冲存储器)中，以提升写性能。当整机突发掉电时，若后备能源不能及时接管供电，Cache中尚未落盘的数据可能来不及回写到Flash(闪存)或后端磁盘，进而带来数据一致性与业务连续性风险。　　传统备电电池BBU虽然可用于后备供电，但在长期7×24运行场景下，往往还伴随容量衰减、自放电、定期校准、更换维护等缺陷，以及高密度服务器内部空间与散热压力等问题。基于这一应用需求，永铭推荐采用磁盘阵列RAID写缓存保护超级电容模块SDM系列，为磁盘阵列RAID控制器提供短时后备供电，用于保障Cache→Flash完成回写。　　应用场景与典型挑战　　磁盘阵列RAID写缓存保护常见于服务器存储、数据中心、企业级存储、磁盘阵列、工业服务器与边缘存储等场景。其典型触发条件包括市电闪断、电源模块故障、热插拔意外、PDU 异常等，这些情况都可能导致磁盘阵列RAID主电源中断。　　一旦主电源异常中断，常见风险主要集中在三个方面：　　· 写缓存中的脏数据与关键元数据来不及写入Flash或后端磁盘　　· 控制器异常掉电，阵列恢复时间变长，业务中断风险上升　　· 传统BBU在容量衰减后，可能无法稳定覆盖完整回写窗口，增加后续维护与停机管理负担　　对于高密度 1U/2U 服务器而言，这类问题还会进一步叠加空间受限、布线受限、散热压力上升等约束，使后备电源方案的安装与维护更加复杂。　　问题根源：　　磁盘阵列RAID写缓存保护并不是“长时间续航”　　磁盘阵列RAID写缓存保护的核心，不是让后备电源在掉电后持续工作很久，而是要求在输入电源丢失后，后备单元能够立刻接管，并在控制器最低工作电压以上维持一个足够的短时能量窗口，使 Cache中的数据与关键元数据完成回写。　　这类保护是否能够成功，取决于几个关键因素之间的匹配关系：　　可释放有效能量：　　模块输出电流能力连接路径损耗　　控制器回写耗时　　当后备单元响应慢、有效容量或工作电压不足、最大放电电流不足，或者线束与连接损耗过大时，控制器电压就可能过快跌落，导致 Flash 写入中断。也就是说，这类方案并非面向长时间续航场景，而是面向“掉电瞬间短时接管”的保护场景。　　永铭解决方案：　　双电层超级电容模块SDM系列　　针对磁盘阵列RAID掉电保护场景，永铭提供磁盘阵列RAID 写缓存保护超级电容模块(8.0F/13.5V)。该方案围绕“掉电后写完那一段”设计，用于在主电源异常中断后，为磁盘阵列RAID控制器提供短时有效能量储备。　　其对应的应用特征包括：　　· 容量 8.0F，工作电压13.5V：用于为 Cache→Flash 回写提供短时有效能量储备　　· 掉电自动上线：主电源异常中断时，可立即接管供电，减少切换迟滞带来的保护窗口损失　　· 最大放电电流 1.5A：覆盖磁盘阵列RAID控制器及缓存保护阶段的瞬时输出需求　　· 标准化尺寸+长/短延长线配置：便于适配服务器主流结构规格和不同安装位置　　· 工作温度-40°C~70°C，仓储温度-40°C~85°C：兼顾机箱温升环境与仓储运输适应性　　· 符合RoHS要求：满足应用合规需求　　相较于需要定期更换、校准与健康检查的传统BBU路径，双电层超级电容模块更偏向长寿命、免维护的应用方向，可减少后期运维动作，适合7×24数据中心运行环境。　　推荐规格　　推荐产品：永铭磁盘阵列RAID写缓存保护超级电容模块SDM系列　　规格口径：8.0F/13.5V　　配件：长延长线×1、短延长线×1　　场景化Q&A　　Q1：我们在做RAID卡写缓存保护验证，需求不是让后备电源撑很久，而是掉电后能立刻接管，让Cache里的数据顺利写到Flash。请问有没有适合这种短时接管场景的超级电容模块，最好是8F/11V左右、还能自动上线工作的方案?　　A1：推荐永铭RAID写缓存保护超级电容模块，型号规格：8.0F / 13.5V。该模块针对RAID控制器写缓存保护“短时接管、快速回写”的特定需求设计，具备以下关键特性：　　掉电自动上线：主电源正常时自动充电;当输入电源异常中断时，模块能够立即接管供电，切换延迟极低，无需软件干预，避免保护窗口被迟滞损耗。　　容量与电压匹配：容量8.0F，工作电压13.5V。可释放有效能量按公式E = ½ × C × (Vstart² - Vend²)计算，与主流RAID控制器(如LSI、Marvell等)从Cache到Flash的完整回写窗口所需能量精确匹配。　　输出能力充足：最大放电电流1.5A，可覆盖控制器与缓存回写阶段的瞬时峰值电流需求。　　无需复杂管理：模块自动完成充放电切换，无需额外充放电管理电路或校准流程。　　因此，该模块是满足“8F/11V左右、自动上线”需求的直接选型方案，适用于RAID卡写缓存掉电保护场景。　　Q2：我们现在做服务器RAID卡，原来一直用BBU，但后期维护太频繁了，要换电池、做校准，还担心容量衰减。有没有适合长期7×24运行、免维护的RAID缓存保护方案，可以替代传统BBU?　　A2：永铭 RAID写缓存保护超级电容模块(8.0F/13.5V)完全符合上述要求。针对高密度服务器(1U/2U)的适配设计。传统BBU需要定期校准、2~3年更换电池，且容量衰减明显，还需额外健康监测电路，高温环境下老化快。而永铭超级电容模块无需校准、无更换周期、容量衰减远低于BBU、无需监测电路，且工作温度达-40℃~+70℃，适配服务器长期运行。　　Q3：高密度1U/2U服务器空间紧、温升高，后备电源选型要看什么?　　A3：这类场景通常需要同时关注：尺寸与安装适配性、掉电瞬间输出能力、工作温度范围、连接路径损耗。永铭磁盘阵列RAID写缓存保护超级电容模块提供标准化尺寸、长短延长线配置，最大放电电流1.5A，工作温度-40°C~70°C，可用于适配高密度服务器的安装与应用要求。　　总结　　对于磁盘阵列RAID写缓存保护而言，关键不在“长时间供电”，而在“掉电瞬间是否能够及时接管，并完成关键数据安全回写”。　　永铭超级电容模块以8.0F/13.5V、最大1.5A放电、掉电自动上线、标准化尺寸与延长线配置，为服务器存储场景提供短时后备供电支持，用于应对突发掉电下的 Cache→Flash 回写需求。　　如需进一步评估具体应用，可联系永铭获取规格书、样品、应用资料与选型支持。

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永铭

发布时间：2026-04-20 11:29 阅读量：428 继续阅读>>

海康存储亮相2026人工智能基础设施峰会加速布局<span style='color:red'>AI</span>推理存储新赛道

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海康存储亮相2026人工智能基础设施峰会加速布局AI推理存储新赛道

　　4月17日，由DOIT主办的“智算筑基生态共生”2026人工智能基础设施峰会在上海举行。　　当前，AI正从训练主导向推理主导迁移，应用落地成为市场焦点。在此背景下，海康存储携企业级及工规级存储产品亮相峰会，为“AI+”在千行百业的纵深应用拓宽思路。　　企业级存储解决方案：　　聚焦AI推理及数据中心能效优化　　海康存储企业级固态硬盘D300系列针对数据中心I/O与延迟一致性而优化，稳态连续读写速度最高可达538/509 MB/s， 4K随机读写IOPS最高可达98/61K，满足读取密集型工作负载需求。　　D300系列采用国产方案，最大容量3840GB，在容量、功耗与成本之间实现了良好平衡，并成功入选中国移动2023至2024年SSD硬盘AVAP合作商，为云计算、服务器等关键算力场景提供支撑。　　凭借优异的性能和市场表现，该产品荣获大会颁发的“2026年度AI存储产品奖”，进一步印证了其在AI基础设施中的核心价值。海康存储将在年内推出面向AI云推理的新一代PCIe 5.0平台方案，持续强化在高端存储领域的竞争力。　　在企业级内存方面，海康存储带来了DDR4 RDIMM 32G 3200MHz内存模组。该产品采用1Rx4位宽设计，支持ECC纠错。经过自研算法测试及硬件优化设计，极大提高了模组的可靠性及兼容性，可以为服务器提供高效、稳定的数据存储与传输支持，为大规模AI部署夯实基础。　　工规级存储解决方案：　　护航工业关键场景　　针对工业数智化的升级需求，海康存储打造了涵盖固态硬盘、嵌入式存储、内存模组、存储卡等在内的工规级存储产品矩阵。　　其中，PTS13固态硬盘搭载PCIe Gen4x4接口，顺序读/写性能高达7090MB/s、6540MB/s，容量覆盖128GB-2048GB，支持-40℃~85℃宽温工作，可广泛应用于边缘计算、工业自动化、电力能源等严苛环境，为关键场景提供安全可靠的数据存储与处理能力。　　海康存储工规级eMMC遵循eMMC5.1协议，能够长期可靠运行于-40°C~85°C的工业宽温环境，进一步丰富了低功耗、高强度场景的选择。　　依托全生产周期的高质量管控、自研固件、BOM锁定与专业的技术团队支持，海康存储以对工业场景的深度理解助力客户业务发展，携手推动工业行业迈向新高度。　　基于在数据中心、工业控制等领域的技术积累，海康存储未来将根据客户需求，持续向教育、医疗、金融等更多“AI+”应用场景拓展，推动算力基础设施与落地实践深度融合，为新质生产力筑牢数字基座。

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海康存储

发布时间：2026-04-20 11:20 阅读量：442 继续阅读>>

兆易创新亮相F<span style='color:red'>AI</span>R plus 2026，全栈芯片赋能具身智能机器人新生态

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兆易创新亮相FAIR plus 2026，全栈芯片赋能具身智能机器人新生态

　　4月22日至24日，FAIR plus 2026机器人全产业链接会将在深圳会展中心(福田)9号馆盛大启幕。作为世界级机器人开发制造技术领域的重要盛会，本次展会聚焦机器人全产业链核心技术与优质开发资源，着力打通AI与机器人产业壁垒，搭建技术交流、场景对接与产业合作的核心平台，汇聚全球行业同仁共话智能机器人产业发展新机遇。　　作为业界领先的半导体解决方案提供商，兆易创新将携核心技术与产品亮相本次盛会。展会期间，兆易创新将深入分享机器人运动控制底层技术闭环的创新路径与实践成果，以硬核技术实力赋能产业高质量发展。此外，兆易创新还将在H9B17展位，展出具身智能机器人适用的MCU、存储及模拟芯片全栈产品与解决方案。诚邀各界同仁与合作伙伴莅临展位交流、聆听专题分享，携手共筑机器人产业发展新生态。

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兆易创新

发布时间：2026-04-20 09:38 阅读量：427 继续阅读>>

美光的低功耗车规级内存与存储解决方案，赋能端侧<span style='color:red'>AI</span>在汽车领域的应用

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美光的低功耗车规级内存与存储解决方案，赋能端侧AI在汽车领域的应用

LPDDR5X配合DLEP技术　　带宽提升高达25%1　　功耗降低10%2　　满足ISO26262ASIL-D级别的硬件　　随机故障时基故障率指标(FIT)　美光车规级UFS4.1　　设备启动速度提升30%，系统启动速度提升18%3　　针对严苛车载温度环境设计　　满足ISO26262ASIL-D级别的硬件随机故障时基故障率　　(FIT)指标　　带宽达4.2GB/s，加速AI模型的数据访问

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美光

发布时间：2026-04-17 11:18 阅读量：429 继续阅读>>

型号	品牌	询价
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
MC33074DR2G	onsemi
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
TL431ACLPR	Texas Instruments

型号	品牌	抢购
BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor
STM32F429IGT6	STMicroelectronics
BP3621	ROHM Semiconductor
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor
TPS63050YFFR	Texas Instruments

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