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佰维特存推出工业级ECC <span style='color:red'>DDR4</span> SODIMM内存条，守护极端环境下的工业存储需求

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佰维特存推出工业级ECC DDR4 SODIMM内存条，守护极端环境下的工业存储需求

　　为应对严苛环境下的数据存储挑战，近日，佰维特存推出工业宽温级ECC SODIMM内存条，精选宽温颗粒，数据速率达3200Mbps，容量覆盖4GB～16GB。产品通过抗硫化与稳定性测试，从容应对高温、低温、高湿度、强震动等恶劣环境，满足电力设备、电信设备、工控机、轨道交通、自助终端、医疗设备等场景对数据可靠、稳定存储的需求。　　【工业级宽温标准，严苛环境的可靠之选】　　-严选宽温颗粒，4 corner全方位测试评估，耐受-40°C至85°C的极端温度;　　-通过ANSI/ISA-71.04-2013抗硫化认证，适应恶劣高污染环境;　　-产品经过TC、THB、HTOL、LTOL等严苛测试，确保长时间稳定运行。　　【ECC护航，构筑持久稳定存算系统】　　-先进ECC纠错技术，智能检测并修复数据错误，有效保障数据完整性;　　-严格遵循JEDEC设计规范，确保高可靠性;　　-助力存储系统稳定性和持久性，提升系统生命周期。　　【高效内存架构，释放强劲算力】　　-多容量可选(4GB、8GB、16GB)，满足不同应用场景;　　-数据速率高达3200Mbps，保障工业自动化数据高速传输;　　-多架构支持(1R×16，1R×8)　　【稳定内核，构建智能制造基石】　　-专为智能制造与AI领域设计，助力工业自动化高效落地;　　-内置温度传感器，实时监控温度，提升系统稳定性;　　-30μ"金手指镀金层厚度，高抗振抗冲击性能，满足工业设备严苛标准。

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发布时间：2024-11-15 13:31 阅读量：275 继续阅读>>

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佰维存储推出工规级宽温LPDDR4X芯片，高可靠性赋能工业与汽车电子应用

　　近日，佰维存储发布了工规级宽温LPDDR4X嵌入式存储芯片，该产品传输速率高达4266Mbps，容量覆盖2GB~8GB，可适应-40℃~95℃宽温工作环境;采用BGA 200 Ball封装，尺寸小至10.0x14.5x1.0mm，满足数据通信、轨道交通、汽车电子、工业自动化等众多工业领域的高质量存储需求。　　传输速率达4266Mbps，性能功耗双升级　　佰维工规级LPDDR4X遵循JEDEC设计标准，传输速率高达4266Mbps，VDDQ电压低至0.6V，融入PASR(Partial Array Self-Refresh)休眠机制，相较上一代LPDDR3产品性能提升128%，功耗降低超过50%，实现更高速率基础上的更低功耗，不仅可高效、及时响应系统操作指令，支持多线程任务管理，还将助力工业/汽车电子设备节能续航，从容应对高强度的工作负载。此外，产品内置ODT、DQS技术特性，增强信号稳定性与抗干扰能力，优化客户的数据传输体验。　　严格的工规级设计与测试，-40℃~95℃宽温工作，坚守稳定与可靠性　　佰维构建起贯穿产品全生命周期的工规级质量管理流程，覆盖工车规产品选型、软硬件设计、封装测试、生产制造以及供应体系管理的各个阶段。佰维工规级LPDDR4X采用高标准的工业级基板和封装材料，支持-40℃~95℃宽温工作环境，无惧恶劣的作业场景;采用BGA 200 BALL封装，可高度兼容市面上主流的操作系统与平台。　　依托公司自主开发测试软件平台与核心测试算法，搭配公司引入的爱德万、Turbocats等高端半导体测试设备，佰维工规级LPDDR4X嵌入式产品100%经过ATE电性测试、高低温测试、老化测试、SLT系统级测试，有力确保产品在实际使用中的性能一致性和持久耐用性。　　长期稳定供应，经验丰富的专业团队，产品全生命周期服务　　公司拥有惠州佰维先进封装测试制造中心，构建了高效且持久稳定的产能供应体系，可为LPDDR4X产品提供长期供货保障;同时，公司拥有全球分布的立体化销售、生产交付网络及一流的市场营销服务团队，为行业客户提供快速、高效、专业的全生命周期服务，包括不限于实时的FAE支持、本地化服务、联合技术开发等。　　佰维工规级LPDDR4X作为佰维特存品牌中高标准的嵌入式存储产品，兼具高可靠、高性能、高耐用、长寿命等优势，旨在为工业级、汽车客户提供高附加值、颇具竞争力的产品，赋能数据通信、轨道交通、汽车电子、工业自动化、安防监控、工业IPC、电力、医疗、金融终端等领域迈向数智化新程。　　佰维特存　　佰维特存是佰维存储旗下专注于工车规市场的存储品牌，致力于为工业级与汽车电子应用打造高可靠、高安全、可信赖的存储解决方案，产品涵盖固态硬盘、内存模组、嵌入式存储、存储卡等完整的品类矩阵，广泛应用于数据通信、轨道交通、汽车电子、工业自动化、安防监控、工业IPC、电力、医疗、金融终端等多元化领域。基于公司在工业级软件算法、介质研究、硬件设计、封装测试、供应连续性保障等关键领域所构建的坚实能力，佰维特存将持续丰富产品类型，为客户提供性能优越、品质优良的存储解决方案以及完善的服务体验。

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佰维存储

发布时间：2024-05-06 13:39 阅读量：730 继续阅读>>

传三星下半年将再度减产<span style='color:red'>DDR4</span> 有望带动价格上升

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传三星下半年将再度减产DDR4 有望带动价格上升

　　据媒体报道，业内人士预计三星将在下半年再次减产DRAM。今年以来，该公司减产的主要项目几乎都是DDR4，目标是在年底前将库存降至健康水平。　　DDR4是较为常见、主流的DRAM产品。市调机构集邦咨询9月13日的报告指出，本周低价位DRAM芯片的现货价格开始上升，整体DRAM现货价格有所企稳，现货成交量也有所增加。以主流芯片DDR4 1Gx8 2666MT/s为例，其现货均价从上周的1.450美元上涨0.28%至本周的1.454美元。　　业内人士认为，在三星大砍DDR4产能情况下，有望带动DDR4产品价格上涨，预期最快今年底的DDR4市场报价将开始拉升。　　具体而言，目前英特尔、AMD等厂商的PC/笔电新品、服务器平台已经转向新一代DDR5产品，导致DDR4需求量有所下降。为此，存储巨头三星已经加大了对DDR5产品的研发力度，并大幅缩减DDR4产能。然而，DDR4仍然是目前主流的DRAM产品，其终端市场规模不会迅速缩水。因此，在供给端减产的同时，DDR4需求下降的速度预计会低于供给速度，从而有望推高DDR4的价格。

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三星

发布时间：2023-09-18 10:55 阅读量：2131 继续阅读>>

佰维BIWIN推出基于LP<span style='color:red'>DDR4</span>X 144球的ePOP存储芯片，已通过高通5100平台认证

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佰维BIWIN推出基于LPDDR4X 144球的ePOP存储芯片，已通过高通5100平台认证

　　智能穿戴设备不断向多功能集成、持久续航、使用体验流畅等方向发展与升级，对存储芯片在尺寸、功耗、性能和应用调校等诸多方面提出了更高要求，ePOP存储芯片凭借小尺寸、低功耗、高性能和高可靠等特点，成为智能穿戴设备的绝佳选择。佰维存储基于前代LPDDR3 ePOP产品的成功经验，面向高端智能手表推出了基于LPDDR4X 144球的ePOP存储芯片，方案相较前代产品频率提升了128.6%、体积减少了32%，并正式通过高通5100平台认证。　　佰维基于LPDDR4X 144球的ePOP采用eMMC5.1与LPDDR4X合封的形式，芯片尺寸仅为8.0mm× 9.5mm×0.8mm，ROM顺序读写速度分别高达310MB/s、240MB/s，RAM频率高达4266Mbps，容量组合最高至32GB+16Gb（未来将推出容量64GB+16Gb），是佰维面向高端智能手表推出的新一代旗舰存储解决方案。　　佰维基于LPDDR4X 144球的ePOP优势：　　1.符合JEDEC标准，集成eMMC5.1和LPDDR4X，且通过直接贴装在SoC芯片上，赋能智能手表轻薄设计。　　2.基于低功耗LPDRAM和固件优化降低功耗，且相较前代ePOP产品频率提升128.6%，兼顾低功耗、高性能。　　3.具有全局磨损平衡管理、LDPC纠错算法、支持FFU升级等功能，且支持-20℃~85℃宽温工作环境，护航数据完整、可靠存储。　　4.通过高通5100 SoC平台认证，助力终端客户简化系统设计、加速终端产品上市。　　佰维基于LPDDR4X 144球的ePOP产品凭借高性能、低功耗、高可靠等特性，从存储端提升智能手表等智能穿戴设备的整体使用体验。其中，ePOP的高性能特性，可为设备提供高效快速的数据存储支撑，助力提升设备开关机、APP启动关闭、熄屏锁屏等操作的流畅性，同时能够高效处理不同传感器差异化负载和多线程存储需求，确保快速响应用户的操作和指令；ePOP的低功耗特性，在设备多线程、高负载、长时间工作的场景中，助力减少设备发热，防止设备宕机以及产品过热影响用户体验；ePOP的高可靠特性，能够从容应对设备蓝屏、冷启动、复位等异常情况，保证数据完整存储的同时，助力设备稳定、可靠运行。　　相较于通用型的手机存储芯片而言，智能穿戴存储在通用型存储解决方案的基础上对于厂商的快速响应和客制化能力也相应的提出了更高的要求。佰维ePOP存储芯片则集中体现了公司研发封测一体化布局的优势：凭借在研发能力支持下的高性能、低功耗优势，以及在专精的存储器封测能力支持下小尺寸、高可靠等优势，公司的ePOP等智能穿戴存储产品已进入全球TOP级客户的供应链体系，并占据优势份额。在实际的合作案例中，佰维协同终端客户一起，展开了SOC平台、存储、系统、应用等多方联动的调校支持与赋能，洞悉用户使用场景并不断优化，致力于让终端设备体验更流畅和丝滑，打造终端产品的强势竞争力。

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佰维

发布时间：2023-07-17 10:10 阅读量：1408 继续阅读>>

<span style='color:red'>DDR4</span>半年翻倍,DRAM Q4续涨,小编快要攒不起电脑了

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DDR4半年翻倍,DRAM Q4续涨,小编快要攒不起电脑了

受DRAM缺货影响，自2月以来短短半年DDR4价格一路飙升，由于DRAM大厂供货紧张短期内难以缓解，未来一段时间DDR4恐将持续看涨……. 经查询，现在京东商城销售的金士顿DDR4 2400MHz 8GB内存，售价为769元，而去年底的价格在349元，今年2月份的价格在359元，有网友表示更早前买过225元的。可见，半年时间DDR4内存涨价幅度超过114%。网友们直呼涨太快，眼看一路上涨担心不久之后突破一千元大关。据台湾媒体报道，下半年DRAM市场严重缺货，DDR4晶片更因货源不足，价格已连续两周创下历史新天价。今年下半年以来DRAM市场一直供不应求，其中用在电脑及伺服器的DDR4缺货情况最为严重，不仅第3季合约价涨幅扩大，4Gb DDR4原厂颗粒现货价昨日更创4.3美元历史新天价。业内人士指出，包括三星、SK海力士、美光等三大DRAM厂，今年底前的DDR4产能已全数改用配销（allocation）方式出货，现货价很快就可看到5美元。DRAM市场格局及产能全球DRAM市场规模约410亿美元,其中三星、SK海力士、美光已经呈现三分天下的架势，三家占据95%以上的市场份额，行业具有寡头垄断特征。三星无论工艺、产能还是占有率都有绝对优势。2014年第一个量产20nmDRAM工艺之后，再次领先并量产18nmDRAM。随着市场需求转变以及20纳米逐渐成熟，DDR4的生产比例越来越高。2015年由于英特尔(Intel)平台支援度的问题，DDR4的导入主要发生在伺服器端，并且已经率先在第四季取代DDR3成为主流。个人电脑/笔记型电脑端由新平台Skylake开始采用DDR4，在2016年第二季起放量，成为主流解决方案。2017年第二季标准型记忆体跟伺服器记忆体合约价再度上涨逾一成，三星、SK Hynix、美光等三大厂商近一期的营收都创下新高，而总体季增长幅度在 16.9%，与合约价格的趋势相近。从集邦科技DRAMeXchange 数据显示， 2017年第二季度DRAM厂商三星较第一季度营收成长20.7%，市占46.2%。SK海力士上涨11.2%，市占27.3%;美光增幅为20.2%，市占21.6%。从调研最新预测，预估 2018 年 DRAM 产业的供给年成长率为 19.6%，维持在近年来的低点，然从需求端来看，智慧型手机记忆体容量持续升级，以及伺服器/资料中心的强劲需求，预估 2018 年整体 DRAM 需求端年成长预计将达20.6%，吃紧态势将延续。那么各家先进制程转进进度、良率以及产能利用率如何，据半导体冷眼视角分析：三星仍是技术力最强的公司，目前主力制程为 18 纳米其良率早已超过 85%，预计今年在三星内部占比将接近五成，明年往七成的比重迈进。从三星以往一个制程进入成熟阶段后，会在一年内将其比重拉到八成的往例来看，三星在 18 纳米制程刻意放慢脚步，除了竞争对手跟三星相比依旧有段差距外，藉此减缓资本支出，也是维持获利的一种手段。三星每月平均投片量约 390K，目前产能增加的空间已相当有限，仅有 Line17 以及部份 Line15 空间可以增加产能，最多多出约 50～70K 的空间供 DRAM 生产之用。在新厂计画方面，三星属意于平泽兴建第二座12 吋厂，此工厂将会以 DRAM 为主力产品，不过厂房兴建及量产时程仍在研拟阶段。SK 海力士目前的制程以 21 纳米制程为主，预计今年年底占比约七成，其余都是 25 纳米制程，今年受限于工厂空间不足的关系，21 纳米制程已无再提升比重的计划，今年年底 SK 海力士将首度迈进 20 纳米制程以下的领域，18 纳米制程将进入量产阶段，也预计 2018 年将会用 18 纳米制程扩大产出量与占比。然像 M10 厂由于工厂较旧，转进 18 纳米制程将产生较大的晶圆损失（Wafer Lost），也因此部份产能已经转去代工领域会比较符合经济效益，整体而言，最多 M14 厂还有 20K DRAM 产能可供利用，SK 海力士也决议在无锡兴建第二座 12 吋厂，但预计最快开出产能时间将落在 2019 年。而美光集团，今年致力于17 纳米制程的转进，但从晶圆的产出颗粒来看，其 17 纳米制程仅等同于三星 20 纳米制程，故技术力来看算是目前三大 DRAM 厂较为落后的公司，根据目前的规划，台湾美光记忆体（原瑞晶）至今年年底将有 90% 投片都是 17 纳米制程，而台湾美光晶圆科技（原华亚科）在明年也会有 50% 的投片都是 17 纳米制程。在产能上基本上也都已满载，唯一还有剩余空间可以利用的只有台湾美光记忆体（原瑞晶）的 A2 厂区，此场区虽然因为 17 纳米制程的转进，已经有部份机台进驻，但评估仍有 60~70% 的空间可供利用，可提升产能预估约在 30~40K，而美光看来还未有兴建新工厂。明年大厂的扩厂投资看来相对保守，产能扩张甚至技术转进都将趋缓。DRAM 产业将持续维持强劲态势。有业者表示，第三季DRAM芯片价格调涨10%的基础上，第四季度三星合约价恐再涨10%。“现在每个月调整一次模组出货价格，也建议客户尽早选定方案以免再受后续价格上涨的波及。”他说道。

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DDR4

发布时间：2017-09-30 00:00 阅读量：1461 继续阅读>>

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SK海力士扩产DRAM,LPDDR4X和GDDR6是重头戏

以往半导体产业的竞争要素在产能扩大与降低成本，但制程愈趋于先进，研发难度提高，投资规模扩大不保证能带来对等获利。面对产业环境改变，SK海力士（SK Hynix）期盼借由技术创新开拓全球市场。据韩媒每日经济报导，SK海力士计划在2017年下半提高10纳米级DRAM生产比例，并持续增加14纳米NAND Flash产量，以取得更具优势的成本竞争力，提高事业获利性。 SK海力士将持续以大规模研发投资提高技术竞争力。资通讯技术发达带动存储器需求成长，移动装置用DRAM及NAND Flash产品的容量持续增加，用于大数据及云端资料中心的服务器DRAM、固态硬碟（SSD）需求激增，人工智能（AI）、深度学习（Deep Learning）的技术发展更是带动存储器需求扩大的市场利基。 2017年1月SK海力士推出LPDDR4X，是全球最高容量的超低功耗移动装置DRAM；4月开发出超高速绘图DRAM Graphics DDR6（GDDR6），可作为AI、虚拟实境（VR）、自驾车、4K以上高像素显示器的存储器解决方案。在NAND Flash部分，2017年SK海力士成功开发72层3D NAND Flash之后，已在7月启动量产，比原本48层产品生产力提高30%，芯片内部运作速度提高两倍，读写性能提高20%，并且推出搭载自主研发控制器的移动装置用eMMC产品及PCI介面固态硬碟，以高性能、高可靠度的3D NAND Flash解决方案强化事业竞争力。 SK海力士为了取得控制器技术，2012年购并美国Link A Media Devices与义大利Ideaflash S.r.l.，2013年购并台厂银灿科技控制器事业部，2014年购并Softeq Development FLLC。2012年在韩国京畿道盆唐成立Flash解决方案设计中心，2013年在韩国科学技术院（KAIST）校园内成立储存媒体解决方案中心。在相关投资方面，2016年SK海力士执行6.29兆韩元（约56亿美元）投资计划，2017年投资规模上看7兆韩元，并且计划在2019年6月底前投资2.2兆韩元于清州兴建NAND Flash工厂。研发经费投入2016年为2.10兆韩元，占营收12.2%。 SK海力士表示，在变化多端的半导体市场与竞争结构中，唯有透过大胆进行研发投资加强技术竞争力，才能维持市场领导地位。

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SK海力士,DRAM,LPDDR4X,GDDR6

发布时间：2017-07-25 00:00 阅读量：1511 继续阅读>>

型号	品牌	询价
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
TL431ACLPR	Texas Instruments
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor
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型号	品牌	抢购
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies
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BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor
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